。 它拥有 100 万系统门的逻辑容量，并专门针对 ARM Cortex-M1 软处理器进行了优化（器件编号以 M1A3P 开头）。它采用基于闪存的非易失性技术，
2026-01-05 16:41:46
和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程（EEPROM）的功能，还可以快速读取数据，具有NVRAM的优势（NVRAM：Non-Volatile Random Access Memory，非易失性随机访问
2026-01-04 07:10:12
eMMC全称为 embedded Multi Media Card，主要用于非易失性存储，它弥补了 FPGA 芯片自身存储能力的不足，为 FPGA 提供一个高集成度、大容量、低成本、且易于使用的“硬盘”或“固态硬盘”解决方案。
2025-12-23 14:19:28
3972 
在存储技术快速迭代的今天，MRAM芯片（磁阻随机存取存储器）以其独特的性能，逐渐成为业界关注焦点。它不同于传统的闪存或DRAM，利用磁性而非电荷来存储数据，兼具高速、耐用与非易失性特点。
2025-12-15 14:39:04242 在电子设备设计中，数据存储是一个关键环节，EEPROM（电可擦可编程只读存储器）因其非易失性和可重复编程的特性，成为了众多应用的理想选择。今天，我们就来深入探讨 ON Semiconductor
2025-12-05 15:12:42438 
在锂电池的生产与应用领域，安全始终是重中之重。锂电池外壳的气密性直接关系到电池的性能、寿命以及使用安全。传统的检测方法往往存在一定的局限性，而如今，非破坏性检测新选择——锂电池外壳气密性检测仪
2025-12-02 14:31:48134 
在电子设计领域，EEPROM（电可擦可编程只读存储器）一直是数据存储的关键组件。onsemi推出的NV25080LV、NV25160LV、NV25320LV和NV25640LV系列EEPROM，以其
2025-11-27 13:52:36236 
在各类电子设备与嵌入式系统中，存储器的性能与功耗表现直接影响着整体设计的稳定与效率。低功耗SRAM，特别是异步SRAM系列，凭借其出色的能效比与高可靠性，正成为越来越多工业控制、通信设备及便携终端中的关键部件。
2025-11-25 15:42:56271 
在各类存储设备中，SRAM（静态随机存储器）因其高速、低功耗和高可靠性，被广泛应用于高性能计算、通信和嵌入式系统中。其中，双口SRAM静态随机存储器凭借其独特的双端口设计，在高带宽和多任务场景中表现尤为出色，成为提升系统效率的重要组件。
2025-11-25 14:28:44273 在存储技术快速演进的今天，一种名为STT-MRAM（自旋转移矩磁阻随机存取存储器）的新型非易失存储器，正逐步走入产业视野。它不仅继承了MRAM的高速读写能力与非易失特性，更通过“自旋电流”技术实现了信息写入方式的突破，被视为第二代MRAM技术的代表。
2025-11-20 14:04:35244 在高端电源的设计与制造中，维爱普非晶磁环作为一种关键材料，越来越受到工程师和设计师的青睐。与传统的铁氧体或硅钢磁芯相比，非晶磁环在性能上展现出显著的优势。这些优势并非偶然，而是源于其独特的材料特性
2025-11-19 14:08:52253 在嵌入式存储应用中，串口MRAM芯片凭借其非易失性、高速度及高耐用性受到广泛关注。作为磁性随机存储器技术的代表，Everspin磁性随机存储器在工业控制、数据中心和汽车电子等领域表现优异。
2025-11-19 11:51:41146 TPL0102配备两个线性锥形数字电位器（DPOT），共有256个擦拭位置。 每个电位器既可作为三端子电位器，也可以作为两端子电阻器使用。这 TPL0102-100的端到端电阻为100 kΩ。
TPL0102配备非易失性存储器（EEPROM），可用于存储擦刷 位置。这很有好处，因为雨刷位置即使在断电时也会被存储，且 开机后会自动恢复。可以访问TPL0102的内部寄存器 使用 I^2^C接口。
2025-11-19 11:33:38623 
在现代高性能电子系统中，存储器的读写速度往往是影响整体性能的关键因素之一。同步SRAM（Synchronous Static Random Access Memory）正是在这一需求下发展起来的重要
2025-11-18 11:13:01242 ，都属于集成电路里的核心成员。要是按“断电后数据能不能留在器件里”来分，存储芯片能分成易失性和非易失性两种。易失性存储芯片就像电脑的内存（像SRAM、DRAM这类
2025-11-17 16:35:402722 
罗氏线圈基于电磁感应原理，具有高精度、宽频带、易安装等优势，广泛应用于电力测量和智能电网。
2025-11-17 10:52:0614603 EEPROM是一项成熟的非易失性存储（NVM）技术，其特性对当今尖端应用的发展具有非常重要的意义。意法半导体（ST）是全球EEPROM芯片知名厂商和存储器产品和工艺创新名企之一，其连接安全产品部综合
2025-11-17 09:30:101633 在处理器性能持续攀升的今天，存储系统的速度已成为制约整体算力的关键瓶颈之一。作为最接近CPU核心的存储单元，SRAM（静态随机存取存储器）承担着高速缓存的重要角色，其性能直接影响数据处理效率。当前
2025-11-12 13:58:08455 PSRAM（伪静态随机存储器）是一种兼具SRAM接口协议与DRAM内核架构的特殊存储器。它既保留了SRAM无需复杂刷新控制的易用特性，又继承了DRAM的高密度低成本优势。这种独特的设计使PSRAM在嵌入式系统和移动设备领域获得了广泛应用。
2025-11-11 11:39:04497 的压力膜片易被粘稠介质、含颗粒介质（如污水、泥浆）堵塞。
电容式传感器的优势：接触式电容传感器可通过电极材质优化（如钛合金、聚四氟乙烯涂层），适配导电液体、绝缘液体、腐蚀性液体（酸碱溶液、化工废液）；非
2025-11-11 11:37:00
在要求高性能与高可靠性的电子系统中，存储器的选择往往成为设计成败的关键。Netsol推出的高速异步SRAM系列，凭借其出色的性能表现与独有的错误校正（ECC）能力，为工业控制、通信设备及高精度计算等应用提供了值得信赖的存储解决方案。
2025-11-05 16:21:39284 创飞芯作为国内一站式非易失存储 IP 供应商 ，独立开发存储 IP 及 IC ，为客户提供一站式定制服务，拥有多项国内外发明专利。
2025-10-30 16:51:43807 一、并行NAND闪存的基本概念 并行NAND闪存（Parallel NAND）是一种通过多条数据线同时传输多位数据的非易失性存储芯片。不同于串行NAND依靠单线传输数据，并行NAND通过多个数据引脚
2025-10-30 08:37:07410 
非挥发性存储器，如NAND、NOR Flash，数据在掉电后不会丢失。这类存储器通常速度比较慢，可以做资料和大数据存储。
2025-10-27 15:14:39310 在存储解决方案中，外置SRAM通常配备并行接口。尽管并口SRAM在数据传输率方面表现卓越，但其原有的局限性也日益凸显。最明显的挑战在于物理尺寸：不论是占用的电路板空间或是所需的引脚数量，并行接口都
2025-10-26 17:25:18835 MRAM是一种利用电子的自旋磁性来存储信息的非易失性存储器。它完美结合了SRAM的高速读写特性与闪存（Flash）的非易失性，能够在断电后永久保存数据，同时具备无限次擦写、无磨损的卓越耐用性。MRAM将磁性材料集成于硅电路中，在单一芯片上实现了高速、可靠与长寿命的统一，是存储技术的一次重大飞跃。
2025-10-24 15:48:44411 本篇将详细介绍如何利用Verilog HDL在FPGA上实现SRAM的读写测试。SRAM是一种非易失性存储器，具有高速读取和写入的特点。在FPGA中实现SRAM读写测试，包括设计SRAM接口模块
2025-10-22 17:21:384118 
一次性可编程（OTP）非易失性存储器问世已久。与其他非易失性存储技术相比，OTP的占用面积更小，且无需额外的制造工序，因此成为存储启动代码、加密密钥等内容的热门选择。尽管听起来简单，但随着人工智能（AI）的大规模部署和对更先进技术的需求日益增长，平衡OTP的各项需求变得极具挑战性。
2025-10-21 10:38:111440 
近日，兆易创新（GigaDevice）与南京南瑞继保电气有限公司（以下简称“南瑞继保”）达成战略合作伙伴关系。此举旨在充分聚合双方优势，将兆易创新在国产MCU、存储及模拟器件领域的产品技术经验，与南
2025-10-14 18:05:52718 CMOS bq3285E/L 是一款低功耗微处理器外设，提供时间时钟和 100 年日历，具有闹钟功能和电池供电功能。bq3285L 支持 3V 系统。bq3285E/L 的其他特性包括三个可屏蔽中断源、方波输出和 242 字节的通用非易失性存储。
2025-09-23 10:40:06698 
博维逻辑MC62W12816是一款2M低功耗SRAM，采用55ns高速访问设计，为VR设备提供高性能非易失性存储解决方案，显著提升图像处理与数据读写效率。
2025-09-22 09:55:00525 
在此前的文章《SRAM PUF：为每颗芯片注入“不可复制的物理指纹”，守护芯片安全》中，我们探讨了基于SRAM的物理不可克隆功能（PUF）的基本原理，并介绍了SRAM PUF作为一种安全可靠、经济
2025-09-05 10:46:161152 ISSI IS62WV51216BLL-55TLI是一款8Mb（512K×16）高速异步SRAM，采用55ns访问速度、2.5V~3.6V宽电压设计，支持-40℃~85℃工业级温度范围，适用于车载导航、工业控制及通信设备等高可靠性场景。
2025-09-04 10:00:00533 
功能，并展示如何利用它提升营销效果。通过本文，您将学会如何通过数据驱动的方法，让您的店铺会员营销更高效、更个性化。 一、什么是苏宁易购API？ API是应用程序接口的缩写，它允许不同软件系统之间进行数据交换和功能调用。苏宁易
2025-08-29 11:01:30577 
随着工业自动化技术的快速发展，伺服电机作为核心执行元件，其位置检测精度和可靠性直接影响系统性能。传统光电编码器存在易受污染、抗震性差等固有缺陷，而磁性编码器凭借非接触式测量、抗干扰能力强等优势，正
2025-08-16 14:15:311124 珠海创飞芯科技有限公司在非易失性存储技术领域再获突破——基于40nm标准工艺平台开发的eNT嵌入式eFlash IP已通过可靠性验证！这一成果进一步展现了创飞芯科技有限公司在先进工艺节点上的技术实力与工程化能力。
2025-08-14 11:52:592245 在芯片工艺不断演进的今天，材料的物理特性与器件层面的可靠性测试正变得前所未有的重要。近日，在泰克云上大讲堂关于《芯片的物理表征和可靠性测试》的直播中，大家就新型存储技术、先进材料电学表征等话题展开了热烈讨论。相变存储作为新一代非易失性存储的代表，其器件性能的测试与优化自然也成为了焦点之一。
2025-08-11 17:48:371171 
NAND闪存芯片是一种非易失性存储技术，广泛应用于现代电子设备中。以下是其核心功能、特点和应用场景的详细分析： 1. 核心功能 数据存储：以电信号形式长期保存数据，断电后数据不丢失。 快速读写：支持
2025-08-11 10:43:441645 ，是不是正在你的智能家居产品生产线上演？广州九芯电子的NV080COTP语音播放芯片，正是为解决这些痛点而来。这款看似小巧的8脚芯片，以"低功耗、高音质、易集成"三大核心优势，已成为
2025-08-01 15:25:07636 
近日，易普力股份有限公司与易控智驾科技股份有限公司在新疆国际煤炭工业博览会现场签订战略合作协议。
2025-07-21 09:28:16750 ——广州九芯电子的NV400F音频OTA芯片方案。NineChip语音芯片NineChip高效／稳定／创新NV400F音频OTA芯片对于初次使用无人自助咖啡机的顾客来
2025-07-09 13:47:06719 。NineChip语音芯片NineChip高效／稳定／创新NV340D语音芯片今天，我们要为大家介绍的是广州九芯电子科技研发推出的NV340D语音芯片，它如何为电子闹钟带来
2025-07-05 11:09:241135 。 半导体存储器按照断电后数据是否继续保存，可分为易失性(Volatile)存储和非易失性(Non-Volatile)存储。利基型DRAM属于易失性存储，NOR Flash、SLC NAND Flash属于非
2025-06-29 06:43:001768 
，代表不同数据状态（如SLC=1bit, MLC=2bits, TLC=3bits, QLC=4bits）。数据以“块”为单位擦除和写入。
特点：
优点：非易失性，容量大（单位成本低），抗震抗摔（无机
2025-06-24 09:09:39
纯分享帖，需要者可点击附件免费获取完整资料~~~*附件：同步电机失步浅析.pdf【免责声明】本文系网络转载，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请第一时间告知，删除内容！
2025-06-20 17:42:06
美甲工具消毒不彻底易引发感染，紫外线杀菌盒搭配NV080D语音芯片，智能播报消毒状态，既保障卫生安全又提升工作效率，让美甲服务更安心高效。
2025-06-20 14:44:48530 AEM制氢技术装备在夏季的核心优势可概括为：“高温高效、低耗稳定、安全易维护”，其技术特性与夏季的气候条件、能源供需特点高度契合，尤其适合搭配可再生能源或部署于高温高湿地区，是推动氢能“季节适配性”应用的关键技术之一。
2025-06-20 10:11:41473 
国内领先的一站式存储NVM IP供应商创飞芯在非易失性存储技术领域取得的一项重要成果 —— 基于130nm标准工艺平台开发，为客户定制开发的EEPROM IP，已顺利通过客户全流程的PVT测试
2025-06-12 17:42:071062 非序列光学系统，特别是那些非序列性来自组件内部多次内部反射的系统，具有一系列特定的挑战。将这样的系统分解成一个顺序等价的系统通常非常不方便，而且总是不切实际的。因此，拥有一个稳定的非序列建模策略
2025-06-12 08:49:47
物联网设备对存储芯片的需求聚焦于低功耗、小尺寸、高可靠性与传输效率，Cascadeteq 的 CSS6404L 64Mb Quad-SPI Pseudo-SRAM 凭借差异化技术特性，在同类产品中展现显著优势。以下从核心特性及竞品对比两方面解析其应用价值。
2025-06-06 15:31:08505 CS56404L 64Mb Quad-SPI Pseudo-SRAM 产品特点及核心优势：核心特点接口与模式支持 SPI（单线） 和 QPI（四线） 模式，默认上电为 SPI 模式，可通过指令切换至
2025-06-06 15:01:36
在高性能计算、边缘物联网、人工智能和云计算等应用领域，要确保先进SoC设计的安全性与正确配置，一次性可编程（OTP）非易失性内存（NVM）至关重要。随着这些技术朝着先进FinFET节点发展，OTP
2025-06-03 10:41:501780 
14FLASHFLASH的工作原理与应用OWEIS1什么是FLASH?Flash闪存是一种非易失性半导体存储器，它结合了ROM（只读存储器）和RAM（随机访问存储器）的优点，具有电子可擦除和可编程
2025-05-27 13:10:411722 
DS4520是9位非易失(NV) I/O扩展器，具有通过I²C兼容的串行接口控制的64字节NV用户存贮器。与用来控制数字逻辑节点的硬件跳线和机械开关相比，DS4520为用户提供了数字可编程的替代方案
2025-05-26 15:41:31457 
DS4510是CPU监控电路，具有内部集成的64字节EEPROM存储器和四个可编程的非易失性(NV) I/O引脚。它配备了工业标准I²C接口，使用快速模式(400kbps)或标准模式(100kbps
2025-05-26 10:13:41748 
DS4550是9位，非易失(NV) I/O扩展器，具有I²C兼容串行接口或IEEE® 1149.1 JTAG端口控制的64字节NV用户存储器。DS4550采用数字编程替代硬件跳线和机械开关，实现对数
2025-05-26 09:50:50683 
深圳市易飞扬通信技术有限公司将携多款创新非相干与相干DWDM解决方案，亮相新加坡CommunicAsia 2025展会（5月27-29日，展位号3E2-5），展现高速、低功耗、低成本及长距离光传输领域的最新突破。
2025-05-23 17:43:04630 
方法。其通过锁相放大相机可以同步各个像素采集特定频率荧光信号。实验表明，该方法可实时解析NV色心荧光强度在一定磁场强度下的周期性响应，进而测量实验所施加的磁场强度。
2025-05-19 12:04:001398 
NV—G30、G33录像机磁鼓不转故障的检修 2
2025-05-17 15:37:29
0 NV—G30、G33录像机磁鼓不转故障的检修
2025-05-17 15:34:452 DS1856双路、温控、非易失(NV)可变电阻具有3路监测器，内置2个256级、线性可变电阻；3路模拟监测器输入(MON1、MON2、MON3)和直接数字化传感器。这款器件可理想用于偏置电压、电流
2025-05-12 11:44:02660 
DS3911是一款4通道、10位Σ-Δ输出、非易失(NV)控制器，内置温度传感器和相应的模/数转换器(ADC)。集成温度传感器提供分辨率为2°C的NV查找表(LUT)索引，温度范围为-40°C至
2025-05-12 09:41:29713 
DS1856M双路、温控、非易失(NV)可变电阻具有3路监测器，内置2个256抽头、线性可变电阻；3路模拟监测器输入(MON1、MON2、MON3)和直接转换成数字信号的温度传感器。这款器件理想
2025-05-09 17:21:02781 
和稳定性。 材质特性： 高纯度无氧铜：电阻率低(约0.0172 Ω·mm²/m)，导电性能优异，信号衰减小，支持高频传输(250MHz带宽)。 抗氧化性强：裸铜导体在空气中易氧化，但六类网线通常采用镀锡或镀镍工艺，增强抗腐蚀性，延长使用寿命。 应用优势：适用于千兆以太网
2025-05-06 10:24:461129 今日，兆易创新宣布推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash，该系列以其突破性的读取速度和创新的坏块管理（BBM）功能，可有效解决传统SPI NAND Flash响应速度慢、易受坏块
2025-04-16 13:50:011168 芯片烧录领导者昂科技术近期宣布了其烧录软件的最新迭代，并公布了一系列新增兼容芯片型号。在此次更新中，恒烁半导体（Zbit）推出的非易失性闪存ZB25VQ16CS已被昂科烧录程序芯片烧录设备
2025-04-09 15:22:11735 
一、什么是飞易云平台 飞易云平台是一个基于物联网技术的云平台,经过软硬件结合，用户可以通过平台进行设备定位管理、数据传输，商品广告展示等可视化操作。它的优势为平台操作简单，能够提高效率，节约
2025-03-28 15:28:37684 
我在定制硬件中使用S32K312 IC （单核）。我已使用 RTD SDK 创建了该项目。
我看到有以下 RAM（大分区）可供我们使用（根据生成的链接器文件）：
int_dtcm
int_sram
2025-03-27 07:16:12
，又可再对它写入，为可读/写存储器， 或随机访问存储器。⚫ 易失性
p 若存储器在断电之后，仍能保存其中的内容，则称为非易失性存储器；否则，为易失性存储器；
p 只读存储器（ROM）是非易失性的，随机
2025-03-26 11:12:24
NAND闪存是一种非易失性存储技术，广泛用于固态硬盘、USB闪存盘和手机存储中，具有高速读写和耐用性强的特点。
2025-03-12 10:21:145317 
无感直流BLDC，大占空比情况下失步问题
2025-03-11 08:00:38
特性低成本、低功耗的复杂可编程逻辑器件（CPLD）即时启动，非易失性架构待机电流低至 2 毫安提供快速的传播延迟和时钟到输出时间提供四个全局时钟，每个逻辑阵列块（LAB）有两个时钟可用高达 8 千
2025-03-07 15:19:03
全球嵌入式非易失性内存（eNVM）解决方案的领导厂商力旺电子，与旗下专注于PUF（物理不可克隆功能）安全IP的子公司熵码科技，今日正式推出全球首款结合PUF技术的后量子加密（PQC）解决方案。此
2025-03-05 11:43:101003 MXD1210非易失性RAM控制器是一款超低功耗CMOS电路，可将标准（易失性）CMOS RAM转换为非易失性存储器。它还会持续监控电源，以在RAM的电源处于边际（超出容限）条件时提供RAM写保护。当电源开始出现故障时，RAM受到写保护，并且器件切换到电池备用模式。
2025-02-28 10:48:16917 
带幻象时钟的DS1243Y 64K NV SRAM是一款内置实时时钟、完全静态的非易失性RAM（结构为8192个字x 8位）。DS1243Y具有独立的锂能源和控制电路，可持续监控VCC是否发生超出容
2025-02-28 10:31:43994 
DS9034PCX PowerCap作为非易失性计时RAM的锂电源，采用Dallas Semiconductor的直接表面贴装PowerCap模块(PCM)封装。PowerCap模块板焊接到位并清洁
2025-02-28 10:07:12805 
带锂电池监控器的DS1321灵活非易失性控制器是一款CMOS电路，解决了将CMOS SRAM转换为非易失性存储器的应用问题。监控输入功率是否发生超出容差的情况。当检测到这种情况时，芯片使能输出会被
2025-02-28 10:00:43985 
带电池监控器的DS1314非易失性控制器是一个CMOS电路，解决了将CMOS RAM转换为非易失性存储器的应用问题。监控输入功率是否发生超出容差的情况。当检测到这种情况时，芯片使能会被禁止以实现
2025-02-28 09:53:17806 
带电池监控器的DS1312非易失性控制器是一个CMOS电路，解决了将CMOS RAM转换为非易失性存储器的应用问题。监控输入功率是否发生超出容差的情况。当检测到这种情况时，芯片使能会被禁止以实现
2025-02-28 09:48:45743 
DS1746是一款全功能、符合2000年标准(Y2KC)的实时时钟/日历(RTC)和128k x 8非易失性静态RAM。用户对DS1746内所有寄存器的访问都通过字节宽接口实现，如图1所示。RTC
2025-02-27 17:20:04913 
DS1557是一款全功能、符合-2000年标准(Y2KC)的实时时钟/日历(RTC)，具有RTC警报、看门狗定时器、上电复位、电池监控器和512k x 8非易失性静态RAM。用户对DS1557内所有
2025-02-27 17:11:32932 
DS1554是一款全功能、符合2000年标准(Y2KC)的实时时钟/日历(RTC)，具有RTC警报、看门狗定时器、上电复位、电池监控器和32k x 8非易失性静态RAM。用户对DS1554内所有
2025-02-27 16:54:351041 
DS1747是功能完备、2000年兼容(Y2KC)的实时时钟/日历(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用户可通过如图1所示的单字节宽度的接口对DS1747内部的所有寄存器进行访问。RTC
2025-02-27 15:51:09872 
具有隐含时钟的DS1251 4096k NV SRAM为全静态非易失RAM (按照8位、512k字排列)，内置实时时钟。DS1251Y自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视V~CC~是否超出容差范围，一旦超出容差，锂电池便自动切换至供电状态，写保护将无条件使能、以防存储器和实时时钟数据被破坏。
2025-02-27 15:44:58890 
具有隐含时钟的DS1248 1024k NV SRAM为全静态非易失RAM (按照8位、128k字排列)，内置实时时钟。DS1248自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视V~CC~是否超出容差范围，一旦超出容差，锂电池便自动切换至供电状态，写保护将无条件使能、以防存储器和实时时钟数据被破坏。
2025-02-27 15:38:41747 
DS1558为完备的、2000年兼容(Y2KC)的、实时时钟/日历(RTC)，具有RTC报警、看门狗定时器、上电复位、电池监控以及NV SRAM控制器。用户访问DS1558中所有寄存器都通过
2025-02-27 11:03:481005 
具有隐含时钟的DS1244 256k、NV SRAM为全静态非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，内置实时时钟。DS1244自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视V~CC
2025-02-27 10:10:50931 
DS1744是功能完备、2000年兼容(Y2KC)的实时时钟/日历(RTC)和32k x 8 NV SRAM。用户可通过如完整数据资料中的图1所示的单字节宽度的接口对DS1744内部的所有寄存器进行
2025-02-27 09:31:07996 
DS1265 8M非易失SRAM为8,388,608位、全静态非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视V~CC~是否超出容差范围
2025-02-27 09:19:54819 
DS1249 2048k非易失(NV) SRAM为2,097,152位、全静态非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视V~CC~是否
2025-02-27 09:09:09949 
DS1501/DS1511为完备的、2000年兼容的、实时时钟/日历(RTC)，具有RTC报警、看门狗定时器、上电复位、电池监控、256字节非易失(NV) SRAM以及一个32.768kHz的频率
2025-02-26 16:38:17905 
DS1501/DS1511为完备的、2000年兼容的、实时时钟/日历(RTC)，具有RTC报警、看门狗定时器、上电复位、电池监控、256字节非易失(NV) SRAM以及一个32.768kHz的频率
2025-02-26 16:23:11836 
可达90 MB/s•STR和DTR支持的协议——扩展I/O协议——双I/O协议——四I/O协议•就地执行（XIP）•程序/擦除暂停操作•易失性和非易失性配置设置•软
2025-02-19 16:15:14
M95320-DRMN3TP/K是一款高性能的串行EEPROM，采用SPI接口，具有32Kbit的存储容量。该器件专为需要非易失性存储的应用设计，能够在断电后保持数据
2025-02-18 21:57:03
医用教学人体模型用NV128H语音芯片增强互动性，支持中英文播放，可自定义词条，提升培训效果。NV128H性能卓越，功能丰富，是医学教学模型中的关键组件。
2025-02-15 15:16:181166 
近日，SaaS领域传来重要消息，销售易宣布与腾讯的战略合作再次升级。此次升级将围绕产品、技术、生态等多个维度展开，旨在共同开拓SaaS赛道的新增长路径和机遇。 为了更有效地整合和发挥双方的优势资源
2025-02-14 14:09:04722 在现代化的交通管理体系中，非侵入式路面状况传感器正以其非接触式检测原理，成为道路安全监测领域的新宠。非侵入式路面状况传感器依托遥感技术，能够在不直接接触路面的情况下，远距离获取道路信息，不仅避免了传统检测方式对道路的破坏，还提高了监测的效率和准确性。
2025-02-10 11:51:12571 在此次更新中，恒烁半导体（Zbit）推出的非易失性闪存ZB25VQ32DS已被昂科的程序烧录专业芯片烧录设备AP8000所支持。昂科技术自主研发的AP8000万用烧录器，支持包括一拖一及一拖八配置
2025-01-17 09:30:20872 
有人用过数字电位器TPL0501-100么？器件比较中说它采用的是易失性存储介质，但是datasheet中关于这点只字未提，不知道上电后，它的抽头到一端的电阻是多少？
2025-01-14 08:37:07
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