概述
DS1744是功能完备、2000年兼容(Y2KC)的实时时钟/日历(RTC)和32k x 8 NV SRAM。用户可通过如完整数据资料中的图1所示的单字节宽度的接口对DS1744内部的所有寄存器进行访问。RTC信息和控制位占用RAM中最高的8个地址。RTC寄存器包含世纪、年、月、日、星期、小时、分和秒数据,采用24小时BCD格式。器件可自动对每个月份及闰年进行日期校正。RTC时钟寄存器采用双缓冲,可避免在时钟更新周期内访问不正确的数据。双缓冲系统还可以防止访问时间寄存器时导致倒数计时无法减少而引起的时间丢失。DS1744还包含电源失效电路,用于当VCC电源超出容差时,禁止选通器件。由于低VCC引起不可预测的系统操作,该特性可以避免这种情况下的数据丢失,从而避免错误的访问和更新。
数据表:*附件:DS1744系列Y2K兼容、非易失时钟RAM技术手册.pdf
特性
- 集成的NV SRAM、实时时钟、晶体、电源失效控制电路和锂电池
- 访问时钟寄存器方式与静态RAM完全相同,这些寄存器位于RAM中最高的8个地址
- 世纪字节寄存器;Y2K兼容
- 完全的非易失性,可在缺少电源的条件下工作10年以上
- BCD编码的世纪、年、月、日、星期、小时、分和秒数据,可自动进行闰年补偿至2100年
- 电池电压指示标志
- 电源失效写保护,允许±10%的V
CC电源容差 - 锂电池处于开路的保鲜模式,直至首次电源加电
- 仅对于DIP模块
- 标准的JEDEC字节宽度32k x 8静态RAM引脚排列
- 仅对于PowerCap模板
- 可表贴的封装直接与包含电池和晶体的PowerCap连接
- 可替换的电池(PowerCap)
- 上电复位输出
- 引脚兼容于其他密度的DS174xP时间保持RAM
- 提供工业级温度范围:-40°C至+85°C
引脚配置

框图
时钟操作—读取时钟
虽然双缓冲寄存器结构降低了读取错误数据的可能性,但在读取时钟数据之前,应停止对DS1744时钟寄存器的内部更新,以防止读取传输中的数据。然而,暂停内部时钟寄存器更新过程不会影响时钟精度。向世纪寄存器的读取位(位6)写入1时,更新停止(表2)。只要a1保持在那个位置,更新就停止。发出暂停命令后,寄存器会反映计数,即发出暂停命令时的当前日期和时间。然而,双缓冲系统的内部时钟寄存器会持续更新,因此时钟精度不会受到数据访问的影响。内部时钟寄存器更新过程重新使能后,所有DS1744寄存器同时更新。读取位写入0后一秒内更新。READ位必须为0至少500us,以确保外部寄存器得到更新。

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