东芝半导体N沟道30V MOSFET器件SSM6K809R介绍

随着科技的不断革新发展，MOSFET产品也经过技术的迭代升级有了更加优越的表现。但如何提升器件性能的同时进一步降低器件的自身损耗依旧是亟待解决的问题。为此东芝半导体拓展了MOSFET产品线，推出了适用于头灯控制开关等车载小型设备的N沟道30V MOSFET器件——SSM6K809R，该器件通过东芝新型工艺技术设计把设备功耗深度压缩。

一、电气属性综述

SSM6K809R采用东芝半导体独有的新工艺技术(U-MOSⅧ-H)设计，具有行业先进的低导通电阻。并且通过扁平引脚封装的设计，提升了器件安装能力，降低了热阻。该产品采用的小型TSOP6F封装，减少了所占板载空间。额定功率损耗为1.5W，不会造成能源浪费。此外，SSM6K809R符合AEC-Q101车规级标准，通道温度最高可达175℃，满足车载环境要求。

二、动态特性分析

SSM6K809R的漏极电流最高可达6A，最大支持1KHz的PWM脉冲信号，对于车载灯的控制恰到好处。

得益于产品强大的负载能力，在设计中可以将其配合额外的多组输入信号源做矩阵式LED控制电路，从而达到独立控制多个LED的照明目的。具体可前往东芝官网，参考东芝矩阵式LED前照灯设计。

三、应用场景部署

随着节能减排的大力发展，新能源车的产业得到了蓬勃发展，提高电池容纳能力和降低车载器件设备功耗开销是有效节能的一个重要措施。SSM6K809R适合用于车载应用，如前大灯、转向灯、日间行车灯、USB充电器等，以低导通电阻降低功耗持续节能。

科技引领生活，东芝半导体坚持科技创新用更安全、更出色、更智能的电子产品服务市场大众。作为全球知名的半导体企业，东芝拥有先进的实验设备和专业的研发团队，持续耕耘创新电子元器件的性能特性，致力打造一个可持续的未来迎接美好生活。

审核编辑：汤梓红