SiC器件的工作原理与主要优势！
在追求能源效率和对高性能电力电子系统的需求不断增长的今天，碳化硅（SiC）功率器件凭借其卓越的电气性能和热稳定性，正在变革传统功率电子技术。
- 专栏国晶微第三代半导体碳化硅SiC
- 8小时前
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颇有前景的半导体替代材料：SiC和GaN适用范围及优缺点介绍
自1954年以来，硅一直是先进技术发展的重要基石。人们普遍认为，硅作为电子元件基础结构核心材料的地位不可动摇。
- 专栏新思科技
- 1天前
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纳芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列产品
纳芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列产品，该产品RDSon为60mΩ，具有通孔式TO-247-4L与表面贴装TO-263-7L两种封装形式，可提供车规与工规两种等级。
- 专栏纳芯微电子
- 1天前
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碳化硅（SiC）功率器件探讨：未来的能源解决方案
随着全球对更高效、更可持续能源解决方案的需求不断增加，碳化硅（SiC）功率器件因其卓越的物理和电气特性而成为电力电子领域的一个重要进展。
- 专栏国晶微第三代半导体碳化硅SiC
- 3天前
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合科泰生产的高压MOS产品有哪些？
MOS管根据其耐压值可分为中低压MOS和高压MOS管，高压MOS也是基于场效应管的原理工作，通过控制栅极电压来调节源极和漏极之间的电流。与普通MOS管相比，高压MOS管能承受更高的电压和电流。
- 专栏合科泰半导体
- 6天前
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合科泰半导体推出一款N沟道MOS管HKTQ80N03
MOS管有N沟道MOS和 P沟道MOS等，N沟道MOS是在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底上，制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作漏极D和源极S。
- 专栏合科泰半导体
- 6天前
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基本半导体推出一款1200V 240A大功率碳化硅MOSFET半桥模块
BMF240R12E2G3是基本半导体为更好满足工业客户对高效和高功率密度需求而开发的一款1200V 240A大功率碳化硅MOSFET半桥模块，
- 专栏基本半导体
- 7天前
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如何使用两个单向电流检测放大器？怎样使用最高效？
越来越多的应用需要快速准确地进行电流监控，包括自动驾驶汽车、工厂自动化和机器人技术、通信、服务器电源管理、D 类音频放大器和医疗系统。
- 专栏得捷电子DigiKey
- 7天前
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镓未来TOLL&TOLT封装氮化镓功率器件助力超高效率钛金能效技术平台
珠海镓未来科技有限公司是行业领先的高压氮化镓功率器件高新技术企业，致力于第三代半导体硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 研发与产业化。
- 专栏SEMIEXPO半导体
- 8天前
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光电三极管的特性及结构示意图
光电三极管是一种半导体器件，能够感应光水平并根据其接收的光水平来改变在发射极和集电极之间流动的电流。顾名思义，光电三极管是一种晶体管，可以感应光并改变晶体管端子之间的电流。
- 专栏要长高
- 8天前
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关于光电三极管的简单介绍
光电三极管有塑封、金属封装、陶瓷、树脂等多种封装结构，引脚分为两脚型和三脚型。一般两个管脚的光电三极管，管脚分别为集电极和发射极，光窗口则为基极。
- 专栏星星科技指导员
- 8天前
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RX23E-A 24bit ΔΣADC基础篇(2)用于传感器测量的Δ∑ADC的特性
世界上有各种各样的传感器，除了ΔΣADC之外，还需要各种电路来测量这些传感器。当处理微小信号时，您可能需要在执行AD转换之前放大信号。
- 专栏瑞萨MCU小百科
- 8天前
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PIN二极管的结构图和工作原理分析
PIN二极管的结构由P型半导体、Intrinsic半导体和N型半导体三层组成。Intrinsic半导体层是一层轻掺杂的半导体，因此可忽略自由载流子。
- 专栏星星科技指导员
- 9天前
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知识科普：一文看懂有源晶振和无源晶振的区别
有源晶振因其优异的特性，广泛应用于卫星通信、航空航天、精密计测仪器等高科技行业。例如，手机导航模块一般采用有源晶振，因为GPS模块每时每刻与卫星交互产能大量热量，而温补晶振可确保高温环境下输出频率的稳定性。
- 企业扬兴科技
- 9天前
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IGBT/三极管/MOS管这三种元器件之间有什么区别？
三极管的结构是给一块纯硅进行三层掺杂，其中较窄区域高浓度N型掺杂，含有大量自由电子，中间极窄区域普通浓度P型掺杂，含有少数空穴，上边较宽区域普通浓度N型掺杂，含有正常数量的电子，中间会形成两道耗尽层给CE通电。
- 专栏芯长征科技
- 9天前
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工商网监
