原康盈半导体:嵌入式存储进阶,加速AI落地智能穿戴
电子发烧友网报道(文/黄晶晶)近日,TechInsights可穿戴设备研究服务指出,预计2024年,全球智能手表的销量将达到9100万台,同比增长5%;2025年增长率将进一步上升至近8%,到2026年将保持在7%以上,然后在预测期结束时放缓。2023-2029年的全球智能手表市场复合年增长率为5%。 可穿戴设备是少有的保持良好增长的消费电子市场。当前,AI不仅拉动PC、智能手机市场的成长,也必将席卷可穿戴设备。在最近举办的2024CITE电子展上,康盈半导体副总经理齐开泰
- 专栏花茶晶晶
- 1天前
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存储技术革新之战 闪存与内存巨头竞相突破
三星在DRAM芯片工艺方面也取得了令人瞩目的突破。他们的DRAM芯片工艺已达到1b nm级别,并计划在今年内启动1c nm DRAM的量产工作。
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- 3天前
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消息称三星Q2供应超微HBM3E 下半年启动大规模量产
HBM,即高带宽内存,以其独特的“楼房设计”概念,打破了传统DDR内存的设计局限,凭借出色的性能在市场中赢得了广泛认可。
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- 4天前
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三星电子即将开启290层V9 NAND芯片量产
市场研究机构Omdia的最新预测显示,尽管NAND闪存市场在2023年经历了下滑,但预计今年将迎来强劲反弹,增长率高达38.1%。
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- 7天前
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原三星/SK海力士DRAM大幅扩产,恢复至削减前水平,存储新周期开启
电子发烧友网报道(文/吴子鹏)根据市场调研机构Omdia的研究报告,随着全球需求复苏,韩国内存芯片制造商三星电子和SK海力士今年第二季度加大DRAM晶圆投入,有效结束减产。 Omdia在报告中指出,三星电子已将今年第二季度的平均每月DRAM晶圆投入量调升至60万片,环比增长13%;预计下半年将DRAM晶圆投入量增加至66万片,DRAM产量恢复到削减前的水平。SK海力士将把每月平均DRAM晶圆投入量从第一季度的39万片增加到第二季度的41万片;下半年预计该公司
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- 8天前
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西部数据硬盘全线提价,AI需求激增与供应链紧张成涨价双引擎
西部数据高级副总裁Scott Davis在函件中明确指出,由于市场对HDD机械硬盘和SSD固态硬盘的需求远超预期,导致产品供应出现严重短缺。
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- 8天前
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三星与SK海力士加速移动内存堆叠技术量产
随着人工智能在智能手机、笔记本等移动设备上的广泛应用,端侧AI已经成为行业热议的焦点。为了支持端侧运行模型的高效运行,移动DRAM的性能要求也在不断提升。
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- 9天前
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存储市场再遇供应短缺困境,SSD价格强势上涨引关注
在消费级SSD市场,价格也呈现上涨趋势,批发价较前一季度上涨了约10%至12%。尽管面对涨价要求,大多数买家表示接受,但也有人对此提出了警告。
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- 10天前
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关于同步FIFO和异步FIFO的基础知识总结
FIFO是一种先进先出数据缓存器,它与普通存储器的区别是没有外部读写地址线,使用起来非常简单,缺点是只能顺序读写,而不能随机读写。
- 专栏FPGA设计论坛
- 10天前
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如何打造超越英伟达性能的GPU
PHY 是一种物理网络传输设备,它将交换芯片、网络接口或计算引擎上或内部的任何数量的其他类型的接口链接到物理介质(铜线、光纤、无线电信号),而物理介质又连接它们相互之间或网络上。
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- 11天前
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原存储芯片大反弹,三星一季度利润暴涨近10倍
电子发烧友网报道(文/黄山明)近日,三星电子公布了其2024年第一季度的财报预估数据,显示利润有大幅增长,涨幅近10倍。巨大涨幅的原因主要在于半导体价格,尤其是存储芯片价格的大反弹,这让三星一举扭转了过去的颓势,结束了从2022年第三季度以来开始的下滑趋势。 另一方面,受益于智能手机及人工智能的发展,导致数据中心服务器需求大增,包括商用存储的紧缺,都让三星业绩得以大幅增长。 三星Q1 利润暴增近10 倍 从三星此次公
- 专栏Simon观察
- 12天前
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原英韧科技:无AI不存储,国产PCIe 5.0主控率先发力
电子发烧友网报道(文/黄晶晶)在最近举行的2024中国闪存市场峰会期间,英韧科技重磅发布消费级PCIe 5.0主控方案YRS820,这是其第九款量产主控。而在去年底,英韧宣布量产企业级PCIe 5.0主控。可以说,英韧在PCIe 5.0领域已经具有明显的先发优势。英韧科技销售副总裁韩炳冬在接受媒体采访时,分享了对于AI时代存储主控厂商如何抓住机遇的洞察。 消费级PCIe 5.0主控YRS820 YRS820基于RISC-V(开源指令架构),支持4通道PCIe 5.0标准的接口,配备了8个NAND闪存
- 专栏花茶晶晶
- 12天前
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原押注HBM3E和PCle5.0 SSD, 四家存储芯片大厂旗舰新品汇总
电子发烧友原创 章鹰 4月1日,韩国股市开盘后,存储大厂SK海力士一度涨幅超过4%,市值已超过 1,000 亿美元,受益于投资者持续买入AI相关股票,由于市场对于SK海力士高带宽内存(HBM)的需求激增,SK海力士的股价在过去一年暴增一倍以上。 无独有偶,3月28日,在加州圣荷西举行的全球芯片制造商聚会 Memcon 2024 上,三星公司执行副总裁兼 DRAM 产品和技术主管 Hwang Sang-joong 表示,三星公司将增加 HBM 芯片产量,今年产量是去年的 2.9 倍。据悉三星电子
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- 14天前
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原铠侠:PCIe Gen5 SSD袭卷2024年,闪存技术创新,加速生成式AI落地
电子发烧友网报道(文/黄晶晶)生成式AI是最近行业最火的话题,作为存储芯片国际大厂的铠侠,对于闪存在生成式AI时代的技术和应用有着前瞻的理解和举措。与此同时,铠侠也一直引领着PCIe Gen5 SSD的落地发展。在2024中国闪存市场峰会期间,铠侠高管们发表演讲并接受媒体采访,分享了诸多对闪存技术和市场的洞见。 2024 是PCIe Gen5 SSD 重要的一年 铠侠于2022年开始推出E3.S的CD7 SSD,2023年推出E.3和U.2的CM7 SSD,2024年开始进行CD8P系列SSD的送样,持续加
- 专栏花茶晶晶
- 17天前
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一文看懂从DDR1到DDR5的主要区别和特点
DDR内存技术自问世以来,已经经历了多代的迭代和优化。每一代DDR内存都在性能、容量、功耗和功能上有所提升。
- 专栏全栈芯片工程师
- 19天前
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