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电子发烧友网>存储技术>三星东芝转向先进制程 2019年NAND Flash产业大洗牌

三星东芝转向先进制程 2019年NAND Flash产业大洗牌

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2019-04-03 17:21:043414

三星或从20196月份开始量产7纳米EUV制程

,现在有韩国媒体报导,三星将从 2019 的 6 月份开始,量产 7 纳米 EUV 制程,首项产品就是自家的 Exynos 9825 处理器,并且用于 2019 年下半年的预计推出的旗舰型 Galaxy Note 10 系列智能型手机。
2019-04-12 16:48:423887

三星出手,NAND Flash价格本季止稳

三星上季大砍NAND Flash和DRAM报价后,NAND Flash价格接近亏损边缘,决定本季起不再降价。
2019-05-08 08:47:554026

三星预计在2021推出3纳米制程产品 未来将与台积电及英特尔进行抗衡

先进制程的发展上,台积电与三星一直有着激烈的竞争。虽然,台积电已经宣布将在 2020 正式量产 5 纳米制程。不过,三星也不甘示弱,预计透过新技术的研发,在 2021 推出 3 纳米制程的产品
2019-05-15 16:38:323917

NVIDIA或将重新拥抱三星 新图形芯片Ampere将采用三星7nmEUV制程

6月4日消息,据Digitimes报道,台积电持续保持先进制程技术领先优势,7nm制程包揽了大厂订单,三星决定跳过7nm制程,直接上7nm LPP EVU制程
2019-06-05 16:40:263285

2019三星晶圆代工论坛将如期于9月4日在东京举行 将展示自家先进制程技术

尽管日韩贸易冲突持续延烧,但三星电子原定9月在日本东京的晶圆代工论坛依然将如期举行。届时三星将展示自家先进制程技术,并提供用于生产3纳米以下芯片、名为“环绕闸极”(GAA)技术的制程套件。三星称在GAA技术领先全球晶圆代工龙头台积电一,更超前英特尔(Intel)两到三年
2019-07-30 16:22:242840

日本召开的VLSI 2019峰会上公开在先进制程工艺方面的进度

上个月在日本召开的VLSI 2019峰会上,台积电(下称TSMC)举办了一次小型的媒体会,会上他们公开了目前他们在先进制程工艺方面的进度。这篇文章就带大家来梳理一下目前TSMC的先进工艺进度,对于未来两到三年半导体代工业界的发展有个前瞻。
2019-07-31 16:53:165003

三星称在GAA技术领先台积电一 更超前英特尔两到三年

尽管日韩贸易冲突持续延烧,三星电子原定9月在日本东京的晶圆代工论坛将如期举行。三星届时预料将展示自家先进制程技术,并提供用于生产3纳米以下芯片,名为「环绕闸极」(GAA)技术的制程套件。三星据称在GAA技术领先全球晶圆代工龙头台积电一,更超前英特尔(Intel)两到三年
2019-08-02 15:40:503722

东芝三星的以太网固态硬盘

在实现上,虽然三星东芝都在做以太网固态硬盘,但是三星用的是key:value的方式,而东芝则不这么干,用的还是传统的存储方式。
2019-08-18 10:28:381781

三星表示智能技术将是三星未来50的发展动力

三星电子于4日举办2019三星AI论坛,三星电子代表理事金基南受访时表示,在三星迎来50周时,人工智能(AI)将是引领三星未来50的成长动力。
2019-11-04 16:05:573480

季度全球NAND Flash营收三星排名第一

今天,集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)发布了第季度的全球NAND Flash品牌厂商最新营收排名出炉,三星排名第一,铠侠第二。
2019-11-25 15:05:492954

三星跳过4nm制程转向3nm制程量产,要真正反超台积电存在诸多挑战

在芯片先进制程的赛场上,放眼全球,仅剩台积电、英特尔、三星。目前,台积电和三星在7nm以下的竞争备受关注。根据报道,三星将直接跳过4nm先进制程转向3nm制程的量产,此举有可能使三星领先于台积电
2020-07-06 15:31:542666

三星和台积电在5nm先进制程上将进行没有硝烟的战争

25日,三星和台积电在5nm先进制程上同时爆发新闻,没有硝烟的战场上从未停止战争。
2020-08-26 11:43:173555

晶圆代工龙头台积电宣布5纳米先进制程,三星也紧追在后

晶圆代工龙头台积电宣布5纳米先进制程,已于今年第二季进入量产时,另一头的三星也紧追在后。 根据TrendForce旗下拓墣产业研究院最新调研结果显示,预估今年第3季全球晶圆代工市场,台积电仍将
2020-11-01 11:58:043443

Nand Flash主要厂商及产品

根据2020二季度Nand Flash市场排名,三星占据31%,处于领先地位,紧跟其后的是铠侠,占比达17%。排名第、第四、第五、分别是西数、美光、SK海力士。以下是DRAMeXchange
2020-11-04 14:17:5917671

三星将投入7608亿实现3纳米制程2022量产

据彭博社报道,三星全力发展晶圆代工业务,规划投入1160亿美元(约合人民币7608亿元),目标实现3纳米制程2022量产,与台积电同步,是两强近年先进制程竞逐赛中,最接近的一次。业界认为,若三星
2020-11-26 14:44:262550

2021台积电、三星继续重金砸向先进制程

2020,受7纳米和5纳米先进制程拉动,晶圆代工厂商大幅增加资本开支;2021,晶圆代工龙头台积电、三星继续重金砸向先进制程
2021-01-24 10:28:562220

韩国三星电子投资高达 170 亿美元在美国建立 3nm 晶圆厂 扩大在先进制程竞争

近日,据《华尔街日报》报道,根据相关文件和知情人士透露,韩国三星电子正在考虑投资高达 170 亿美元在亚利桑那州、德萨斯州或纽约州建立一家芯片制造工厂。这意味着三星和台积电正进一步扩大在先进制程
2021-01-25 10:29:052091

从代工厂看先进制程

。 业界普遍将7nm及以下制程归为先进制程,目前,只有台积电和三星先进制程上有量产能力。面对先进制程,市场一方面在高调喊出补充28nm制程,一方面头部企业很诚实地给有7nm以下代工厂下单。市场也在用产能投票,主攻先进制程和主攻成熟制程的代工厂
2022-01-27 13:16:501336

三星将于2024量产超300层3D NAND芯片

 最近,三星集团援引业界有关负责人的话表示,计划到2024批量生产300段以上的第9代3d nand。预计将采用将nand存储器制作成两个独立的程序之后,将其一起组装的dual stack技术。三星将于2020从第7代176段3d nand开始首次使用双线程技术。
2023-08-18 11:09:052015

三星将在2024升级NAND设备供应链

三星业绩近期表现非常差,三星为了增强NAND闪存竞争力计划在2024升级其NAND核心设备供应链。
2023-08-30 16:10:02863

台积电、三星、英特尔先进制程竞争白热化

英特尔执行长PatGelsinger 透露,18A 已取得家客户代工订单,希望年底前争取到第四位客户,先进制程18A 计划于2024 年底开始生产,其中一位客户已先付款,外界预期可能是英伟达或高通。
2023-11-19 10:08:061915

芯片先进制程之争:2nm战况激烈,1.8/1.4nm苗头显露

随着GPU、CPU等高性能芯片不断对芯片制程提出了更高的要求,突破先进制程技术壁垒已是业界的共同目标。目前放眼全球,掌握先进制程技术的企业主要为台积电、三星、英特尔等大厂。
2024-01-04 16:20:161812

三星计划NAND闪存价格谈判 欲涨价15%—20%

三星计划NAND闪存价格谈判 欲涨价15%—20% 三星认为NAND Flash价格过低;在减产和获利优先政策的促使下三星计划与客户就NAND闪存价格重新谈判,目标价位是涨价15%—20%。
2024-03-14 15:35:22995

三星和铠侠持续加大对NAND Flash技术的投入与创新

AI技术的蓬勃发展正以前所未有的速度推动着存储器产业的飞跃,其中,海量数据的激增对存储容量与性能提出了更高要求,使得NAND Flash技术的重要性日益凸显。在此背景下,全球存储巨头如三星和铠侠,在深耕DRAM市场的同时,也持续加大对NAND Flash技术的投入与创新。
2024-07-05 15:39:371592

三星调整晶圆代工策略,聚焦NAND Flash与HBM

三星电子近期调整了其晶圆代工产能扩充计划,决定暂缓平泽P4工厂的进一步扩建,转而将重心放在NAND Flash与高频宽存储器(HBM)的生产上。这一战略调整反映了三星对当前市场需求的精准把握与未来技术趋势的深刻洞察。
2024-09-19 17:23:331652

三星芯片代工新掌门:先进与成熟制程并重

据韩媒报道,三星电子设备解决方案部新任foundry业务总裁兼总经理韩真晚(Han Jinman),在近期致员工的内部信中明确提出了三星代工部门的发展策略。 韩真晚强调,三星代工部门要实现先进制程
2024-12-10 13:40:351257

三星SF4X先进制程获IP生态关键助力

半导体互联IP企业Blue Cheetah于美国加州当地时间1月21日宣布,其新一代BlueLynx D2D裸晶对裸晶互联PHY物理层芯片在三星Foundry的SF4X先进制程上成功流片。 三星
2025-01-22 11:30:15964

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