三星和台积电在5nm先进制程上将进行没有硝烟的战争

25日，三星和台积电在5nm先进制程上同时爆发新闻，没有硝烟的战场上从未停止战争。

据 ZDNet Korea 报道，业界人士透露，三星预计将从 2020 年底开始，投入 5nm 制程应用处理器 （AP）、通讯调制解调器芯片 （Modem）的大量生产。

而台积电也在其当日的线上技术论坛上爆料，除了披露旗下最新工艺制程情况外，同时公布了其扩产及研发计划。业务开发资深副总经理张晓强表示，公司5nm制程再次领先全球，率先进入量产，并确定引入EUV技术，明年还将在目前N5工艺上，推出加强版N5P工艺。

消息人士表示，三星 5nm 订单主要有高通骁龙 875 处理器、骁龙 X60 调制解调器以及三星 Exynos 1000 等。该业界人士称，“先前业界传出三星 5nm 制程良率不佳，那只不过是市场散播出来的谣言而已。”

三星在今年第 2 季度财报电话会议中公开表示，5nm 制程已于 2020 年第 2 季度量产，预计 2020 年下半开始拓展客户并正式投入大量生产。

上个月 DigiTimes 称，三星的 5 nm EUV 光刻工艺正面临着良品率低的问题。而高通考虑到三星方面的局限已将其部分芯片紧急交由台积电进行补救。

一路走来，三星5nm量产计划屡屡受挫。相比于三星，台积电的5nm先进制程之路平坦很多。根据市调机构的最新资料，目前台积电晶圆代工市占率为53．7％，三星占比17．4％。

在25日台积电线上技术论坛上，据张晓强介绍，台积电已为其5nm、4nm、3nm制程初步定下量产时间表：

来源：科创板日报

其中，5nm制程将分为N5工艺以及加强版N5P工艺，N5工艺较同一时期量产的7nm N7工艺，速度提高15％，功耗降低30％，逻辑电晶体密度增1．8倍，良率也有所提高，N5P工艺则在N5工艺的基础上性能再次提升，预计明年量产。

5nm以下先进制程方面，4nm是建立在5nm平台上，把5nm效能与功耗进一步向前推进，4nm与5nm互相兼容，计划2021年第四季试产、2022年量产；3nm则将沿用FinFET制程，且为全新的节点技术，与5nm相比，速度增加10％至15％，功耗降25％至30％，逻辑电晶体密度增1．7倍，预计2022年下半年量产。

特殊制程方面，台积电还介绍了专为IoT、移动和边缘设备等低功耗设备而设计的N12e工艺，该工艺是台积电12 nm FinFET节点的增强版，拥有更低功耗、更高性能，支持超低漏电器件和低至0．4V的超低Vdd设计。

台积电的FinFEt太过强大，在最新的3nm制程上也将继续沿用FinFET工艺，不过，三星这边的3nm则选择了GAA工艺路线。主流厂商包括三星、台积电、英特尔和中芯国际等都对GAA技术表示兴趣，或者已经开始试产。有了GAA工艺，高端芯片的厮杀也将拉开序幕。

相较于第二大晶圆代工商三星5nm量产计划屡屡受挫、英特尔7nm芯片自产计划濒临流产，台积电的先进制程量产进度，可谓顺风顺水。