美日韩对决96层3D NAND 全球DRAM仍处于寡占状态

这些新技术的推进，打破原先的产业格局，每家厂商都想抢得先机，鸭子划水般的投资暗暗给全球半导体业带来重大的改变。不仅原本的存储器大厂虎视眈眈，***地区的晶圆代工大厂不会缺席，甚至大陆也想弯道超车。

至于谁会领先达阵？当DRAM因为技术极限而可能成为消费商品时，倚赖政府投资的大陆半导体大厂是否会后来居上，而在美国智财权的紧箍咒下，大陆如何成为多元应变的孙猴子呢？这些都是2019年观察产业的重点。

存储器与晶圆代工产业跨界经营

由于DRAM最新制程转换不易，服务器等需求依然畅旺，Mobile DRAM的装载量持续扩大，都给2018年DRAM的商机带来足够的支撑。3D NAND的多层化，既是进入障碍也是商机的来源，但非存储器的商机仍然占了半导体市场的65．5％。如果瞄准未来的市场，CMOS影像传感器（CIS）、行动AP与车联网等三大需求依旧是市场的保证。

更重要的是台积电、联电称雄晶圆代工业，自然会多元耕耘，不让他人染指。但三星电子（Samsung Electronics）与SK海力士（SK Hynix）都有分散业务过度集中于存储器的策略，大陆的IC设计业也开始超车，系统IC与晶圆代工的竞争依然波涛汹涌。

2017年全球存储器市场为1，303亿美元，比2016年的713亿美元暴增82．6％，估计2018年仍维持26．3％的成长率。在市场的驱动下，韩国两大存储器体业者的资本支出也持续扩大，直到2018年底才出现减缓的趋势。

另据SEMI资料，全球半导体材料市场将从2017年的247亿美元，增加到2018年的278亿美元，成长率12．7％。从2016年开始的半导体高峰期，延续到2018年底，半导体业者也顺势推舟，在资本支出上更进一步的提高。

对照存储器业者2016年的资本支出为243亿美元，2017年达到401亿美元，2018年预估为440亿美元，也可以理解全球的半导体产业正在投资的高峰期。但美中贸易纷争是破坏市场稳定发展的重大变量，2018年底三星的人事布局、扩张策略趋于保守，显示主力大厂对于2019年的投资采谨慎态度。

全球DRAM仍处于寡占状态

全球DRAM市场95％以上掌握在前三大厂手中，***华邦、旺宏等厂商，仅能在善用产能与提高获利的前提下经营。由于竞争相对缓和，主力大厂在2017年的资本支出，竟然比2016年减少3．8％。因服务器需求高于预期，新制程转换的过程难度也高于预期，而每台设备所搭载的DRAM也相应提高，因此2018年的企业投资仍高于往年。

2018年起，三星量产1ynm（10nm中段级技术），由于难度比1xnm（10nm级后段技术）高出不少，因此在制程转换上比原先预计的要长。SK海力士也将从2017年下半开始前进1xnm的制程，2018年下半期起比重便显著增加，也进入了1ynm等级的工程技术。

在这种背景下，三星曾明确的表达扩大投资的计画构想，而SK海力士原先计划在2019年启动的增产计画，也提前到2018年下半。

在手机市场上，Mobile DRAM受限于手机市场饱和之苦，但即将来临的5G商机、手机游戏、AR／VR、4K影像、智慧城市等领域都将带来庞大的机会。手机搭载DRAM平均容量从3GB起跳，2019年甚至上看10GB；2018年出货的iPhone Xs已使用每层4GB的双层DRAM架构。

美日韩对决96层3D NAND

相较于DRAM的积极投资，韩国双雄在NAND的投资反而保守。关键在于DRAM的需求比NAND紧俏。但因NAND并非寡占状态，三星必须积极投资，而SK海力士也必须力争上游。所以各厂的投资都很积极，并往3D多层化的方向进展。

NAND同样必须以良率在市场上竞争，加以十分耗电，因此小面积、大容量便成为竞争关键。2D的NAND在10xnm阶段便遭遇技术压力，因此三星、东芝（Toshiba）都向3D发展。相较于2017年，三星2018年的资本支出会少一点点，但比起往年仍是大幅成长，而SK海力士、美光（Micron）则是积极回应市场的需求。

目前三星以64层NAND为主力，2018年下半推进到96层，2019年初便会进展到128层。另外，英特尔（Intel）与美光也在2018年上半进入96层的技术规格，2018年中将3D的比重提高到85％以上。

为了让每单位的记忆容量提高，美日韩存储器大厂都卯尽全力，在96层的堆叠技术上寻求突破。三星指出，第五代的96层V NAND量产技术已经完全克服，而64层的产品在总产量中的比重也将持续提高，借以取得更好的竞争优势。