电子发烧友App

硬声App

扫码添加小助手

加入工程师交流群

0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

电子发烧友网>存储技术>武汉国家存储器基地3D NAND量产日期指日可待

武汉国家存储器基地3D NAND量产日期指日可待

收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉

评论

查看更多

相关推荐
热点推荐

长江存储64层3D NAND闪存量产

9月2日,长江存储正式对外宣布,其基于Xtacking®架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存(每颗裸芯片的存储容量为256千兆字位,每个存储单元为三个字位的三维闪存)正式量产,以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。
2019-09-02 14:31:151919

东芝WD联盟3D NAND采用三星技术进行量产

Kioxia(原东芝存储),西部数据(WD)联盟3D NAND闪存使用三星电子技术进行批量生产。 东芝开发的3D NAND技术 BiCS 很早之前,原东芝存储就在国际会议VLSI研讨会上首次分享了
2019-12-13 10:46:0712470

旺宏将于2020年开始出货3D NAND

台湾专用存储器解决方案制造商旺宏(Macronix)将于明年下半年开始批量生产3D NAND存储器。该公司将成为台湾第一家生产内部设计的3D NAND闪存制造商。 该公司董事长吴铭表示,旺宏将在
2019-12-14 09:51:295966

英特尔再绘新版图,3D NAND指日可待

IM Flash 技术有限责任公司是英特尔与美光科技的合资公司,日前,该公司表示目前正在策划如何及何时将3D技术用于NAND闪存ICs制造中。
2013-05-29 16:44:451729

7月23日快讯:3D IC指日可待/备战4G

2012至2016年全球3D IC市场的年复合成长率为19.7%,成长贡献主要来自行动运算装置的记忆体需求大幅增加,3D IC 可以改善记忆体产品的性能表现与可靠度,并可协助减低成本与缩小产品尺寸。
2013-07-23 17:32:421722

四强投资动作暗潮汹涌 欲争夺3D NAND市场

)亦可能利用M10厂生产3D NAND Flash,业界预期未来3~4年内存储器产业既有平衡竞局恐将被打破。
2015-10-09 09:40:15980

武汉新芯可能2018年量产48层NAND

红色供应链来势汹汹,外界原本认为,陆厂要到四五年后才能在存储器抢下一席之地,不过有分析师预测,陆厂研发脚步迅速,可能2018年就能量产3D NAND
2016-05-10 09:56:541428

武汉新芯为何选择3D NAND芯片作为突破口?

近日中国半导体业最引人关注的爆炸性新闻是武汉新芯计划2018年量产48层3D NAND,及它的投资240亿美元的计划。
2016-05-24 10:29:501676

三星48层3D V-NAND闪存技术揭秘

256Gb 3D V-NAND闪存芯片。目前备受瞩目的三星48层V-NAND 3D快闪存储器已经出现在市场上了,TechInsights的拆解团队总算等到了大好机会先睹为快。
2016-07-13 10:32:437470

干货!一文看懂3D NAND Flash

目前3D NAND仅由三星电子独家量产。而进入了最近两个月,先有东芝(Toshiba)杀入敌营,如今美光(Micron)也宣布研发出3D NAND 芯片,而且已经送样,三星一家独大的情况将画下
2016-08-11 13:58:0644661

国家存储器基地落户 湖北冲击中国IC产业第四极

随着国家存储器基地落户湖北,该省的产业链条也在加速完善,以冲击中国IC产业第四极。
2016-10-27 10:13:00803

SK Hynix月底量产48层堆栈3D NAND闪存 三星后第二家

目前NAND闪存需求依然居高不下,厂商也有动力扩大产能了,SK Hynix公司日前宣布本月底将量产48层堆栈的3D NAND闪存,这是三星之后第二家量产48层堆栈3D闪存的公司。
2016-11-09 11:35:161088

2016年3D打印线材迭代更新 打破产业瓶颈指日可待

要做好3D打印材料这篇大文章,缩小与国际差距。 2016年3D打印线材迭代更新 打破产业瓶颈指日可待 近几年来,3D打印行业的发展可谓是如火如荼,但在发展过程中,其限制因素也逐渐暴露3D打印材料。
2016-11-26 09:08:111034

国家存储器基地项目正式开工 长江存储带头中国存储产业启航

今日,由紫光集团联合国家集成电路产业基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投资240亿美元建设的国家存储器基地项目正式动工,预计 2018年建成投产,2020年完成整个项目,初期计划以先进的3D NAND为策略产品
2016-12-31 01:52:114140

3D NAND Flash,中国自主存储器突破点

受益于智能手机搭载的NAND Flash存储容量持续提升,以及PC、服务、资料中心积极导入固态硬盘(SSD),NAND Flash需求正快速成长,各家存储器厂亦由2D NAND Flash加速转进
2017-02-07 17:34:129182

中国在3D NAND存储器领域取得标志性进展

2月16日据中科院网站消息,近日,由国家存储器基地主要承担单位长江存储科技有限责任公司(以下简称“长江存储”)与中国科学院微电子研究所联合承担的3D NAND存储器研发项目取得新进展。
2017-02-16 11:35:241161

长江存储3D NAND存储器研发领域取得标志性进展

近日,由国家存储器基地主要承担单位长江存储科技有限责任公司(以下简称“长江存储”)与中国科学院微电子研究所联合承担的3D NAND存储器研发项目取得新进展。
2017-02-17 07:48:232091

蓝牙Mesh的广泛应用指日可待

孕育了很长时间的蓝牙Mesh将两种mesh网络模式相结合,提供可控的泛洪,仅允许类似的设备(比如家里所有通过蓝牙连接的照明设备)之间以“铺盖”的方式互相通信,而非近距离范围内的所有蓝牙设备。蓝牙Mesh的广泛应用指日可待,尤其在物联网领域。
2017-09-27 14:33:474645

一文读懂3D NAND存储器进化史

通过3D堆叠技术将存储层层堆叠起来,促成了NAND 技术进一步成熟。
2018-04-16 08:59:5213248

慧荣科技宣布全系列主控芯片全面支持长江存储Xtacking 3D NAND

Xtacking 3D NAND闪存,包括长江存储最新研发成功的128层Xtacking 3D TLC/QLC闪存,为全球市场注入更完整及更多元化的存储解决方案。 随着长江存储3D NAND技术迅速
2020-09-11 10:03:293528

美光量产128层3D NAND闪存;小米授出3674万股奖励股份…

美光在二季度财报电话会议上透露,该公司即将开始基于全新 RG 架构的第四代 3D NAND 存储器量产工作。按照计划,美光将于 2020 Q3 采集开始生产,并于 Q4 像商业客户发货。作为这家硬件制造商的一次重大技术转型,第四代 3D NAND 存储器的层数达到了 128 层。
2020-04-03 09:24:154889

3D NAND与4D NAND之间的差别在哪儿?

什么是3D NAND?什么是4D NAND3D NAND与4D NAND之间的差别在哪儿?
2021-06-18 06:06:00

存储器的价格何时稳定

感谢Dryiceboy的投递据市场分析数据,DRAM和NAND存储器价格近期正在不断上扬.许多人认为当前存储器市场的涨价只不过是暂时的供需不稳所导致的;有些人则认为随着存储器价格3D NAND制造
2019-07-16 08:50:19

【半导体存储】关于NAND Flash的一些小知识

技术方案。   三、NAND Flash分类   NAND闪存卡的主要分类以NAND闪存颗粒的技术为主,NAND闪存颗粒根据存储原理分为SLC、MLC、TLC和QLC,从结构上又可分为2D3D两大类
2024-12-17 17:34:06

三星、西部数据、英特尔、美光、长江存储探讨3D NAND技术

成功,认真投入3D技术研发,而且正要进入量产的一个工厂--武汉存储基地,原本计划的是一个10万片产能的平面一层工厂,现在可以做15万,2019年这个厂也将真正进入量产,长江存储正在积极赶上。`
2018-09-20 17:57:05

单板硬件设计:存储器NAND FLASH)

。 EEPROM的全称是“电擦除可编程只读存储器”,即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。是相对于紫外擦除的rom来讲的。但是今天已经存在多种
2023-05-19 15:59:37

芯片的3D化历程

是第一个推出1Tb级产品的公司。3D XPoint则是由英特尔和美光科技于2015年7月发布的非易失性存储器(NVM)技术。英特尔为使用该技术的存储设备冠名Optane,而美光称之为QuantX。2019
2020-03-19 14:04:57

3D NAND的不同架构浅析 #存储技术

NANDIC设计存储技术3d nand
EE_Voky发布于 2022-06-28 17:29:27

3D打印创造无限可能 步入汽车制造业指日可待

汽车是除了航天航空外应用3D打印最为密集的行业之一,据SmarTech预测,到2023年这个市场有望达到22.7亿美元,折合为人民币则将近150亿。
2016-11-28 09:54:111415

传SK海力士72层3D NAND存储器明年量产

SK 海力士最先进72 层3D NAND 记忆体传明年开始量产,韩联社26 日引述知情人事消息报导指出,海力士计划于2017 上半年完成芯片设计,位在利川(Icheon)的M14 厂将可在下半年开始生产。
2016-12-27 14:15:111317

闪存什么时候打败磁盘 看三星SSD经理怎么说

存储介质革命是当今“双轮驱动”存储产业创新源泉之一,未来是闪存的时代,3D NAND被寄予厚望,投资240亿美元的国家存储器基地项目日前也在武汉动工,无不表明3D NAND制造在存储产业中的重要性。
2017-01-09 17:29:12781

彻底淘汰Home键!iphone8浑身上下全屏幕就指日可待

iphone 8 流传会取消Home 键,这个专利也许会带来关键技术。另一方面早前有苹果专利利用孔洞技术,令一些放在手机前方的元件例如前置镜头、话筒等等隐藏在屏幕之后,两个专利加上来,iphone 8全屏幕无边框指日可待
2017-02-15 11:03:331010

3D NAND对比2D NAND的优势

的厂商竞争,以及日经贴般的MLC/TLC颗粒的优劣问题。、 那么,到底什么是闪存颗?2D NAND3D NAND之间又有哪些区别和联系? 闪存颗粒到底是什么? 闪存颗粒,又称闪存,是一种非易失性存储器,即在断电的情况下依旧可以保存已经写入的数据
2017-10-13 20:33:266

齐力研究软骨技术,3D打印骨骼市场爆发指日可待

骨之所以没有随着其他骨骼3D打印技术的进步而被一同推向市场,主要原因在于其质地与普通骨骼十分不同。迄今为止,成功植入骨折或骨骼畸形患者体内的3D打印骨骼大多都是金属材质,而用于制作3D打印软骨的主要
2017-11-09 17:31:361251

打破存储器国外把持,紫光要圆自产梦,启动南京存储器基地

紫光南京半导体产业基地主要将生产3D NAND FLASH存储芯片和DRAM存储器芯片,一期占地约700亩,二期占地约800亩;这也是紫光拟在武汉投资控制长江存储、在成都打造晶圆厂,另一个紫光大型的存储器生产南京基地也已经实质启动。
2017-11-28 12:54:402401

2018年迎来5G时代 携号转网和无限流量指日可待

在2017年就在传言的携号转网和无限流量服务一直未能到来,但是。2018年随着5G时代的到来,对消费者的终端设备或应用将会有更好的体验方式,同时携号转网和无限流量也将指日可待
2018-01-12 12:03:399289

中国AI芯片未来不可估量 推倒英伟达指日可待

国家企业资本和政策双加持下,我国的人工智能产业越发繁荣,同时英伟达作为我们首要的竞争对手,国内涌出一大波的AI初创公司,比如科大讯飞,寒武纪,中国实力在不断增强,中国AI芯片企业离掀翻英伟达指日可待
2018-01-22 10:10:273742

群联欲大幅征才200名工程师,进一步扩产3D NAND

NAND Flash(储存型快闪存储器)随着2D3D制程良率改善,量产能力大为提升,尽管价格已经松动,但包括存储器、控制IC、封测等供应体系业者纷纷看好有助于量能提升。存储器控制IC大厂群联电子
2018-07-09 09:52:00800

首批32层三维NAND闪存芯片年内将量产,填补我国主流存储器领域空白

位于武汉“中国光谷”的国家存储器基地项目芯片生产机台11日正式进场安装,这标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段,我国首批拥有完全自主知识产权的32层三维NAND闪存芯片将于年内量产,从而填补我国主流存储器领域空白。
2018-06-20 10:26:002457

武汉市正在重点打造存储器 长江存储首个芯片计划量产

万勇透露,武汉国家存储器基地计产能10万片/月的一号生产及动力厂房,首个芯片会在2018年点亮,明年实现量产。而获得国务院批复的武汉国家存储器基地,规划建设3座全球单座洁净面积最大
2018-04-12 16:20:004018

长江存储正式装机:3D NAND量产还有多远?

4月11日,长江存储以芯存长江,智储未来为主题,庆贺存储器基地正式移入生产设备。 2017年9月长江存储新建的国家存储器基地项目(一期)一号生产及动力厂房实现提前封顶,2018年2月份进行厂内洁净室装修和空调、消防等系统安装,正是为4月搬入机台设备而准备,预计很快就可以实现 3D NAND 量产
2018-04-15 10:08:0010302

中国进入全球存储芯片第一梯队指日可待

位于湖北武汉“中国光谷”的国家存储器基地项目芯片生产机台4月11日正式进场安装,这标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段,我国首批拥有完全自主知识产权的32层三维NAND闪存芯片将于年内量产,从而填补我国主流存储器领域空白。
2018-04-27 11:52:005224

3D NAND新产品技术进入市场之际加快发展步伐

的平面闪存,3D存储器的关键技术是薄膜和刻蚀工艺,技术工艺差别较大,而且相对2D NAND来说,国际大厂在3D存储器布局方面走得并不远。
2018-06-20 17:17:495087

东芝在Q4扩大96层3D NAND产品出货量,各家原厂在96层和QLC技术上的竞争愈发激烈

随着原厂3D技术的快速发展,2018下半年各家原厂在96层和QLC技术上竞争激烈,其中,三星已在7月份宣布量产96层3D NAND。据DIGITIMES报道称,东芝存储器(TMC)96层3D NAND将在Q4扩大出货,代表着NAND Flash市场霸主之争正式拉开序幕。
2018-08-05 11:50:161646

长江存储32层三维NAND闪存芯片与今年第四季度实现量产

在位于武汉东湖高新区的长江存储科技有限责任公司(国家存储器基地),紫光集团联席总裁刁石京透露,中国首批拥有自主知识产权的32层三维NAND闪存芯片将于今年第四季度在此实现量产
2018-08-07 14:35:146351

中国首批32层3D NAND闪存芯片即将量产

昨日长江存储正式公开了其突破性技术——XtackingTM。据悉,该技术将为3D NAND闪存带来前所未有的I/O高性能,更高的存储密度,以及更短的产品上市周期。
2018-08-10 09:14:395421

长江存储64层3D NAND芯片专利研发完成,预计明年完成生产线建置

紫光集团旗下长江存储发展储存型快闪存储器NAND Flash)报捷,已自主开发完成最先进的64层3D NAND芯片专利,预计明年完成生产线建置、2020年量产,震撼业界。
2018-08-13 09:45:002770

为什么3D NAND技术能占半导体存储器市场总额的32%?

存储器是半导体三大支柱产业之一。据IC Insights数据,2015年半导体存储器市场总额达835亿美元。各类存储器中,NAND Flash是一个亮点。其广泛应用于PC、手机、服务等各类电子产品,2015年营收达到267亿美元,占半导体存储器市场总额的32%。
2018-08-13 09:01:001863

旺宏预计2019年量产3D NAND,并进军SSD市场

非挥发性存储器厂旺宏董事长吴敏求今日透露,该公司已切入3D NAND Flash开发,预计2018年或2019年量产,并进军固态硬盘(SSD)市场。
2018-09-17 16:30:302159

3D NAND TB时代或指日可待,Xtacking会是中国闪存的王牌吗?

近日,备受业界关注的“2018年中国闪存市场峰会(CFMS2018)”在深圳开幕,来自三星、美光、西部数据、长江存储、慧荣科技、群联电子以及江波龙等全球存储界大厂以及英特尔、谷歌等科技界巨头的代表们齐聚一堂,围绕“全球闪存市场的最新发展、技术的演进以及行业应用”等话题展开了深度探讨。
2018-09-27 16:19:312199

半导体行业3D NAND Flash

 由于国家政策和大基金的支持,中国大陆现在也把存储芯片作为重点来抓,3D NAND也顺理成章成为广大厂商关注的重点,早前被紫光纳入旗下的武汉新芯科技(XMC)很早已经在武汉开工建设12英寸晶圆厂
2018-10-08 15:52:39780

紫光成都建设基地,打造12英寸3D NAND存储器晶圆生产线

根据紫光官方的消息,10月12日,紫光成都存储器制造基地项目开工动员活动在成都双流自贸试验区举行。官方称紫光成都存储器制造基地占地面积约1200亩,将建设12英寸3D NAND存储器晶圆生产线,并开展存储器芯片及模块、解决方案等关联产品的研发、制造和销售。
2018-10-16 15:58:402936

3D打印再突破 器官移植指日可待

目前,生物3D技术已经从传统仅注重结构和形状的制造,拓展到构建体外细胞结构体和生物装置,并应用于再生医学、病理学、药理学和药物检测模型,以及基于细胞和微流体装置的细胞、组织、器官等高级生物和医疗器械产品。
2018-10-28 09:46:345315

3D NAND未来五年需求大好 但紫光在技术上仍存在瓶颈

全球 3D NAND 价格近来快速崩跌,紫光集团旗下的长江存储肩负打破国内“零”存储自制率之重任,以”光速”的气势加入这场存储世纪大战。除了武汉 12 寸厂进入生产,南京厂也将于年内动工,加上成都厂
2018-11-30 09:16:252791

四家存储器制造商的最新一代3D NAND闪存的技术和成本分析

技术确实降低了每千兆字节的成本。本报告展示了目前市场上四家存储器制造商的最新一代3D NAND闪存的技术和成本分析。
2018-12-11 09:28:467716

3D NAND flash大战开打 三星独霸局面打破

记忆体的3D NAND flash大战即将开打!目前3D NAND由三星电子独家量产,但是先有东芝(Toshiba)杀入敌营,如今美光(Micron)也宣布研发出3D NAND,而且已经送样,三星一家独大的情况将划下句点。
2018-12-13 15:07:471294

紫光实现大容量企业级3D NAND芯片封测的规模量产 让国产存储更进一步

昨日,紫光集团旗下紫光宏茂微电子(上海)有限公司发布信息,宣布公司成功实现大容量企业级3D NAND芯片封测的规模量产。他们表示,这次公告标志着内资封测产业在3D NAND先进封装测试技术实现从无到有的重大突破,也为紫光集团完整存储器产业链布局落下关键一步棋。
2019-02-04 16:41:005697

宏茂微电子实现3D NAND芯片封测规模量产

2019新年伊始,紫光“官宣”旗下紫光宏茂微电子成功实现大容量企业级3D NAND芯片封测的规模量产
2019-01-11 09:56:315732

长江存储计划量产64层3D NAND闪存芯片 闪存市场将迎来一波冲击

国产存储芯片再下一城,日前有产业链方面的消息称,中国长江存储将如期在今年年底量产64层3D NAND闪存芯片,这对价格本就在不断下探的闪存市场无疑又将带来一波新的冲击。
2019-04-01 16:53:122056

基于Xtacking架构的64层3D NAND闪存已实现量产

现在,长江存储联席首席技术官、技术研发中心高级副总裁程卫华接受采访时表示,公司已开始量产基于Xtacking架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存,以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。
2019-09-02 16:30:003069

长江存储64层堆栈3D闪存亮相,年底实现量产

根据官网资料,长江存储是紫光集团收购武汉新芯科技之后成立的,于2016年7月在中国武汉成立,是一家专注于3D NAND闪存芯片设计、生产和销售的IDM存储器公司。长江存储为全球工商业客户提供存储器产品,广泛应用于移动设备、计算机、数据中心和消费电子产品等领域。
2019-08-29 14:28:002725

SK海力士积极削减 3D NAND产能,闪存市场再迎曙光?

由于 3D NAND 存储器市场出现了供过于求的现象,制造商们不得不减产以稳定价格。
2019-07-30 14:29:393096

国家存储器基地项目已受电成功 明年将直攻128层以缩减与其他供应商的差距

据中新网8月3日报道, 国家存储器基地项目(一期)二阶段工程项目中低压配电系统已经受电成功,终端机台的电力供给得到保证,芯片的目标量产指日可待
2019-08-05 15:48:303214

中国在存储领域正在一步步追赶国际水平

存储领域,国产厂商一直没有太多发言权,但如今随着中国半导体存储的不断发展,已经取得了相当不俗的成就,近日根据报道,国家存储器基地项目(一期)二阶段工程项目中低压配电系统日前已受电成功,终端机台的电力供给得到保证,芯片的目标量产指日可待
2019-08-06 16:25:30971

长江存储推出了全球首款基于Xtacking架构的64层3D NAND闪存

长江存储64层3D NAND闪存是全球首款基于Xtacking®架构设计并实现量产的闪存产品,拥有同代产品②中最高的存储密度。Xtacking®实现在两片独立的晶圆上分别加工外围电路和存储
2019-09-03 10:07:021788

东芝存储器最新发布XL-Flash技术

据外媒报道,东芝存储器美国子公司宣布推出一种新的存储器(Storage Class Memory)解决方案:XL-Flash,该技术是基于创新的Bics Flash 3D NAND技术和SLC。
2019-09-04 16:41:321643

基于Xtacking架构的64层3D NAND存储器

长江存储科技(YMTC)本周早些时候表示,已经开始批量生产采用专有Xtacking架构的64层3D NAND存储器
2019-09-09 10:22:162374

存储器将与晶圆代工跨界经营全新存储器

过去存储器与晶圆代工可以说是“楚河汉界,井水不犯河水”。但在即将来临的时代,存储器业者觊觎占了全球65%的非存储器市场,而存储器技术从过去的DRAM、3D NAND,正逐渐走向磁阻式存储器(MRAM)等完全不同模式的新技术。
2019-09-10 15:24:411115

紫光旗下长江存储的64层3D NAND闪存芯片首次公开亮相

据悉,长江存储是紫光集团收购武汉新芯科技之后成立的,于2016年7月在中国武汉成立,是一家专注于3D NAND闪存芯片设计、生产和销售的IDM存储器公司。
2019-10-01 17:23:005147

中国首次量产64层3D NAND闪存芯片会有什么市场影响

紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布,开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存。
2019-09-19 11:10:091144

中国量产64层3D NAND闪存芯片会带来什么影响

紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布,开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存。
2019-09-23 17:05:241455

长江存储存储巨头们发起挑战,3D NAND实现突破性的创新

长江存储打破全球3D NAND技术垄断,作为国家重点打造的存储器大项目,经历多年的研发,终于走向市场正式向存储巨头们挑战。
2019-11-29 15:39:053808

长江存储64层3D NAND实现量产 意图打破全球垄断局面

1 月 16 日讯,据悉,长江存储科技有限责任公司 副董事长杨道虹表示,2019 年,国家存储器基地项目基于自主知识产权研发生产的 64 层三维闪存产品已实现量产
2020-01-16 14:06:021539

西部数据和Kioxia研发第五代BiCS 3D NAND成功,今年实现量产

根据消息报道,西部数据公司和Kioxia(铠侠)公司宣布,他们最新一代的3D NAND闪存已经开发成功,第五代BiCS 3D NAND已经开始以512 Gb颗粒形式生产,今年下半年可能会实现商业化量产
2020-02-04 16:25:345210

美光即将量产第四代3D NAND存储器 层数达到128层

美光在二季度财报电话会议上透露,该公司即将开始基于全新 RG 架构的第四代 3D NAND 存储器量产工作。按照计划,美光将于 2020 Q3 采集开始生产,并于 Q4 像商业客户发货。作为这家硬件制造商的一次重大技术转型,第四代 3D NAND 存储器的层数达到了 128 层。
2020-04-02 11:26:522011

长江存储表示128层3D NAND技术会按计划推出

据证券时报消息,长江存储CEO杨士宁在接受采访时谈及了该公司最先进的128层3D NAND技术的研发进度。杨士宁表示,128层3D NAND技术研发进度短期确实会有所波及。但目前长江存储已实现全员复工,从中长期来看,这次疫情并不会影响总体进度。128层技术会按计划在2020年推出。
2020-04-08 15:09:152895

武汉国家存储器基地加速推进施工

据通用技术集团消息,经过前期科学有序的疫情防控和复工复产准备,日前武汉国家存储器基地施工生产加速推进,现场300余名工人已经投入到各项工作。
2020-04-15 16:20:421980

武汉国家存储器基地复工 总投资达1600亿元

随着武汉重启,新兴建设承建的国家级高科技重点项目武汉国家存储器基地,经过前期科学有序的疫情防控和复工复产准备,日前,项目施工生产加速推进,现场300余名工人已经投入到各项工作。
2020-04-16 10:06:404435

群联全系列控制芯片支持长江存储3D NAND

闪存控制芯片及储存解决方案整合服务领导厂商 群联电子 (PHISON; TPEx:8299) 与长江存储自2016年开始接洽合作,从最早期的32层 3D NAND导入验证群联eMMC控制芯片PS8226,至近期的64层3D NAND,群联全系列的NAND控制芯片均有支持且已进入量产阶段。
2020-05-07 14:48:091627

慧荣科技宣布全系列主控芯片全面支持长江存储Xtacking 3D NAND

Xtacking 3D NAND闪存,包括长江存储最新研发成功的128层Xtacking 3D TLC/QLC闪存,为全球市场注入更完整及更多元化的存储解决方案。 随着长江存储3D NAND技术迅速提升
2020-09-11 11:12:162690

国家存储器基地成功研制出了全球首款128层QLC三维闪存芯片

近日,国家存储器基地项目二期在武汉东湖高新区开工,据悉,国家存储器基地的项目是由紫光集团、国家集成电路基金、湖北省科投集团和湖北省集成电路基金共同投资建设,这项目计划分两期建设3DNAND闪存芯片工厂。
2020-09-18 14:54:183051

美光发布176层3D NAND闪存

存储器厂商美光宣布,其第五代3D NAND闪存技术达到创纪录的176层堆叠。预计通过美光全新推出的176层3D NAND闪存技术以及架构,可以大幅度提升数据中心、智能边缘计算以及智能手机存储
2020-11-12 16:02:553696

3D NAND闪存技术未来发展趋势分析

日前,TechInsights高级技术研究员Joengdong Choe在2020年闪存峰会上作了两次演讲,详细介绍了3D NAND和其他新兴存储器的未来。
2020-11-19 16:11:183722

未来的3D NAND将如何发展?

NAND 非易失性闪存存储器作为存储行业的突破性革新已有多年发展历史,随着 2D NAND 容量达到极限,以及晶体管越来越小,NAND 的编程时间变长,擦写次数变少,能够将内存颗粒堆叠起来的 3D
2020-11-20 16:07:133095

未来的3D NAND将如何发展?如何正确判断一款3D NAND的总体效率?

上,TechInsights 高级技术研究员 Joengdong Choe 发表了相关演讲,详细介绍了 3D NAND 和其他新兴存储器的未来。TechInsights 是一家对包括闪存在内的半导体产品分析公司
2020-11-20 17:15:444306

不要过于关注3D NAND闪存层数

    NAND非易失性闪存存储器作为存储行业的突破性革新已有多年发展历史,随着2D NAND容量达到极限,以及晶体管越来越小,NAND的编程时间变长,擦写次数变少,能够将内存颗粒堆叠起来的3D
2020-12-09 10:35:493617

3D NAND技术堆叠将走向何方?

发展至今,NAND Flash已呈现白热化阶段。就在前不久,存储厂商们还在128层“闪存高台上观景”,2019年6月SK海力士发布128层TLC 3D NAND;美光于2019年10月流片出样128
2020-12-09 14:55:374583

三星曝屏下摄像头新专利,消灭打孔屏指日可待

打孔屏一直遭到很多网友的反感,但这也是没有办法的办法,毕竟屏下摄像头还有很多的物理障碍需要突破。手机行业巨头三星在很早的时候就开始研究 UDC 技术,并有多项技术专利获批。三星再曝屏下摄像头新专利,消灭打孔屏指日可待
2021-01-08 10:35:283041

HDR Vivid视频标准进入商用阶段,全面落地指日可待

。这也标志着由中国超高清视频产业联盟推出的HDR Vivid标准开始商用落地。据悉,目前已有包括上游芯片、内容制作、显示终端在内的多家超高清产业链企业共同推进CUVA HDR应用进程,HDR Vivid标准全面商用指日可待
2021-02-03 08:55:005458

时速600KM/H高速磁悬浮列车落地实用指日可待

由此可见,距时速600KM/H高速磁悬浮列车落地实用指日可待。但虽说时速600KM/H高速磁悬浮列车正在来的路上,具体中国居民啥时候能乘坐它出行呢?对此问题,日前,官方作出了回应。
2021-04-23 08:07:041699

存储器迎来怎样的2023?

NAND Flash。2007年,东芝推出3D NAND,三星也在2012年发布其第一代3D NANDNAND Flash 技术几十年发展保留了相同的概念、堆叠(stack)和架构,存储密度随时间呈指数
2022-11-25 14:57:352730

什么是3D NAND闪存?

我们之前见过的闪存多属于Planar NAND平面闪存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 闪存,顾名思义,就是它是立体堆叠的,Intel之前用盖楼为例介绍了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高楼大厦,建筑面积一下子就多起来了,理论上可以无线堆叠。
2023-03-30 14:02:394227

三星将于2024年量产超300层3D NAND芯片

 最近,三星集团援引业界有关负责人的话表示,计划到2024年批量生产300段以上的第9代3d nand。预计将采用将nand存储器制作成两个独立的程序之后,将其一起组装的dual stack技术。三星将于2020年从第7代176段3d nand开始首次使用双线程技术。
2023-08-18 11:09:052015

东京电子3D NAND蚀刻新技术或挑战泛林市场领导地位

据悉,东京电子新技术的目标是能够长时间储存数据的3d nand闪存。该公司开发了一种新的通道孔蚀刻方法,该方法是将垂直孔快速深插入存储单元。3D nand存储器容量可以通过将存储器单元层垂直堆积来增加,如果层数增加,就需要性能更高的装置。
2023-10-16 14:39:491360

什么是摩尔定律,“摩尔定律2.0”从2D微型化到3D堆叠

3D实现方面,存储器比逻辑更早进入实用阶段。NAND闪存率先迈向3D 。随着目前量产的20-15nm工艺,所有公司都放弃了小型化,转而转向存储单元的三维堆叠,以提高每芯片面积的位密度。它被称为“ 3D(三维)NAND ” 。
2023-12-02 16:38:402967

有了2D NAND,为什么要升级到3D呢?

2D NAND3D NAND都是非易失性存储技术(NVM Non-VolatileMemory),属于Memory(存储器)的一种。
2024-03-17 15:31:392376

首次亮相!长江存储128 层3D NAND 现身CITE 2020

在CITE 2020上,紫光集团带来了大量产品,其中包括长江存储的128层QLC三维闪存和新华三半导体高端路由芯片EasyCore等。作为业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存,长江存储X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度,最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144822

预期提前,铠侠再次加速,3D NAND准备冲击1000层

电子发烧友网报道(文/黄山明)近日,铠侠再次宣布,将在2027年实现3D NAND的1000层堆叠,而此前铠侠计划是在2031年批量生产超1000层的3D NAND存储器。三星也在此前表示,将在
2024-06-29 00:03:008061

已全部加载完成