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电子发烧友网>存储技术>中国在3D NAND存储器领域取得标志性进展

中国在3D NAND存储器领域取得标志性进展

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2020-11-19 16:11:183722

未来的3D NAND将如何发展?

NAND 非易失闪存存储器作为存储行业的突破革新已有多年发展历史,随着 2D NAND 容量达到极限,以及晶体管越来越小,NAND 的编程时间变长,擦写次数变少,能够将内存颗粒堆叠起来的 3D
2020-11-20 16:07:133095

未来的3D NAND将如何发展?如何正确判断一款3D NAND的总体效率?

上,TechInsights 高级技术研究员 Joengdong Choe 发表了相关演讲,详细介绍了 3D NAND 和其他新兴存储器的未来。TechInsights 是一家对包括闪存在内的半导体产品分析公司
2020-11-20 17:15:444306

长江存储科普SSD、3D NAND的发展史

作为国产存储行业的佼佼者,长江存储近两年凭借3D NAND闪存领域的突飞猛进,引发普遍关注,尤其是独创了全新的Xtacking闪存架构,最近还打造了首个消费级SSD品牌“致钛”。
2020-11-24 10:12:315270

不要过于关注3D NAND闪存层数

    NAND非易失闪存存储器作为存储行业的突破革新已有多年发展历史,随着2D NAND容量达到极限,以及晶体管越来越小,NAND的编程时间变长,擦写次数变少,能够将内存颗粒堆叠起来的3D
2020-12-09 10:35:493617

3D NAND技术堆叠将走向何方?

发展至今,NAND Flash已呈现白热化阶段。就在前不久,存储厂商们还在128层“闪存高台上观景”,2019年6月SK海力士发布128层TLC 3D NAND;美光于2019年10月流片出样128
2020-12-09 14:55:374583

西安国家新一代人工智能创新发展试验区建设

基础前沿理论研究取得标志性成果。类脑智能计算、群体智能、大数据智能、跨媒体智能、自主协同控制与优化决策、智能计算芯片与系统等基础前沿理论研究领域取得明显进展,形成标志性科技成果10个以上。
2020-12-11 15:41:232542

中国首次实现按需式读取的可集成固态量子存储器

中国科学技术大学郭光灿院士团队李传锋、周宗权研究组量子存储领域取得重要进展,首次实现按需式读取的可集成固态量子存储器
2021-01-06 10:47:20854

腾讯云5G网络方案电竞领域迎来标志性落地

腾讯电竞2021天美电竞项目计划发布会上,深圳电竞制作中心正式成立并启用,成为腾讯云5G网络方案电竞领域的一次标志性落地。
2021-02-26 12:23:122241

计算机视觉领域开始3D场景理解方面取得良好进展

人驾驶汽车和机器人,现实世界中导航和运作,并在移动设备上创建改进的增强现实体验。 最近,计算机视觉领域开始 3D 场景理解方面取得良好进展,包括用于移动 3D 目标检测、透明目标检测等的模型,但由于可应用于 3D 数据的可用工
2021-03-30 13:58:071967

微纳3D打印研究方面取得重要进展

我们国家3D打印技术方面是一直有研究的。就在近日,山东省增材制造工程技术研究中心兰红波教授团队电场驱动喷射微3D打印及应用研究方面取得重要进展,相关研究成果发表《Advanced Materials》(SCI影响因子:27.398)上。
2021-04-23 15:28:441345

存储器迎来怎样的2023?

NAND Flash。2007年,东芝推出3D NAND,三星也2012年发布其第一代3D NANDNAND Flash 技术几十年发展保留了相同的概念、堆叠(stack)和架构,存储密度随时间呈指数
2022-11-25 14:57:352730

「复享光学」3D NAND多层薄膜量测的新思路

据知名半导体和微电子情报提供商TechInsights报道,长江存储的232层3D NAND闪存X3-9070已经实现量产,领先于三星、美光、SK海力士等厂商,这也是__中国品牌半导体领域首次领先于国际竞争者。__
2022-12-05 17:07:381876

详解三维NAND集成工艺(3D-NAND Integration Technology)

存储单元中,电荷的存储层可以是浮栅或氮化硅电荷俘获层(Charge-Trapping Layer, CTL)。三维CTL垂直沟道型NAND 闪存(3D NAND 或 V-NAND)基于无结型 (Junctionless, JL)薄膜场效应晶体管(TFT),具有更好的可靠
2023-02-03 09:16:5717470

什么是3D NAND闪存?

我们之前见过的闪存多属于Planar NAND平面闪存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 闪存,顾名思义,就是它是立体堆叠的,Intel之前用盖楼为例介绍了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高楼大厦,建筑面积一下子就多起来了,理论上可以无线堆叠。
2023-03-30 14:02:394227

三星将于2024年量产超300层3D NAND芯片

 最近,三星集团援引业界有关负责人的话表示,计划到2024年批量生产300段以上的第9代3d nand。预计将采用将nand存储器制作成两个独立的程序之后,将其一起组装的dual stack技术。三星将于2020年从第7代176段3d nand开始首次使用双线程技术。
2023-08-18 11:09:052015

NAND Flash存储器的基础知识

随着信息技术的飞速发展,数据存储需求日益增长。作为一种新型的非易失性存储器NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等优势,各个领域得到了广泛应用。本文将对NAND Flash存储器的工作原理、结构特点、性能指标及应用领域进行详细解析,以期为读者提供一个全面的了解。
2023-09-27 18:26:175563

东京电子3D NAND蚀刻新技术或挑战泛林市场领导地位

据悉,东京电子新技术的目标是能够长时间储存数据的3d nand闪存。该公司开发了一种新的通道孔蚀刻方法,该方法是将垂直孔快速深插入存储单元。3D nand存储器容量可以通过将存储器单元层垂直堆积来增加,如果层数增加,就需要性能更高的装置。
2023-10-16 14:39:491360

什么是摩尔定律,“摩尔定律2.0”从2D微型化到3D堆叠

3D实现方面,存储器比逻辑更早进入实用阶段。NAND闪存率先迈向3D 。随着目前量产的20-15nm工艺,所有公司都放弃了小型化,转而转向存储单元的三维堆叠,以提高每芯片面积的位密度。它被称为“ 3D(三维)NAND ” 。
2023-12-02 16:38:402967

有了2D NAND,为什么要升级到3D呢?

2D NAND3D NAND都是非易失存储技术(NVM Non-VolatileMemory),属于Memory(存储器)的一种。
2024-03-17 15:31:392376

NAND Flash与其他类型存储器的区别

NAND Flash作为一种基于NAND技术的非易失性存储器,具有多个显著优点,这些优点使其在数据存储领域得到了广泛应用。以下是对NAND Flash优点的详细阐述,并简要探讨与其他类型存储器的区别。
2024-08-20 10:24:441952

首次亮相!长江存储128 层3D NAND 现身CITE 2020

CITE 2020上,紫光集团带来了大量产品,其中包括长江存储的128层QLC三维闪存和新华三半导体高端路由芯片EasyCore等。作为业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存,长江存储X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度,最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144822

预期提前,铠侠再次加速,3D NAND准备冲击1000层

2030年实现1000层堆叠的3D NAND存储器。   3D NAND似乎已经成为各大存储企业竞相追逐的“工业明珠”,包括三星、海力士、美光、铠侠、长江存储等都在这一领域投入大量资源,而比拼的就是堆叠层数。   3D NAND 为何如此重要?   随着数字化信息的爆炸增长,对对存储容量的需求也
2024-06-29 00:03:008061

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