长江存储正式装机:3D NAND量产还有多远？

4月11日，长江存储以“芯存长江，智储未来”为主题，庆贺存储器基地正式移入生产设备。

2017年9月长江存储新建的国家存储器基地项目（一期）一号生产及动力厂房实现提前封顶，2018年2月份进行厂内洁净室装修和空调、消防等系统安装，正是为4月搬入机台设备而准备，预计很快就可以实现3D NAND量产。

中国内需庞大，不仅有华为、联想等终端制造商，还有百度、腾讯、阿里巴巴等互联网巨头，再加上中国物联网、人工智能、机器人等产业的快速发展，中国对半导体芯片需求庞大，尤其是存储器。

对于中国而言，芯片国产化是一个战略目标，长江存储存储器一期厂房建设的完工以及厂房正式移入生产设备，代表着国产存储正式进入正轨。

据悉，国家存储器基地一期规划投资240亿美元，占地面积1968亩，建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND闪存生产厂房，存储器基地一号项目未来总产能将达到30万片/月。

9日的CITE大会上，赵伟国表示：武汉长江存储基地4月11日开始移入生产设备，后续将实现 32层64G存储器小规模量产。

在长江存储发展规划中，第一阶段长江存储将以 3D Nand Flash 做为切入点，通过技术合作支持争取快速发展，第二阶段目标到 2020 年月产能达到 30 万片，赵伟国称借此长江存储将能进入世界内存企业的第一梯队，这阶段将能贡献中国芯片制造自产率的 8%，中国目标在 2020 年芯片自给率要达到 40%。

赵伟国曾透露，目前已经筹集1800亿人民币，其中武汉800亿，成都、南京两个基地各500亿元。紫光正在和重庆市政府、国家大基金发起紫光国芯集成电路股份有限公司（简称大公司），注册资本1000亿人民币，注册地是重庆。希望通过注册资本1000亿的大公司合计筹集1900亿。总计3700亿，足够五年的弹药。

中国存储器三大阵营成形

中囯己有三家企业向存储器芯片制造发起冲锋，分别是武汉长江存储的32层3D NAND闪存；福建晋华的是32纳米的DRAM利基型产品；以及合肥长鑫(睿力)的19纳米 DRAM。而且三家都声称2018年底前将实现试产，开通生产线。

如果再计及紫光分别在南京和成都刚宣布再建两个存储器基地，总计己有五家企业。

中国半导体业要上马存储器芯片制造，当时大多数人持谨慎态度，不是看轻自己，而是存储器业的竞争太激烈。

以目前现况来看，中国发展存储器的策略能否成功，未来的3~5年将是极其重要的关键期，特别是强化IP的布局，中国政府以及厂商未来必须凭借内需市场、优秀的开发能力，以及具国际水平的产能，取得与国际厂商最有利的谈判筹码，才有机会立足全球并占有一席之地。