国家存储器基地项目已受电成功 明年将直攻128层以缩减与其他供应商的差距

据中新网8月3日报道， 国家存储器基地项目（一期）二阶段工程项目中低压配电系统已经受电成功，终端机台的电力供给得到保证，芯片的目标量产指日可待。

据了解，长江存储科技有限责任公司是国家存储器基地项目的实施主体。根据武汉市此前公布的2019年第一季度政府工作报告执行情况显示，武汉东湖新技术开发区在存储器基地方面取得了重大进展，长江存储器基地一期已实现量产，一季度产能达到5000片/月，办公人数已达3000人。同时国家先进存储产业创新中心也已完成法人主体注册。

2019年7月3日，湖北省委副书记、省长王晓东在调研国家存储器基地时指出，要优化环境、全力支持，更大力度争取国家支持并落实支持政策，完善服务机制，当好项目“秘书”，解决实际难题，全力保障国家存储器基地建设，为加快“一芯两带三区”区域和产业发展布局提供重要支撑。

据了解，国家存储器基地项目位于武汉东湖高新区武汉未来科技城，将建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash FAB厂房、一座总部研发大楼和其它若干配套建筑。

根据此前的资料显示，长江存储今年底前将正式量产64层3D NAND产品，明年将直攻128层以缩减与其他供应商的差距。

国家存储器基地的建立，以芯片制造环节为突破口，集存储器产品设计、技术研发、晶圆生产与测试、销售于一体，建成后，还将带动设计、封装、制造、应用等芯片产业相关环节的发展，标志着芯片自主创新之路迈出可靠而重要的一步。