9月2日，长江存储正式对外宣布，其基于Xtacking®架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存（每颗裸芯片的存储容量为256千兆字位，每个存储单元为三个字位的三维闪存）正式量产，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。
2019-09-02 14:31:15
1919 256Gb 3D V-NAND闪存芯片。目前备受瞩目的三星48层V-NAND 3D快闪存储器已经出现在市场上了，TechInsights的拆解团队总算等到了大好机会先睹为快。
2016-07-13 10:32:437470 目前NAND闪存需求依然居高不下，厂商也有动力扩大产能了，SK Hynix公司日前宣布本月底将量产48层堆栈的3D NAND闪存，这是三星之后第二家量产48层堆栈3D闪存的公司。
2016-11-09 11:35:161088 据悉，紫光南京半导体产业基地项目由紫光集团投资建设，主要产品为3D-NAND FLASH、DRAM存储芯片等，占地面积约1500亩。项目一期投资约100亿美元，月产芯片10万片。项目达产后，将有力地支撑我国在主流存储器领域的跨越式发展。
2017-02-13 09:20:161332 国产手机势头越来越强劲，把三星和苹果的市场份额抢占不少，但繁荣背后是对核心产业链控制的缺失，就比如闪存芯片，这基本上被韩国厂商垄断了。近日，高启全接受媒体采访时表示，长江存储将在2019年开始量产64层堆栈的3D NAND闪存，这个消息无疑让人振奋，而在今年他们还将出样32层NAND闪存。
2017-05-09 15:10:042528 电子发烧友早八点讯：三星今天在韩国宣布，开始大规模量产64层堆叠、256Gb（32GB）、3bit的V-NAND闪存芯片，是为第四代3D闪存。
2017-06-16 06:00:002458 2025年将增至 175 ZB。半导体存储具有存取速度快、功耗低、体积小、可靠性高等优势，广泛应用在电子设备中，并且正逐步取代机械硬盘成为主流存储器。其中闪存不同于 DRAM，因其具有断电数据不丢失
2023-12-08 10:19:491497 
欢迎了解 邵滋人，李太龙，汤茂友 宏茂微电子（上海）有限公司 摘要： 在存储技术发展过程中，三维闪存存储器以其单位面积内存储容量大、改写速度快等优点，正逐步取代机械硬盘成为大数据存储领域中的主角
2023-12-14 16:55:561878 
电子发烧友网报道（文/黄晶晶）早在2022年闪存芯片厂商纷纷发布200+层 3D NAND，并从TLC到QLC得以广泛应用于消费电子、工业、数据中心等领域。来到2024年5月目前三星第9代
2024-05-25 00:55:005554 
***中添加三维模型时如何设置对层，下面是我看一个教程的步骤：但为什么那个左下角的Layer Pairs…按钮是灰色呢？请大神帮忙
2012-09-25 14:51:45
智能芯片之三维内存介绍
2021-01-29 07:39:22
。三维CAD的使用，不仅能提高设计质量，还能缩短设计周期，创作良好的经济效益和社会效益。所以，越来越多的企业将三维CAD作为企业进行产品设计和创新最通用的手段和工具。而随着我国计算机技术的迅速发展
2019-07-03 07:06:31
专门为制造业提供了一个全新、高效的重构手段，实现从实际物体到几何建模的直接转换。逆向工程技术涉及计算机图形学、计算机图像处理、微分几何、概率统计等学科，是CAD领域最活跃的分支之一。我公司通过外业的三维
2016-03-02 15:12:00
读写次数和效能上远不如SLC芯片，但随着效能大幅改善后，MLC芯片也逐渐成为NAND Flash产业主流，并在价格下滑后，导入多领域应用范围。现在MLC芯片性价比提升，也逐渐导入许多应用领域包括军规
2018-06-14 14:26:38
保存代码及数据，分为闪型存储器 （Flash Memory）与只读存储器（Read-OnlyMemory），其中闪型存储器是主流，而闪型存储器又主要是NAND Flash 和NOR Flash
2024-12-17 17:34:06
控制器层和存储器层等）会使生产成本显著降低。此外，采用该技术还有望实现新型多功能微电子系统，如分布式无线传感器网络应用的超小型传感器节点等（图1）。目前采用三维集成技术已显得十分必要，其原因是三维集成
2011-12-02 11:55:33
卡有着本质上的区别。
SD NAND 与 TF卡的区别：（看图表）
SD和TF区别
LGA-8封装
什么是LGA-8封装？
LGA-8封装是一种将芯片引脚通过电路板的层间连接
2024-01-05 17:54:39
芯片自主发展成为当务之急。2019年NAND市场上还有一个变数，虽然它还是初生牛犊，但它是最有可能重塑存储芯片市场格局的，那就是中国的长江存储公司2019年会大规模量产3DNAND闪存，跟三星、东芝
2021-07-13 06:38:27
三维内存对人们生产生活方面的贡献智能芯片的三维内存
2020-12-24 06:54:39
未来DDR4、NAND Flash存储器芯片该如何发展
2021-03-12 06:04:41
系统设计存在设计基于闪存的可靠的嵌入式和存储系统时仍然面对重大挑战。随着每代新产品的出现，目前存储器技术要求尺寸越来越小，但耑要较大系统级变化来维持系统级讨靠性和性能。NOR和NAND闪存的存储器架构
2018-05-17 09:45:35
MTFC32GAKAEEF-AIT 产品概述 MTFC32GAKAEEF-AIT是Micron推出的一款高性能NAND闪存存储器，具有32GB的存储容量。该器件设计用于满足各种嵌入式
2024-10-15 23:15:35
三星宣布开始量产两种新型30nm制程NAND闪存芯片
三星近日宣布将开始量产两款30nm制程NAND闪存芯片产品。其中一种闪存产品采用类似DDR内存的双倍传输技术，据三星公司
2009-12-02 08:59:23700 高性能20纳米级NAND闪存存储器
SAMSUNG电子有限公司推出业界首个20纳米级(nm) NAND芯片，用于安全数字(SD)存储器卡和嵌入式存储解决方案中。32
2010-05-17 12:15:021410 NAND闪存的自适应闪存映射层设计
闪存存储器主要分为NAND和XOR两种类型，其中NAND型是专为数据存储设计。本文的闪存映射方法主要是针对NAND类型的
2010-05-20 09:26:231244 
提出一种适用于未来高密度应用的与非(NAND) 型共享选通管的三维多层1TXR 阻变存储器概念。在0.13 m工艺下, 以一个使用8 层金属堆叠的1T64R 结构为例, 其存储密度比传统的单层1T1R 结构高
2011-12-07 11:02:41
16 上周东芝及西部数据宣布，已研发出堆叠64层的3D NAND Flash制程，并将于2017年上半年开始量产，不过恐怕仍无法超车NAND Flash市占王三星。
2016-08-02 14:53:261430 故障芯片重利用的三维存储器成品率提高方法_刘军
2017-01-07 21:28:580 紫光集团董事长赵伟国近日在第四届世界互联网大会表示，近年来，紫光集团把企业发展的重点聚焦在了集成电路上。在移动领域，紫光现在每年向全球提供的手机芯片超过7亿部套片;在存储领域，紫光已经研发出了32层64G的完全自主知识产权的三维闪存芯片，明年将实现量产。
2017-12-07 11:31:102144 武汉建设NAND工厂，预计今年内量产，据悉国产NAND闪存是32层堆栈的，是1000多名研究人员耗时2年、耗资10亿美元研发的。
2018-05-16 10:06:004167 在SK Hynix的72层（72L） TLC NAND快闪存储器中，所谓的P-BiCS （Pipe-shaped Bit Cost Scalable）单元，是利用管线式（pipe）闸极连结每一个
2018-06-21 12:23:002783 
三维闪存作为主流存储介质，广泛运用于企业级高性能计算机和嵌入式系统。但是由于访问辅助存储介质的存储原语没有发生改变，存储原语强迫三维闪存这类存储介质的存储方式必须和磁盘这一类的块设备保持相同的存储
2018-01-31 15:04:010 根据韩国媒体的报导，韩国存储器大厂三星已经确认，将会在韩国平泽市兴建一座新的半导体工厂，用于扩大DRAM、NAND Flash快闪存储器的产能。 之前，韩国媒体《FN News》曾经引用业界人士和平
2018-03-06 18:59:115298 存储器芯片领域，主要分为两类：易失性和非易失性。易失性：断电以后，存储器内的信息就流失了，例如 DRAM，主要用来做PC机内存(如DDR)和手机内存(如LPDDR)，两者各占三成。非易失性：断电以后
2018-04-09 15:45:33113864 当然中国的存储芯片企业在投产后还需要在技术方面追赶韩美日等存储芯片企业，长江存储当下准备投产的为32层NAND flash而韩国三星去年就开始大规模投产64层NAND flash，长江存储希望在未来两三年实现64层NAND flash的技术突破，将技术差距缩短到两年内。
2018-04-17 09:37:1944620 按照计划，今年四季度，设备有望点亮投产。紫光集团全球执行副总裁、长江存储执行董事长高启全透露，今年将量产的产品，是去年成功研发的中国首颗32层三维NAND闪存芯片，就在4月9日，这颗耗资10亿美元
2018-04-23 11:20:003770 
位于湖北武汉“中国光谷”的国家存储器基地项目芯片生产机台4月11日正式进场安装，这标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段，我国首批拥有完全自主知识产权的32层三维NAND闪存芯片将于年内量产，从而填补我国主流存储器领域空白。
2018-04-27 11:52:005224 日前，长江存储以“芯存长江，智储未来”为主题，庆贺存储器基地正式移入生产设备。目前，长江存储新建的厂房已经完成厂内洁净室装修和空调、消防等系统的安装。只要生产设备搬入并完成调试之后，就可以量产NAND Flash芯片，打响中国在存储芯片领域的第一枪。
2018-05-30 02:28:008746 日前，东芝（TOSHIBA）、西数（WD）等存储器大厂分别宣布推出 96 层堆栈的 QLC 快闪存储器，核心容量可达 1.33TB，单一模块就可做到 2.66TB 容量。不过因 QLC 快闪存储器
2018-07-26 18:01:002759 三星 17 日宣布，量产首批 8GB LPDDR5 存储器颗粒，速率可达 6，400Mbps，比现有 LPDDR4-4266 存储器快了 50%，同时功耗降低 30%，三星现在已经完成了 8GB
2018-07-18 17:56:004088 三星17日宣布，量产首批8GB LPDDR5存储器颗粒，速率可达6,400Mbps，比现有LPDDR4-4266存储器快了50%，同时功耗降低30%，三星现在已经完成了8GB LPDDR5存储器的测试。
2018-07-20 10:39:445216 面对2018年各大闪存颗粒厂商已经大规模量产64层堆栈3D NAND的情况，三星正式宣布开始量产第五代V-NAND闪存颗粒，堆栈数将超过90层。
2018-07-24 14:36:328259 长江存储隶属于中国半导体巨头紫光集团。此前，该公司对外披露已经获得了第一个闪存芯片订单，用于生产8GB容量的SD存储卡，订单规模为一万套32层3D NAND闪存芯片。
2018-07-26 16:28:0115523 在位于武汉东湖高新区的长江存储科技有限责任公司（国家存储器基地），紫光集团联席总裁刁石京透露，中国首批拥有自主知识产权的32层三维NAND闪存芯片将于今年第四季度在此实现量产。
2018-08-07 14:35:146351 昨日长江存储正式公开了其突破性技术——XtackingTM。据悉，该技术将为3D NAND闪存带来前所未有的I/O高性能，更高的存储密度，以及更短的产品上市周期。
2018-08-10 09:14:395421 紫光集团旗下长江存储发展储存型快闪存储器（NAND Flash）报捷，已自主开发完成最先进的64层3D NAND芯片专利，预计明年完成生产线建置、2020年量产，震撼业界。
2018-08-13 09:45:002770 在被视为半导体起源地的美国硅谷举行的半导体大会上，中国长江存储科技有限责任公司(YMTC)宣布，将从明年开始向市场供应32层三维NAND闪存(以下简称NAND)，并公开了自主三维NAND量产技术。
2018-08-12 10:11:183584 赵伟国认为，中国的集成电路已经初步摆脱了抄人家、学人家的状态。他透露，紫光会在今年底量产32层64G的存储器，在明年会量产64层128G的存储器，并同步研发128层256G的存储器。
2018-08-26 10:38:153176 由于闪存的成本取决于其裸片面积，如果可以在同样的面积上存储更多数据，闪存将更具成本效益。NAND闪存有三种主要类型：单层单元（SLC）、多层单元（MLC）和三层单元（TLC）。顾名思义，在相同
2018-12-17 15:50:242506 由于闪存的成本取决于其裸片面积，如果可以在同样的面积上存储更多数据，闪存将更具成本效益。NAND闪存有三种主要类型：单层单元(SLC)、多层单元(MLC)和三层单元(TLC)。顾名思义，在相同
2019-04-17 16:32:346335 
国产存储芯片再下一城，日前有产业链方面的消息称，中国长江存储将如期在今年年底量产64层3D NAND闪存芯片，这对价格本就在不断下探的闪存市场无疑又将带来一波新的冲击。
2019-04-01 16:53:122056 紫光集团旗下的长江存储YMTC是国内三大存储芯片阵营中主修NAND闪存的公司，也是目前进度最好的，去年小规模生产了32层堆栈的3D NAND闪存，前不久紫光在深圳第七届中国电子信息博览会
2019-04-18 16:18:522545 目前NAND闪存主要掌握在三星、东芝、美光、西数等公司中，国内主要有紫光旗下的长江存储专攻NAND闪存，小批量量产了32层堆栈的3D闪存，但对市场影响有限，今年该公司将量产64层堆栈的3D闪存，产能将会积极扩张。
2019-05-16 10:18:143966 现在，长江存储联席首席技术官、技术研发中心高级副总裁程卫华接受采访时表示，公司已开始量产基于Xtacking架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。
2019-09-02 16:30:003069 根据官网资料，长江存储是紫光集团收购武汉新芯科技之后成立的，于2016年7月在中国武汉成立，是一家专注于3D NAND闪存芯片设计、生产和销售的IDM存储器公司。长江存储为全球工商业客户提供存储器产品，广泛应用于移动设备、计算机、数据中心和消费电子产品等领域。
2019-08-29 14:28:002725 睿创微纳填补了中国在非制冷红外热成像领域高精度芯片研发、生产、封装、应用等方面的一系列空白，具备探测器自主研发能力并实现量产。
2019-08-01 17:20:185038 NAND闪存，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。作为中国首款64层3DNAND闪存，该产品将亮相IC China 2019紫光集团展台。
2019-09-02 16:27:504051 长江存储科技（YMTC）本周早些时候表示，已经开始批量生产采用专有Xtacking架构的64层3D NAND存储器。
2019-09-09 10:22:162374 据悉，长江存储是紫光集团收购武汉新芯科技之后成立的，于2016年7月在中国武汉成立，是一家专注于3D NAND闪存芯片设计、生产和销售的IDM存储器公司。
2019-10-01 17:23:005147 近日，紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布，开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存。产品将应用于固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用。这是中国首次实现64层3D NAND闪存芯片的量产，将大幅拉近中国与全球一线存储厂商间的技术差距。
2019-09-17 11:45:194095 紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布，开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存。
2019-09-19 11:10:091144 紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布，开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存。
2019-09-23 17:05:241455 紫光集团旗下长江存储近日宣布，已开始量产基于自主研发Xtacking架构的64层三维闪存（3DNAND），容量为256Gb，以满足固态硬盘（SSD）嵌入式存储等主流市场应用的需求，这也是中国首款64
2019-10-08 09:19:531383 紫光集团旗下长江存储正式宣布，公司已开始量产基于Xtacking？架构的中国首款64层256Gb TLC 3D NAND闪存，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。
2019-10-08 11:29:181727 人们需要了解闪存存储器和固态硬盘（SSD）正在彻底改变当今IT基础设施的原因，因为这些超级快速存储的设备可以支持高端应用和高性能存储层。
2019-12-05 09:38:453512 会上，湖北亮出了 2019 年发展的成绩单。例如，我国首款 64 层三维闪存芯片在武汉量产；华星光电 T4、京东方10.5 代线、小米武汉总部等重大产业项目建成运营，重大项目落地见成效。
2020-01-14 14:44:453599 杨道虹表示，目前及今后的一段时间内，长江存储核心任务是推动产能爬坡提升，将尽早达成64层三维闪存产品月产能10万片并按期建成30万片/月产能，提升国家存储器基地的规模效应，带动全省集成电路产业发展。
2020-01-15 09:31:293090 根据消息报道，长江存储科技有限责任公司副董事长杨道虹表示，国家存储器基地项目经过3年的建设已经取得了阶段性成效，自主开发的64层三维闪存产品实现量产。
2020-01-15 14:11:143818 长江存储科技有限责任公司副董事长杨道虹表示，国家存储器基地项目经过 3 年的建设已经取得了阶段性成效，自主开发的 64 层三维闪存产品实现量产。
2020-01-16 10:27:211908 1 月 16 日讯，据悉，长江存储科技有限责任公司 副董事长杨道虹表示，2019 年，国家存储器基地项目基于自主知识产权研发生产的 64 层三维闪存产品已实现量产。
2020-01-16 14:06:021539 美光在二季度财报电话会议上透露，该公司即将开始基于全新 RG 架构的第四代 3D NAND 存储器的量产工作。按照计划，美光将于 2020 Q3 采集开始生产，并于 Q4 像商业客户发货。作为这家硬件制造商的一次重大技术转型，第四代 3D NAND 存储器的层数达到了 128 层。
2020-04-02 11:26:522011 今年初，长江存储市场与销售资深副总裁龚翔曾公开表示，长江存储将跳过如今业界常见的96层堆叠闪存技术，直接投入128层闪存的研发和量产工作。
2020-04-08 16:38:211265 长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”）在官网宣布其128层QLC 3D NAND闪存芯片 X2－6070研发成功，已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。
2020-05-04 10:39:003612 闪存控制芯片及储存解决方案整合服务领导厂商 群联电子 （PHISON; TPEx:8299） 与长江存储自2016年开始接洽合作，从最早期的32层 3D NAND导入验证群联eMMC控制芯片PS8226，至近期的64层3D NAND，群联全系列的NAND控制芯片均有支持且已进入量产阶段。
2020-05-07 14:48:091627 长江存储科技有限责任公司宣布，128层QLC 3D NAND闪存研发成功，这标志着国产存储厂商向世界最先进技术水准又迈进了一步。
2020-05-07 14:59:225527 近日，国家存储器基地项目二期在武汉东湖高新区开工，据悉，国家存储器基地的项目是由紫光集团、国家集成电路基金、湖北省科投集团和湖北省集成电路基金共同投资建设，这项目计划分两期建设3D NAND闪存芯片工厂。
2020-09-18 14:54:183051 据国外媒体报道，专注于3D NAND闪存设计制造的长江存储，将提高NAND闪存芯片的出货量。
2020-09-22 17:11:493038 存储器厂商美光宣布，其第五代3D NAND闪存技术达到创纪录的176层堆叠。预计通过美光全新推出的176层3D NAND闪存技术以及架构，可以大幅度提升数据中心、智能边缘计算以及智能手机存储
2020-11-12 16:02:553696 从96层NAND闪存芯片开始，海力士一直在推动4D技术的发展。本文介绍的176层NAND芯片，已经发展到第三代。从制造上来说，其能够确保业内最佳的每片晶圆产出。
2020-12-15 17:55:343836 。 据了解，在新型存储器中，相变存储器（PCM）是与CMOS工艺最兼容，技术最成熟的存储技术。 2015年，Intel和Micron推出了傲腾三维相变存储芯片，速度和寿命比固态闪存硬盘要快一千倍，其三维堆叠技术也使容量高出了十倍。 然而，由于在相变过程中需
2022-01-21 13:15:001047 长江存储一直是我国优秀的存储芯片企业，从成立之初就保持着高速稳定的发展状态，用短短3年的时间，接连推出了32层NAND闪存，以及64层堆栈3D NAND闪存，成功进入了华为Mate40手机的供应链。
2022-06-17 10:56:218286 资料显示，暖芯迦对生物小信号以及神经信号的采集、编解码、分析算法、大数据模型、高精度控制等领域有深刻的研究，产品研发主要集中在神经接口和生物传感两个领域，填补我国相关生物芯片领域的空白。
2022-11-08 14:56:101788 在20nm 工艺节点之后，传统的平面浮栅 NAND 闪速存储器因受到邻近浮栅 -浮栅的耦合电容干扰而达到了微缩的极限。为了实现更高的存储容量，NAND集成工艺开始向三维堆叠方向发展。在三维NAND
2023-02-03 09:16:5717470 闪存存储设备：NAND芯片作为主要的闪存存储媒介，被广泛用于固态硬盘（SSD）、USB闪存驱动器、内存卡（如SD卡、MicroSD卡）和闪存盘等。
2023-06-28 16:25:4912803 三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存 存储领域的竞争愈加激烈，三星电子计划在2023年正式生产第9代V-NAND闪存，三星第9代V-NAND闪存
2023-08-21 18:30:53888 随着信息技术的飞速发展，数据存储需求日益增长。作为一种新型的非易失性存储器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等优势，在各个领域得到了广泛应用。本文将对NAND Flash存储器的工作原理、结构特点、性能指标及应用领域进行详细解析，以期为读者提供一个全面的了解。
2023-09-27 18:26:175563 根据专利摘要，该申请涉及提高三维存储器存储密度的半导体芯片技术领域。这个半导体结构的外部层沉积层、电容器、第一次接触柱子及首家信号线组成，外围堆叠层包括层叠设置的多个膜层对，膜层对第一个防止介质层和栅极层，包括各双膜形成多个台阶。
2023-10-30 11:32:241656 
非易失性存储器芯片又可分为快闪存储器 （Flash Memory） 与只读存储器 （Read-Only Memory）。其中，快闪存储器又可以分为 NAND 存储和 NOR 存储。
2024-03-22 10:54:152049 
据韩媒Hankyung透露，第九代V-NAND闪存的堆叠层数将高达290层，但IT之家此前曾报道过，三星在学术会议上展示了280层堆叠的QLC闪存，其IO接口速度可达3.2GB/s。
2024-04-12 16:05:391410 据韩国业界消息，三星最早将于本月开始量产当前业界密度最高的290层第九代V-NAND（3D NAND）闪存芯片。
2024-04-17 15:06:591502 三星公司预计将于今年四月份大批量生产目前行业内为止密度最大的290层第九代V-NAND （3D NAND） 闪存芯片，这是继之前的236层第八代V-NAND后的显著提升，也代表着当前行业中最高的可量产堆叠层数。
2024-04-18 09:49:201500 韩国半导体巨头SK海力士正加速推进NAND闪存技术的革新，据韩媒最新报道，该公司计划于2025年末全面完成400+层堆叠NAND闪存的量产准备工作，并预计于次年第二季度正式开启大规模生产。这一举措标志着SK海力士在NAND闪存领域再次迈出坚实步伐，引领行业技术前沿。
2024-08-02 16:56:111743 NAND闪存，又称之为“NAND Flash”，是一种基于Flash存储技术的非易失性闪存芯片。下面将从NAND闪存的定义、工作原理、特点、应用领域以及未来发展等几个方面进行详细阐述。
2024-08-10 15:57:1913061 NAND Flash作为一种基于NAND技术的非易失性存储器，具有多个显著优点，这些优点使其在数据存储领域得到了广泛应用。以下是对NAND Flash优点的详细阐述，并简要探讨与其他类型存储器的区别。
2024-08-20 10:24:441952 近日，武汉光谷企业新存科技（武汉）有限责任公司（简称“新存科技”）宣布，其自主研发的国产最大容量新型三维存储器芯片“NM101”已成功面世。这一创新成果有望打破国际巨头在存储器芯片领域的长期垄断，为国产存储器芯片的发展注入新的活力。
2024-10-09 16:53:552590 竞争对手，并且两款产品均已获得主流控制器厂商验证。 长江存储X2-6070 128L QLC 1.33Tb NAND Flash，来源：长江存储 据报道，长江存储128层NAND闪存将于最晚明年上半年
2020-04-14 09:17:336072 在CITE 2020上，紫光集团带来了大量产品，其中包括长江存储的128层QLC三维闪存和新华三半导体高端路由器芯片EasyCore等。作为业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存，长江存储X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144822
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