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电子发烧友网>存储技术>三星计划在西安扩大闪存产能 未来三年投70亿美元

三星计划在西安扩大闪存产能 未来三年投70亿美元

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2021-05-18 15:26:381742

三星计划在美国建立11座芯片工厂,共将投资2000亿美元

据韩媒报道称,三星计划在美国投资建设11座芯片工厂,共将花费2000亿美元。 据了解,三星计划未来20内在美国投资2000亿美元来建立11座芯片工厂,这11座芯片工厂将全部坐落于美国的德克萨斯州
2022-07-22 16:40:372284

三星推环保计划 2025扩大使用环保材料比例

  最近,三星相关负责人表示,到2025,他们将在三星电子的所有产品中扩大使用环保材料,并将努力开发,以使环保技术的成本负担不会转嫁给消费者。该计划被称为“地球的galaxy”计划
2022-08-19 10:59:381784

三星电子将投资数亿扩大本国半导体产能

  据外国媒体报道,韩国芯片制造商三星电子(Samsung Electronics)预计将投资约740亿美元扩大其在韩国的半导体生产能力,以满足全球需求的长期增长。
2022-08-26 16:24:261270

三星最大芯片工厂P3产业线投产

  据报道,三星正在芯片制造业投入巨资。该公司正在花费数十亿美元在韩国和其他国家建造新的芯片制造厂。三星电子(Samsung Electronics)计划在未来20内向德克萨斯州的11家芯片工厂投资近2000亿美元
2022-09-13 11:05:371689

三星将小幅扩大OLED和DDI产能

  据消息人士透露,三星电子系统LSI事业部计划在2023略微扩大28nm-45nm 12英寸OLED和DDI的生产能力,并将通过与中国台湾UMC的合作,进一步确保智能手机OLED DDI的产能
2022-09-21 15:42:001416

三星计划在2027将成熟制程产能提高2.5倍

为了在与台积电的竞争中夺回优势,三星晶圆代工部门还在强化定制化程度较高的特殊制程,计划在2024将特殊制程节点的数量增加至10个及以上。
2022-12-20 11:22:49626

三星计划暂停平泽工厂部分NAND闪存生产

三星已经减少了主要nand闪存生产基地的晶圆投入额。这就是韩国的平泽、华城和中国的西安。业内人士认为,三星的nand闪存产量可能会减少10%左右。但在今年4月公布的2023q1业绩中,由于市场持续低迷,三星电子正式公布了存储器减产计划
2023-08-16 10:23:581255

三星24生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25量产层堆栈架构321层NAND闪存

三星24生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25量产层堆栈架构321层NAND闪存 存储领域的竞争愈加激烈,三星电子计划在2023正式生产第9代V-NAND闪存三星第9代V-NAND闪存
2023-08-21 18:30:53888

三星将在2024升级NAND设备供应链

三星业绩近期表现非常差,三星为了增强NAND闪存竞争力计划在2024升级其NAND核心设备供应链。
2023-08-30 16:10:02863

三星西安工厂将引进236层NAND芯片生产设备

 三星决定升级西安工厂的原因大致有两个。第一,在nand闪存市场尚未出现恢复迹象的情况下,在nand闪存市场保持世界领先地位。受从去年年底开始的it景气低迷和半导体景气低迷的影响,三星nand的销量增加,从而使亏损扩大
2023-10-16 14:36:001975

三星西安计划将NAND工艺升级为236层 明年初更换设备

据业界2日透露,三星电子计划对中国西安nand闪存工厂进行改造,将目前正在生产的128段(v6) nand闪存生产线扩大到236段(v8)。三星决定从明年初开始更换设备,并向业界通报了到2025分阶段完成的目标。
2023-11-03 11:48:032419

三星电子泰勒工厂建斥资47亿美元,影响整体规划

三星电子泰勒晶圆厂自2022夏季以来一直积极投入建设工作,预计年内竣工并开始生产第四代纳米级芯片4nm产品。依此计算,至2023末,该晶圆厂的整体建设投资将累计超过70亿美元,而整个建设周期总投入或将达到约117亿美元
2024-03-07 11:23:18822

三星西安NAND厂开工率回升至70%

三星电子,全球半导体产业的领军企业,近期在其位于中国西安的NAND闪存工厂实现了开工率的显著回升,从去年的低谷20-30%提升至目前的70%。这一变化不仅反映了三星电子对市场趋势的敏锐洞察和快速响应,也凸显了中国智能手机市场回暖以及全球半导体库存调整对产业链上游的积极影响。
2024-03-14 12:32:261306

三星计划NAND闪存价格谈判 欲涨价15%—20%

三星计划NAND闪存价格谈判 欲涨价15%—20% 三星认为NAND Flash价格过低;在减产和获利优先政策的促使下三星计划与客户就NAND闪存价格重新谈判,目标价位是涨价15%—20%。
2024-03-14 15:35:22995

美国计划三星电子公司拨款超60亿美元

据知情人士透露,美国计划三星电子公司拨款超过 60 亿美元,帮助这家芯片制造商扩大其已宣布的德克萨斯州项目的范围。
2024-03-15 17:05:511463

三星或将获得美国超60亿美元扩大投资

近日,业界传出重磅消息,美国计划向全球知名的芯片制造商三星电子公司提供超过60亿美元的奖励资金。此举旨在大力支持三星在得克萨斯州已经宣布的扩大投资项目,进一步巩固和扩大其在全球芯片市场的领先地位。
2024-03-18 11:42:05997

三星电子据悉最快下周宣布440亿美元美国芯片投资计划

根据目前已知的信息,三星电子最快可能在下周宣布一项价值440亿美元的美国芯片投资计划
2024-04-16 15:10:021243

美国授予三星64亿美元补贴 三星建厂投资规模提升至约450亿美元

美国授予三星64亿美元补贴 三星建厂投资规模提升至约450亿美元 美国商务部国家标准及技术研究所4月15日在官网宣布了一项声明显示美国将授予三星至多64亿美元的补贴,根据这个初步协议三星电子准备新建
2024-04-16 18:39:331916

三星计划在越南追加10亿美元年度投资

三星电子近日宣布将显著加强其在越南的投资布局,计划将年度投资规模增加至高达10亿美元。这一决策是在三星电子首席财务官朴韩洙与越南总理范明政上周的会谈中达成的。
2024-05-15 09:45:52845

三星拟斥资18亿美元扩大越南投资

三星集团进一步深化其在越南的战略布局,计划向该国追加投资18亿美元,以推动其业务版图的持续扩张。三星越南集团总经理崔裕浩在与越南总理范明政的汇报中透露,自进入越南市场以来,三星已在该国建立了包括6个制造工厂、1个研发中心及1个销售法人实体在内的庞大体系,累计投资额高达224亿美元
2024-09-25 14:25:42945

三星电子计划新建封装工厂,扩产HBM内存

三星电子计划在韩国天安市新建一座半导体封装工厂,以扩大HBM内存等产品的后端产能。该工厂将依托现有封装设施,进一步提升三星电子在半导体领域的生产能力。
2024-11-14 16:44:351203

MLC NAND产能或遭削减?三星否认停产传闻

近日,业界传出消息,MLC NAND(多层单元闪存)的产能供给将大幅削减,其中三星电子被指将调整产能。据市场传言,三星计划在2024底现货市场停止销售MLC NAND,并可能在20256月全面
2024-11-20 16:13:301462

三星MLC NAND闪存或面临停产传闻

近日,业界传出消息称,三星电子将大幅削减MLC NAND闪存产能供给,并计划在2024底停止在现货市场销售该类产品,而到了20256月,MLC NAND闪存可能会正式停产。这一消息引起了业界
2024-11-21 14:16:121474

三星电子获美47.45亿美元芯片补贴

未来几年内投资超过370亿美元,用于将其在得克萨斯州中部的现有设施打造成为一个集芯片研发、生产于一体的综合生态系统。具体而言,三星计划在该地区新建两座逻辑晶圆厂和一座研发晶圆厂,并扩建其在奥斯汀的现有设施。 此次补贴
2024-12-23 11:33:001468

三星削减中国西安NAND闪存产量应对市场变化

近日,三星电子宣布将对其在中国西安的NAND闪存工厂实施减产措施,以应对全球NAND市场供过于求的现状及预期的价格下滑趋势。据《朝鲜日报》报道,三星决定将该工厂的晶圆投入量削减超过10%,预计每月
2025-01-14 10:08:09852

三星西安NAND闪存工厂将建第九代产线

近日,据韩媒报道,三星位于中国西安的NAND闪存工厂正在加速推进技术升级与产能扩张计划。该工厂在成功将制程从第六代V-NAND(即136层技术)转换至第八代V-NAND(238层技术)的基础上,年内
2025-02-14 13:43:271089

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