比特位的技术），实现了具有极大存储容量的硅芯片。 目前，最先进的3D NAND闪存可在单个硅片上容纳高达1Tbit或1.33Tbit的数据。 譬如，英特尔（Intel）和美光科技（Micron）的开发联盟和三星电子各自将制造技术与64层堆栈和QLC（四层单元）技术相结合，该技
2019-08-10 00:01:00
8135 9月2日，长江存储正式对外宣布，其基于Xtacking®架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存（每颗裸芯片的存储容量为256千兆字位，每个存储单元为三个字位的三维闪存）正式量产，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。
2019-09-02 14:31:151919 SK海力士本周宣布，他们已经开始基于其128层3D NAND闪存采样产品，该产品不久将开始出现在最终用户设备中。一年前，他们推出了96层第5代3D NAND，但低价促使他们削减了产量，而第4代72L
2019-11-25 17:21:556386 Kioxia（原东芝存储），西部数据（WD）联盟3D NAND闪存使用三星电子技术进行批量生产。 东芝开发的3D NAND技术 BiCS 很早之前，原东芝存储就在国际会议VLSI研讨会上首次分享了
2019-12-13 10:46:0712470 Western Digital和Kioxia宣布成功开发了最新一代的3D NAND闪存。他们的第五代BiCS 3D NAND已以512 Gbit TLC部件的形式开始生产，但要到今年下半年才能增加到
2020-02-13 01:00:007244 3D堆叠、多芯片封装大家想必都不陌生了，这年头制造工艺已经没有太多噱头，有时甚至性能提升也有限，厂商只好从架构上入手。像苹果的Ultra Fusion拼接、Graphcore的3D WoW，都是在
2022-04-13 01:06:007527 7月24日国外消息：SanDisk在3D NAND方面正在走自己的技术路线-- 在同一个区域记录层的堆叠在一个闪存芯片放到另一个提供更多的容量之内。
2013-07-25 10:24:231561 三星目前已完成32层堆叠第二代V-NAND的研发作业，计划第3季推出48层堆叠第三代V-NAND产品后，于2016年生产64层堆叠的V-NAND产品。
2015-08-11 08:32:001030 东芝推出全球首款注148层3D堆叠式结构闪存注2，该闪存容量达到256Gb（32GB），同时采用了行业领先的三阶存储单元（TLC）技术。这款全新闪存适用于各种产品应用，包括消费级固态硬盘（SSD）、智能手机、平板电脑和内存卡以及面向数据中心的企业级SSD。据悉，样品将于9月开始发货。
2015-08-19 13:37:591707 在汽车电子领域，东芝主要围绕环保、信息、安全三个角度扩展市场。环保上，通过在燃油气体排放限制大力推进性能改进。##在数据存储方面，东芝首款48层3D堆叠闪存BiCS FLASH™实现了256 Gb芯片密度，具有更快的写入速度、擦除耐久性以及低功耗。
2016-03-28 09:15:451722 
三星已经连续推出两代立体堆叠3D闪存，分别有24层、32层，并已用于850 EVO、850 Pro等多款固态硬盘产品，2015年8月正式量产首款可应用于固态硬盘（SSD）中的48层3bit MLC
2016-07-13 10:32:437470 目前，我们还无法断定3D NAND是否较平面NAND更具有製造成本的优势，但三星与美光显然都决定把赌注押在3D NAND产品上。如今的问题在于，海力士（SK Hynix）与东芝（Toshiba）两大市场竞争对手能否也拿出同样具备竞争优势的产品？
2016-09-12 13:40:252173 西数公司日前表示今年会试产512Gb核心容量的64层堆栈3D NAND闪存，单颗核心容量就达到了64GB，比目前主流水平翻倍，制造超大容量SSD硬盘更容易了。
2017-02-07 14:21:311053 据外媒报道，东芝今天宣布正式出货BiCS FLASH 3D闪存，采用64层堆叠，单晶粒容量512Gb（64GB，TLC），相对于上一代48层256Gb，容量密度提升了65%，这样封装闪存芯片的最高容量将达到960GB。
2017-02-23 08:33:401752 电子发烧友早八点讯：三星今天在韩国宣布，开始大规模量产64层堆叠、256Gb（32GB）、3bit的V-NAND闪存芯片，是为第四代3D闪存。
2017-06-16 06:00:002458 目前东芝已经提出了创纪录的96层堆叠3D闪存——第四代BiCS闪存。它的内部是如何工作的？一颗闪存芯片又是,如何演变成我们能看到的闪存颗粒？
2017-09-20 09:39:1426286 六大NAND Flash颗粒制造商之一的东芝也宣布了自家96层3D NAND产品的新消息：他们正式推出了旗下首款使用96层3D NAND闪存的固态硬盘产品XG6。在性能方面，XG6也算是追上了目前
2018-07-24 10:57:355877 日本东芝记忆体与合作伙伴西部数据为全新的半导体设施Fab 6 (6号晶圆厂)与记忆体研发中心举行开幕仪式；东芝记忆体总裁Yasuo Naruke无惧芯片价格下跌疑虑，表示将于9月量产96层3D NAND快闪芯片。
2018-09-20 09:25:425627 3D堆叠像素探测器芯片技术详解
2024-11-01 11:08:074435 
在三星、东芝存储器（TMC）、西部数据、美光、SK海力士等3D技术快速发展的推动下，不仅NANDFlash快速由2DNAND向3DNAND普及，2019下半年原厂将加快从64层3DNAND向96层
2019-07-05 09:11:117106 在几大闪存原厂的主力从96层升级到128/144层之后，美光、SK海力士之前推出了176层的3D闪存，现在铠侠、西数也加入这一阵营，推出了162层3D闪存。各大厂商的3D闪存技术并不一样，所以堆栈
2021-02-20 10:02:323312 3D NAND能否带动SSD市场爆炸性成长？如何提升SSD寿命及效能？3D NAND及PCIe NVMe SSD能晋升巿场主流的原因是什么？
2021-04-02 07:17:39
，生产规模和生产效率仍有较大提升空间等。而3D打印技术的出现给了制造业全面转型升级的契机和依据。首先，采用3D打印革新制造业，省时省力，更可以提高生产效率。传统制造业以“全球采购、分工协作”为主要特征，产品
2018-08-11 11:25:58
生产复杂度高的产品。借助 3D打印的优势，可以缩短产品开发周期，削减设计成本，这对于消费品行业意义重大。华融证券 3D打印研究团队分析师：张迪3D打印在消费品行业的应用优势主要体现在提升设计水平和节省
2017-06-12 17:55:11
3D显示技术的原理是什么？3D显示技术有哪些应用？3D拍好了到底怎么样传输？
2021-05-31 06:53:03
技术的成熟推进3D显示行业发展随着裸眼3D中的柱镜光栅技术在效果提升的同时降低了成本，技术日益成熟，其效果远超贴膜等狭缝技术在3D显示领域中逐渐得到普及，裸眼3D显示技术市场将持续扩大。目前人眼追踪
2020-11-27 16:17:14
微波器件指天线/功分器/PA功放/波导等等，安装在卫星/飞机上的部件需要轻质化，一般采用铝合金制造，但器件一些部分之间需要绝缘处理，能否一体化3D制造，节省制造成本且降低组装调试费用？还能大幅度
2019-07-08 06:25:50
G700F512GS435S512G固态硬盘S435S256G随着原厂加快3D技术的推进，96层3D NAND新制程战火的升温，金士顿消费级旗舰KC2000系列SSD采用东芝/SanDisk 96层
2022-02-06 15:39:12
3D NAND的生产状况。之前西部资料制定过一个目标，希望今年采用BiCS 3技术生产的64层3D NAND能占到3D NAND产量的75%，不过现在这个数字有望能提升到90%以上。另一组资料显示
2022-02-03 11:41:35
，大数据存储需求持续增加，一直到2021年NAND Flash平均每年增长率达40%-45%，而美光NAND技术从40nm到16nm，再到64层3D技术，一直为市场提供更好的产品和解决方案。就在几个月前美
2018-09-20 17:57:05
的96层3D闪存使用的是新一代BiCS4技术，QLC类型的核心容量高达1．33Tb，比业界标准水平提升了33％，东芝已经开发出了16核心的单芯片闪存，一颗闪存的容量就有2．66TB。 国内崛起撬动全球
2021-07-13 06:38:27
，降低武器装备成本，提高维修保障时效性与精度。在世界各国的广泛关注与大力推进下，近年来3D打印技术的发展与应用不断取得突破，显示了良好的军事应用前景，将对武器装备的发展产生深远影响。
2019-07-16 07:06:28
发光字3D打印机制作3D发光字，因其特殊的成型原理，制作出来的发光字立体感更强，可以带来视觉冲击。整个制作流程简单不需要技术门槛，降低了人工成本，提高了制字效率。3D打印生产发光字技术是环保新工艺，解决了环保的痛点，是传统制字工厂与个人创业的新方向。`
2018-10-14 16:56:30
solutions now available.随着消费者越来越多地选择3 D显示技术， 3 D主动快门式眼镜生产厂家面临着不断的挑战，需要开发出消费者愿意接受成本下的高质量眼镜。减小物理尺寸，真正的通用操作，降低
2012-06-18 13:56:44
闪存中BiCS技术的闪存核心面积最低，也意味着成本更低。此外，铠侠今年推出的UFS 3.1嵌入式Flash闪存芯片，同样是基于东芝BiCS 3D存储技术打造，设计容量包括128GB、256GB
2020-03-19 14:04:57
东芝近日公布聚焦能源、社会基础设施、半导体存储业务领域，扩大在存储业务上的投资。为扩大3D闪存“BiCS FLASH TM”的生产，东芝在毗邻日本四日市工厂（三重县四日市市）的区域建造新厂房以及引进生产设备的投资方案已获得董事会批准。
2016-04-06 13:42:22563 上周东芝及西部数据宣布，已研发出堆叠64层的3D NAND Flash制程，并将于2017年上半年开始量产，不过恐怕仍无法超车NAND Flash市占王三星。
2016-08-02 14:53:261430 现在，西数全球首发了96层堆栈的3D NAND闪存，其使用的是新一代BiCS 4技术（下半年出样，2018年开始量产），除了TLC类型外，其还会支持QLC，这个意义是重大的。
2017-06-28 11:22:40937 6月29日消息 据外媒NEOWIN报道，英特尔今天宣布推出SSD 545s固态硬盘，它是主流的SATA驱动器，使用Silicon Motion控制器和IMFT的64层3D TLC闪存。 这是世界上首款可供商用的64层3D NAND SSD产品，且目前仅提供512 GB容量版本。
2017-06-29 17:56:051179 系列固态硬盘，由于采用了64层TLC 3D NAND技术，该系列产品的存储密度更高，也就是说价格就要比同级别产品或许更便宜一些。
2017-06-30 09:55:491242 东芝日前发布了全球首个基于QLC(四比特单元) BiCS架构的3D NAND闪存芯片，64层堆叠封装，单颗容量可以做到768Gb(32GB)，可以带来容量更大、成本更低的SSD产品。
2017-07-04 14:43:502960 东芝在SSD技术上已经是领先各大厂商，东芝对于64层堆叠设计的3D TLC闪存真是爱的太深，产品布局之神速令人惊叹。现在又将64层堆叠设计的3D TLC闪存带到了企业及产品上，得益于这种高容量堆叠
2017-08-08 15:56:272744 尽管不少用户对TLC的寿命和稳定性都保持谨慎的态度，但东芝将TLC应用到企业级，却也表达了东芝对TLC的信心。继主流的XG5 NVMe、低端的TR200 SATA、单芯片的BG3之后，就在近日，东芝再将64层堆叠设计的3D TLC闪存带到了企业级领域，而这也是全球首次。
2017-08-09 15:53:564419 近日，东芝首款64层3D NAND SSDTR200 SATA固态硬盘系列正式上市。TR200系列可提供给个人电脑和笔记本电脑更强的性能表现，并且满足用户对大容量SSD的使用要求。其具备高效能
2017-10-31 16:01:191180 2018年是3D NAND产能快速增长的一年，主要是因为Flash原厂三星、东芝、SK海力士、美光等快速提高64层3D NAND生产比重，而且相较于2D NAND技术，64层256Gb和512Gb在市场上的广泛应用，使得高容量的NAND Flash相关产品价格持续下滑
2018-07-16 09:48:00918 今天，美光正式发布了旗下的CrucialMX500系列SSD，其最大的特色就是采用了64层3DTLCNAND闪存，这是美光首次在消费类产品中采用这类闪存。
2018-06-29 11:02:002517 3D打印技术能够通过降低模具成本，减少材料，减少装配，减少研发周期等优势来降低企业制造成本，提高生产效益。那么，是不是将原有的设计思维和对于制造成本的管控方式直接挪到3D打印这种增材制造方式中来就可以发挥出3D打印的优势了呢？ 面对3D打印技术，企业是紧盯3D打印对制造成本的影响，还是放眼全局？
2018-05-23 10:38:012770 而且在堆叠层数增加的时候，存储堆栈的高度也在增大，然而每层的厚度却在缩小，以前的32/36层3D NAND的堆栈厚度为2.5μm，层厚度大约70nm，48层的闪存堆栈厚度为3.5μm，层厚度减少到
2018-06-03 09:50:556262 东芝开发了 Bit Cost Scalable（BiCS）的工艺。BiCS 工艺采用了一种先栅极方法（gate-first approach），这是通过交替沉积氧化物（SiO）层和多晶硅（pSi）层实现的。然后在这个层堆叠中形成一个通道孔，并填充氧化物-氮化物-氧化物（ONO）和 pSi。
2018-06-13 15:10:387338 美光科技公司推出了5200系列 SATA SSD，该产品基于64层3D NAND技术，5200系列固态盘为经济实惠的虚拟化工作负载提供了成本优化的SATA平台，这些工作负载在HDD，BI / DSS，VDI，块/对象和媒体流。
2018-07-23 17:01:006867 由于NAND闪存价格上涨，SSD普及的道路走的异常艰难，同容量下SSD和HDD的价格始终相差悬殊，但美光今天新推出MX500系列SSD采用了64层3D TLC NAND闪存，把SSD的价格和性能控制在一个很好的平衡点，具有极高的性价比和极强的市场竞争力，或许可以打破这一困境。
2018-07-24 16:01:365391 ）BiCS FLASH™存储器，为电脑游戏玩家和DIY爱好者提供公司首款采用64层3D闪存的升级版SSD。
2018-07-25 17:11:251201 NAND Flash控制IC大厂群联日前宣布，PCI-e规格的固态硬碟（SSD）晶片已经通过3D NAND Flash BiCS3测试，下半年将成为PC／NB OEM的SSD市场主流规格，将可望扩大SSD市占率。
2018-08-03 16:08:212411 随着原厂3D技术的快速发展，2018下半年各家原厂在96层和QLC技术上竞争激烈，其中，三星已在7月份宣布量产96层3D NAND。据DIGITIMES报道称，东芝存储器（TMC）96层3D NAND将在Q4扩大出货，代表着NAND Flash市场霸主之争正式拉开序幕。
2018-08-05 11:50:161646 东芝宣布已经进行开发拥有当前最高容量的闪存芯片原型，单颗芯片就能有着 1.33Tb（或 166GB）的容量−−这是利用他们的 96 层 QLC 3D NAND 技术，对比现在主流的 TLC 只有
2018-08-13 17:27:004269 东芝存储美国公司Toshiba Memory America，Inc.（TMA）推出全新SAS接口RM5系列SSD，预计将取代服务器应用中的SATA接口SSD。RM5系列SSD采用东芝BiCS 3D
2018-08-16 15:58:032602 Maxio（杭州联芸科技）日前展示了基于Intel 3D QLC闪存的SSD样品，容量高达4TB。
2018-08-19 11:42:401636 上周，美光系与英特尔推出了64层3D QLC NAND，由于采用的QLC（4bits/cell）架构相较于TLC（3bits/cell）容量更大，使得单颗Die容量可高达1Tb，备受市场高度关注
2018-08-22 16:25:462599 3D NAND通过设备中堆叠的层数来量化。随着更多层的添加，位密度增加。今天，3D NAND供应商正在推出64层设备，尽管他们现在正在推进下一代技术，它拥有96层。分析师表示，到2019年中期，供应商正在竞相开发和发布下一代128层产品。
2018-08-23 16:59:4812625 随着64层/72层3D NAND产出的增加，以及原厂QLC和96层3D技术快速发展，NAND Flash在经历2年涨价后，2018年市场行情从缺货转向供应过剩，再加上成本下滑，以及供需双方博弈刺激下，预计2018年全球SSD出货量将超过1.9亿台，甚至有望冲刺2亿台。
2018-08-31 16:15:002745 东芝发布了XS700系列固态移动硬盘新品，与传统机械式移动硬盘相比，它不仅速度更快、更加耐用、还支持USB 3.1 Gen 2 Type-C连接。东芝表示，这款固态移动硬盘采用了自家的64层BiCS
2018-09-03 17:22:161840 作出3D NAND闪存的，但制造工艺复杂，要求很高，而东芝的BiCS闪存是Bit Cost Scaling，强调的就是随NAND规模而降低成本，号称在所有3D NAND闪存中BiCS技术的闪存核心面积最低
2018-10-08 15:52:39780 传说中的64层3D NAND的故事，延续了1年时间。这次巧合的机会体验到东芝TR200 SSD 240G。而且是东芝自主研发的3D闪存技术。是东芝首款64层 3D NAND SSD。
2018-10-09 16:26:0011015 今年8月初，NAND闪存巨头三星电子宣布开始量产业界首款消费级QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64层3D堆叠，单芯片容量1Tb（128GB）。
2018-11-23 08:36:521378 NAND Flash产业在传统的Floating Gate架构面临瓶颈后，正式转进3D NAND Flash时代，目前三星电子（Samsung Electronics）、东芝（Toshiba）的3D
2018-12-03 09:04:572304 推出64层/72层3D NAND，预计从下半年开始将陆续进入量产阶段，届时3D NAND产能将大幅增加。
2018-12-10 10:00:571562 在近日举行的英特尔“架构日”活动中，英特尔不仅展示了基于10纳米的PC、数据中心和网络系统，支持人工智能和加密加速功能的下一代“Sunny Cove”架构，还推出了业界首创的3D逻辑芯片封装技术——Foveros。这一全新的3D封装技术首次引入了3D堆叠的优势，可实现在逻辑芯片上堆叠逻辑芯片。
2018-12-14 15:35:328854 英特尔近日向业界推出了首款3D逻辑芯片封装技术“Foveros”，据悉这是在原来的3D封装技术第一次利用3D堆叠的优点在逻辑芯片上进行逻辑芯片堆叠。也是继多芯片互连桥接2D封装技术之后的又一个颠覆技术。
2018-12-14 16:16:453316 近日，武汉新芯研发成功的三片晶圆堆叠技术备受关注。有人说，该技术在国际上都处于先进水平，还有人说能够“延续”摩尔定律。既然3D芯片堆叠技术有如此大的作用，那今天芯师爷就跟大家一起揭开它的面纱。
2018-12-31 09:14:0034067 对于目前的高端市场，市场上最流行的2.5D和3D集成技术为3D堆叠存储TSV，以及异构堆叠TSV中介层。Chip-on-Wafer-on-Substrate（CoWos）技术已经广泛用于高性能计算
2019-02-15 10:42:198043 
近日，LiteOn推出一款最新MU3系列SSD，采用东芝64层BiCS 3D TLC NAND，7毫米/2.5英寸外形，SATA 6Gbps接口，提供120GB，240GB和480GB三种容量选择。
2019-02-18 15:33:374328 的感觉。经过近几年的发展，技术也是一直在突破，拿东芝（TOSHIBA）的 TR200系列来说，采用了全新原厂64层3D堆栈技术，不但降低存储单元耦合干扰，又大幅度提升了读写能力。
2019-03-15 14:09:177597 日前有消息称紫光纯国产的SSD硬盘就要上市了，使用是他们研发生产的64层堆栈3D TLC闪存，P/E次数可达1500次，这个技术及规格在主流SSD中已经不低了。
2019-03-15 10:38:455883 长江存储科技（YMTC）本周早些时候表示，已经开始批量生产采用专有Xtacking架构的64层3D NAND存储器。
2019-09-09 10:22:162374 紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布，开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存。
2019-09-19 11:10:091144 紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布，开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存。
2019-09-23 17:05:241455 今年一季度，紫光旗下的长江存储（YMTC）开始投产 64 层堆栈 3D 闪存，容量 256Gb，TLC 芯片，初期的月产能仅有 5000 片。
2019-10-25 16:53:331140 SK海力士日前宣布推出新一代企业级SSD固态硬盘，不过并没有公布新品SSD的名称，有限的信息为支持NVMe协议，采用72层堆栈的3D TLC闪存，M．2版容量最大容量4 TB，U．2版最大容量可达8 TB。
2019-12-09 11:43:572304 困于10nm的Intel也在这方面寻找新的机会，其在去年年底的“架构日”活动中，推出其业界首创的3D逻辑芯片封装技术——Foveros，Foveros首次引入3D堆叠的优势，可实现在逻辑芯片上堆叠
2020-01-28 16:10:004118 NAND闪存巨头三星电子宣布开始量产业界首款消费级QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64层3D堆叠，单芯片容量1Tb（128GB）。
2019-12-13 11:35:481654 至于原因，东芝认为3D XPoint成本太高，在容量/价格比上难以匹敌3D NAND 技术，现在市面上96层堆叠的闪存已经大量涌现，可以在容量上轻松碾压3D XPoint。
2020-01-02 09:27:343123 存储公司 Kioxia(原东芝存储)近日宣布，将在今年 Q1 送样 112 层 TLC Flash 芯片，这是第五代 BiCS Flash 3D 存储芯片。
2020-02-03 15:44:222735 前几天西数、铠侠(原东芝存储)各自宣布了新一代BiCS5技术的3D闪存，堆栈层数也从目前的96层提升到了112层，IO接口速度提升40%，同时QLC型闪存核心容量可达1.33Tb，目前是世界最高水平的。
2020-02-04 15:23:071081 
西数公司今天正式宣布了新一代闪存技术BiCS5，这是西数与铠侠（原来的东芝存储）联合开发的，在原有96层堆栈BiCS4基础上做到了112层堆栈。
2020-02-06 15:13:363554 今日（4月13日），长江存储重磅宣布，其128层QLC 3D闪存（X2-6070）研制成功，并已在多家主控商场SSD等终端产品上通过验证。
2020-04-13 09:23:091347 西部数据公司 （NASDAQ： WDC）日前宣布已成功开发第五代3D NAND技术——BiCS5，继续为行业提供先进的闪存技术来巩固其业界领先地位。BiCS5基于TLC和QLC技术构建而成，以有
2020-07-24 15:09:132151 存储器厂商美光宣布，其第五代3D NAND闪存技术达到创纪录的176层堆叠。预计通过美光全新推出的176层3D NAND闪存技术以及架构，可以大幅度提升数据中心、智能边缘计算以及智能手机存储
2020-11-12 16:02:553696 发展至今，NAND Flash已呈现白热化阶段。就在前不久，存储厂商们还在128层“闪存高台上观景”，2019年6月SK海力士发布128层TLC 3D NAND；美光于2019年10月流片出样128
2020-12-09 14:55:374583 的层数也不同，铠侠、西数使用的BiCS技术，堆栈层数并不是最高的，但是存储密度不错，这次162层相比之前的112层闪存提升了10%的密度。 这样一来，从112层提高到162层使得芯片的面积减少了40%，在同样的300mm晶圆上可以多生产70%的容量，直接大幅降低了闪存成本。 除
2021-02-19 18:03:412917 在Win-Win华为创新周期间，华为与联通视频科技有限公司联合发布了灵境3D解决方案。该方案支持点播和直播全自动输出3D视频流，极大地降低了3D内容制作成本，助力运营商不断创新，丰富用户体验，创造视频业务新增长点。
2022-07-22 09:15:311710 3D NAND闪存是一种把内存颗粒堆叠在一起解决2D或平面NAND闪存限制的技术。这种技术垂直堆叠了多层数据存储单元，具备卓越的精度，可支持在更小的空间内，容纳更高的存储容量，从而有效节约成本、降低能耗，以及大幅度地提升性能。
2023-06-15 09:37:563209 
3D打印是一种数字制造技术，也被称为增材制造（Additive Manufacturing），它可以将数字三维模型逐层地转化为实体物体。与传统的减材制造方式（如切削加工）不同，3D打印是一种将物体逐层堆叠构建的技术。
2023-08-28 16:11:062529 三星将在IEEE国际固态电路研讨会上展示其GDDR7产品以及280层堆叠的3D QLC NAND技术。
2024-02-01 10:35:311299 目前，铠侠和西部数据共同研发NAND闪存技术，他们最杰出的作品便是218层堆叠的BICS8 3D闪存，这项产品能达到的传输速度高达3200MT/s。
2024-04-07 15:21:571351 在全球半导体技术的激烈竞争中，SK海力士再次展示了其卓越的研发实力与创新能力。近日，在美国夏威夷举行的VLSI 2024峰会上，SK海力士宣布了其在3D DRAM技术领域的最新研究成果，其中5层堆叠的3D DRAM良品率已高达56.1%，这一突破性的进展引起了业界的广泛关注。
2024-06-27 10:50:221473 在半导体技术迈向“后摩尔时代”的进程中，3D集成电路（3D IC）凭借垂直堆叠架构突破平面缩放限制，成为提升性能与功能密度的核心路径。
2025-12-26 15:22:38196 
2030年实现1000层堆叠的3D NAND存储器。 3D NAND似乎已经成为各大存储企业竞相追逐的“工业明珠”，包括三星、海力士、美光、铠侠、长江存储等都在这一领域投入大量资源，而比拼的就是堆叠层数。 3D NAND 为何如此重要？ 随着数字化信息的爆炸性增长，对对存储容量的需求也在
2024-06-29 00:03:008061
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