SK海力士本周宣布,他们已经开始基于其128层3D NAND闪存采样产品,该产品不久将开始出现在最终用户设备中。一年前,他们推出了96层第5代3D NAND,但低价促使他们削减了产量,而第4代72L
2019-11-25 17:21:55
6386 据韩媒报道,SK海力士将在2020年进行一系列的人事调动和业务重组,其中会将DRAM和NAND Flash两大开发部门整合在一起,实现从开发、制造,以及业务的后期处理等统一的管理。 Jin
2019-12-07 00:53:00
4758 4D NAND,基于先进的制程工艺,将无形的给其他SSD品牌厂竞争压力。 SK海力士发言人表示:SK海力士的新SSD是为寻求运行多媒体和要求苛刻的PC游戏等终端应用客户提供高性能首选解决方案。在CES
2019-12-30 15:57:39
4178 SK 海力士最先进 72 层 3D NAND 内存传明年开始量产,韩联社 26 日引述知情人事消息报导指出,海力士计划于 2017 上半年完成芯片设计,位在利川(Icheon)的 M14 厂将可在下半年开始生产。
2016-12-27 09:06:35
1594 );2016年初时SK海力士也公开表示将进军车用半导体市场,持续扩大客源。
目前SK海力士对客户供应用于车载资讯娱乐(Infotainment)的存储器,也量产车用DDR2及DDR3 SD DRAM
2016-12-30 09:10:39
1434 SK海力士发布了全球首款基于128层NAND闪存的消费级SSD——SK海力士Gold P31,提供500GB和1TB两种存储容量,产品已上架亚马逊。
2020-08-19 13:59:42
3984 据韩媒报道,近期SK海力士遭受了黑客组织Maze的勒索攻击,目前Maze声称入侵了SK海力士11TB的数据,并公布了约600MB的数据信息,约占其总数据量的5%。
2020-08-24 14:21:05
3699 英特尔同意以大约90亿美元将其Nand存储业务出售给韩国的SK海力士,以专注于其主要业务。
2020-10-20 10:16:42
3366 根据南韩媒体 《Business Korea》 报道,南韩存储器大厂 SK 海力士旗下为积极争取未来中国境内的晶圆代工需求,在近期 SK 海力士收购英特尔的 NAND Flash 快闪存储器业务之后
2020-11-11 10:12:40
3651 在最近的IEEE国际可靠性物理研讨会上,SK海力士分享了其近期和未来的技术目标愿景。SK海力士认为,通过将层数增加到600层以上,可以继续提高3DNAND的容量。此外,该公司有信心借助
2021-03-29 14:38:43
7477 4月16日消息 据悉,SK海力士正在与德国汽车巨头博世公司(Bosch)洽谈为其提供汽车存储芯片的事宜。 据称,SK海力士已完成了符合博世要求规格的内存芯片的开发。与消费类设备中使用的DRAM
2021-04-16 12:37:47
2906 近日,SK海力士官网发布新闻消息称,公司已于7月初开始量产适用第四代10nm(1a)级工艺的8Gb LPDDR4 移动端DRAM产品。值得注意的是,这是SK海力士首次采用EUV技术进行DRAM量产
2021-07-13 06:36:58
3394 
电子发烧友网综合报道,据韩媒报道,SK海力士副总裁李圭(音译)近日在学术会议上表示,SK海力士正在推行混合键合在 HBM 上的应用。目前正处于研发阶段,预计最早将应用于HBM4E。 据介绍,目前
2025-04-17 00:05:00
1060 电子发烧友网综合报道,SK海力士宣布公司成功开发出搭载全球最高321层1Tb(太比特,Terabit)TLC(Triple Level Cell)4D NAND闪存的移动端解决方案产品UFS 4.1
2025-05-23 01:04:00
8534 。在此基础上,7月正式进入量产阶段,并开始向客户供应。 ZUFS(Zoned UFS)是将分区存储(Zoned Storage)技术应用于UFS的扩展规格,可将不同用途和特性的数据进行分区(Zone
2025-09-19 09:00:00
3509 电子发烧友网综合报道,据韩媒报道,存储行业巨头SK海力士正全力攻克一项全新的性能瓶颈技术高带宽存储HBS。 SK海力士研发的这项HBS技术采用了创新的芯片堆叠方案。根据规划,该技术将通过一种名为
2025-11-14 09:11:21
2448 
大家好!小金子为各位介绍一款JSC品牌1Gbit NAND FLASH。这款JSHU271G08SCN-25型号的规格书与SK海力士和Spansion进行了对比,惊讶的发现竟然完全一样。唯一
2018-01-10 09:55:21
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2021-01-29 17:52:55
2012年4月5日,中国上海 –Spansion公司(纽约证交所代码:CODE)与SK海力士公司近日宣布结成战略同盟,并针对嵌入式应用市场发布4x、3x、2x节点Spansion SLC NAND产品。基于双方合作开发
2012-04-06 09:05:39
1094 SK 海力士最先进72 层3D NAND 记忆体传明年开始量产,韩联社26 日引述知情人事消息报导指出,海力士计划于2017 上半年完成芯片设计,位在利川(Icheon)的M14 厂将可在下半年开始生产。
2016-12-27 14:15:11
1317 
SK 海力士周一发布全球最高密度、低耗能移动 DRAM,将应用于未来智能手机上。 海力士运用双通道 16 Gigabit 双通道芯片打造出低耗电 DDR4X 移动 DRAM,容量达 8GB。以 LPDDR4X 标准而言,SK 海力士新内存芯片密度是全球最高,功效则较现有 LPDDR4 提高两成。
2017-01-10 11:55:12
941 据海外媒体报道,韩国SK集团(SK Group)为了提升股东价值,针对五大新事业领域加强对外购并。但身为集团金牛的SK海力士(SK Hynix)却位在叠床架屋的组织框架底部,引发外界猜测SK集团将进行整体结构调整,让SK海力士升格为直属于集团的子公司。
2017-01-11 09:46:48
4346
受益于DRMA和NAND市场需求,SK海力士在存储领域的地位大幅提升。据报道,SK海力士将会考虑在中国涉足芯片代工业务,设立一家合资工厂,为没有半导体制造工厂的公司制造芯片
2017-12-20 15:40:48
1711 今年的闪存技术峰会,美光、SK海力士包括长江存储都宣布了新一代的立体堆叠闪存方案,SK海力士称之为“4D NAND”,长江存储称之为Xtacking,美光则称之为“CuA”。CuA是CMOS under Array的缩写
2018-08-12 09:19:28
7883 SK海力士在清州建设M15工厂的建成仪式将于9月17日在清州举行。SK海力士计划通过从明年初开始增产96层3D NAND闪存的策略,来巩固其市场主导地位。
2018-09-07 16:59:04
3820 SK海力士完成M15工厂有两大意义。首先,NAND Flash快闪存储器因为工业4.0应用而快速成长,而新工厂将帮助SK海力士更积极因应全球对3D NAND Flash快闪存储器的需求。
2018-10-12 16:17:00
5500 SK海力士能否凭借新产品在竞争力相对弱势的NAND闪存市场站稳脚跟并争取NAND闪存市场的主导权,倍加受人关注。SK海力士在全球D-RAM市场仅次于三星电子排名第二,但在NAND闪存市场却以大约10
2018-11-09 15:49:51
5400 SK海力士宣布将在忠清北道清州市新建一个存储器晶圆厂,满足NAND Flash市场增加的需求。新工厂将坐落在清州科技园。SK海力士下个月开始设计外部的建设,2017年8月到2019年6月期间完成洁净室的装备,总投资达2.2兆韩元(18.4亿美金)。
2018-12-03 08:52:56
1817 4月18日,SK海力士半导体(中国)有限公司(下简称“SK海力士”)举行主题为“芯的飞跃、芯的未来”的竣工仪式,宣布SK海力士二工厂项目竣工。
2019-04-19 16:30:37
3771 SK海力士今年第一季财报和当初预期相同,受存储器行情影响,营收和营益骤减,对此SK海力士准备以强化技术、调整生产线应对市场,预计今年NAND晶圆投入量将比去年减少10%以上。
2019-04-25 19:23:19
1116 SK海力士今年第一季财报和当初预期相同,受存储器行情影响,营收和营益骤减,对此SK海力士准备以强化技术、调整生产线应对市场,预计今年NAND晶圆投入量将比去年减少10%以上。
2019-04-26 17:40:41
4060 对于SK海力士而言,无锡工厂将承担SK海力士存储半导体生产总量的一半份额。
2019-06-21 08:44:40
4775 SK海力士宣布已向主要SSD(固态硬盘)控制器公司提供新的1Tb QLC NAND样品,并开发了自己的QLC软件算法和控制器,计划扩大基于96层1Tb QLC 4D NAND的组合产品。
2019-07-25 15:08:54
4098 7月11日,业内传出消息称,SK海力士计划收购Intel位于中国大连的Fab 68存储工厂及3D NAND业务。对此传闻,英特尔向芯智讯进行了回应。
2019-08-06 15:16:01
4741 海力士则是宣布成功开发出128 层堆叠的4D NAND Flash,并已经进入量产阶段。不过,虽然两家厂商竞相推出NAND Flash 的新产品,但是堆叠技术的发展至今仍未到达极限。所以,SK
2019-08-15 09:05:12
3089 根据消息报道,韩国全球半导体制造商SK海力士将在2020年国际消费电子展(CES)上推出最新的“Gold P31”和“Platinum P31”PCIe NVMe固态硬盘,采用SK海力士的128层4D NAND闪存。
2019-12-30 15:27:12
4487 在最近举办的CES 2020展会上,SK海力士展出了两款新的高端SSD,分别是Gold P31、Platinum P31,最大特点采用了SK海力士自家的4D TLC NAND闪存。
2020-01-13 11:45:55
3583 SK海力士表示,为了应对以更小模块尺寸实现较高分辨率的竞争,SK海力士旗下的“黑珍珠(Black Pearl)”系列新推出的4款1.0μm(微米)级图像传感器产品将像素尺寸从原来的1.12μm降低到1.0μm。
2020-03-30 14:21:23
5200 4月8日消息,近日,SK海力士宣布推出基于首款 128 层 1Tb TLC 4D NAND 闪存的企业级 SSD-- PE8111,是针对读取密集型应用设计的高容量存储解决方案。SK海力士是一家全球存储器半导体制造商,其产品组合中包括 DRAM,NAND 闪存和控制器,以及 SSD 的全套技术。
2020-04-09 14:09:19
4475 TrendForce数据显示,SK海力士与Intel在今年第二季的营收市占率为11.7%及11.5%,分别位于第四名及第六名。若以产品竞争力详细区分,以2019年来看,SK海力士在NAND
2020-10-20 11:28:51
2537 据路透社当地时间19日报道援引知情人士称,英特尔正准备将NAND芯片业务,以近100亿美元的价格,出售给SK海力士。若交易达成,将使得SK海力士超越日本Kioxia,成为NAND内存市场的全球第二大厂商,并进一步缩小与行业领头羊三星之间的差距。
2020-10-20 14:10:14
2309 据报道,英特尔已同意将Nand闪存业务出售给韩国公司SK海力士,价格约90亿美元。英特尔正在采取全面措施,专注于主营业务的经营。
2020-10-20 14:33:35
2138 今天,SK 海力士宣布将支付 90 亿美元收购英特尔 NAND 闪存及存储业务。本次收购包括英特尔 NAND SSD 业务、NAND 部件和晶圆业务、以及其在中国大连的 NAND 闪存制造工厂
2020-10-20 16:10:13
2836 工厂。 两家公司将争取在2021年底前取得所需的政府机关许可。之后,SK海力士将首先支付70亿美元获得英特尔的NANDSSD业务(包括NANDSSD相关知识产权和员工)以及大连工厂。 预计到2025年3月,SK海力士最终支付20亿美元收购其余相关资产,包括NAND闪存晶圆的生产及设计相关的
2020-10-20 17:18:28
7473 韩国存储芯片制造商SK海力士(SK Hynix)已宣布与英特尔达成NAND闪存单元协议。根据协议,SK海力士将向英特尔支付90亿美元。该协议的范围包括在中国大连的NAND SSD部门,NAND部件
2020-10-21 14:30:37
2788 SK海力士于今(20)日宣布将以90亿美元收购Intel的NAND内存与储存事业,以及位于大连专门制造3D NAND Flash的Fab68厂房。这是韩国公司有史以来最大规模的海外收购交易,超过三星
2020-10-21 17:26:32
2248 据国外媒体报道,SK海力士宣布出资600亿收购英特尔NAND闪存及存储业务! SK海力士已在官网宣布了他们将收购英特尔NAND闪存及存储业务的消息,SK海力士在官网上表示,两家公司已经签署了相关
2020-10-23 11:05:15
2718 务,以及其在中国大连的NAND闪存制造工厂。英特尔将保留其特有的英特尔傲腾TM业务。 SK海力士与英特尔将争取在2021年底前取得所需的政府机关许可。在获取相关许可后,SK海力士将通过支付第一期70亿美元对价从英特尔收购NAND SSD业务(包括NAND SSD相关知识产权和员工)以及
2020-10-23 18:00:16
8594 近日闪存芯片行业又现巨震,英特尔将自己的NAND闪存业务以90亿美元的价格出售给了SK海力士。
2020-10-29 12:11:47
2793 SK海力士与英特尔将争取在2021年底前取得所需的政府机关许可。在获取相关许可后,SK海力士将通过支付第一期70亿美元对价从英特尔收购NAND SSD业务(包括NAND SSD相关知识产权和员工)以及大连工厂。
2020-11-04 15:06:00
2037 前不久,Intel突然宣布以90亿美元(约601亿)的价格将旗下的NAND闪存业务出售给了SK海力士,业内哗然。
2020-11-05 09:37:32
1877 SK海力士与英特尔将争取在2021年底前取得所需的政府机关许可。在获取相关许可后,SK海力士将通过支付第一期70亿美元对价从英特尔收购NAND SSD业务(包括NAND SSD相关知识产权和员工)以及大连工厂。
2020-11-05 10:11:26
2339 据报道,第三季度财报优于市场预期的SK海力士计划在五年内将其NAND销售额增加两倍以上。SK海力士并再次强调,决心通过从英特尔手中收购NAND业务,在NAND市场占据领先地位。
2020-11-05 12:17:42
2079 SK海力士在声明中称,已签署协议收购英特尔的NAND内存和存储业务。此次收购包括英特尔的固态硬盘、Nand闪存和晶片业务,以及位于大连的工厂。但将以两次付款的形式进行,最终交易要到2025年3月份才会完成。
2020-11-11 14:53:02
2528 据悉,SK海力士将收购所有英特尔NAND闪存业务,包括固态硬盘业务、NAND闪存芯片产品和晶圆业务、英特尔位于中国大连的生产工厂,但不包含英特尔Optane存储部门。对于英特尔来说,剥离非核心业务将有助于其解决芯片技术困境。
2020-11-16 15:04:57
3105 根据外媒 TechPowerUp 的消息,SK 海力士公司发布了 176 层 512 Gb 三层 TLC 4D NAND 闪存。 SK 海力士表示新的 176 层 NAND 闪存采用加速技术
2020-12-07 16:16:23
3708 存储芯片厂商SK海力士今天宣布,其公司位于韩国首尔南部利川市的M16新厂已经竣工,SK海力士将首次使用极紫外辐射(EUV)光刻机在生产存储芯片。SK海力士经过两年的时间,花费了3.5万亿韩元(约合
2021-02-02 15:00:15
2767 SK海力士(或“公司”,www.skhynix.com )在韩国京畿道利川总部以“We Do Technology,开启幸福”为主题举行M16新厂竣工仪式。为遵守防疫规定,公司缩小了本次活动规模,仅
2021-02-03 09:44:24
3036 。 据报道,SK海力士与ASML公司签订了一个超级大单,未来5年内将斥资4.8万亿韩元,约合43.4亿美元购买EUV光刻机。 SK海力士在一份监管文件中称,这笔交易是为了实现下一代工艺芯片量产的目标。 ASML及SK海力士都没有透露这么多资金到底购买了多少台EUV光刻机,不过从之
2021-02-25 09:30:23
2709 SK海力士就拟议的英特尔NAND闪存业务收购获得了美国外国投资委员会(The Committee on Foreign Investment in the United States,简称CFIUS)的许可!
2021-03-19 14:19:22
2540 去年10月份,Intel宣布将旗下的NAND闪存业务以90亿美元的价格出售给SK海力士。这笔交易在3月份通过了美国审批,日前通过了欧盟的审批,中国的审批会是未来的关键之一。 上周末欧盟
2021-05-27 09:23:57
2342 近日,SK海力士宣布将在中国大连新建闪存工厂,该工厂属于SK海力士的非易失性存储器制造项目的一部分,将被用于生产非易失性存储器3D NAND芯片。 SK海力士在2020年宣布了收购Intel闪存业务
2022-05-19 14:32:53
4080 SK海力士在美国圣克拉拉举行的2022闪存峰会(Flash Memory Summit 2022)上首次亮相了238层NAND闪存新产品。
2022-08-04 15:53:49
15867 SK海力士将在清州市新建NAND M17产线,以提高NAND产品产能。SK海力士原计划在明年年初开始建设,最快2025年建成。
2022-09-08 10:48:30
555 SK海力士季度亏损创纪录 sk海力士2022年财报难看 前一两年还一直听说内存条在不断涨价的消息,现在突然就爆出消息SK海力士季度亏损创纪录,看来大伙的日子都不太好过。 宏观经济的下滑导致了很多需求
2023-02-01 16:52:12
3954 
4月26日新闻,DigiTimes援引韩国媒体报道称,SK海力士正在推迟其位于中国大连的第二个3D NAND工厂的完工。据悉,这一决议是为了应对市场需求萎缩以及美国限制向中国出口先进晶圆厂工具。 但
2023-05-05 15:22:00
2870 
sk海力士表示:“以238段nand闪存为基础,开发了智能手机和pc用客户端ssd (client ssd)解决方案产品,并于5月开始批量生产。该公司通过176层、238层的产品,在成本、性能、品质等方面确保了世界最高的竞争力。
2023-06-08 10:31:53
2449 SK海力士宣布将首次展示全球首款321层NAND闪存,成为业界首家开发出300层以上NAND闪存的公司。他们展示了321层1Tb TLC 4D NAND闪存的样品,并介绍了开发进展情况。
2023-08-10 16:01:47
1993 SK海力士明年计划的设施投资为10万亿韩元(76.2亿美元),超出了市场预期。证券界最初预测“SK海力士明年的投资额将与今年类似,约为6万亿至7万亿韩元”。鉴于经济挑战,观察人士预计严格的管理措施将延续到明年。由于存储半导体价格大幅下跌,SK海力士预计今年赤字将超过8万亿韩元。
2023-11-22 17:28:05
1540 去年,铠侠与西数的合并谈判因韩企 SK 海力士阻挠而被搁置,其顾虑在于合并后的企业体量过大。为打破僵局争取 SK 海力士的支持,铠侠提出借助其实施的日本产 3D NAND 晶圆厂,提供额外产能供 SK 海力士扩大 3D NAND 存储器产能。
2024-02-18 16:06:59
980 SK海力士正积极应对AI开发中关键组件HBM(高带宽存储器)日益增长的需求,为此公司正加大在先进芯片封装方面的投入。SK海力士负责封装开发的李康旭副社长明确指出,公司正在韩国投入超过10亿美元,以扩大和改进其芯片封装技术。
2024-03-08 10:53:44
1798 SK海力士,作为全球知名的半导体公司,近期在中国业务方面进行了重大的战略调整。据相关报道,SK海力士正在全面重组其在中国的业务布局,计划关闭运营了长达17年的上海销售公司,并将其业务重心全面转移到无锡。这一决策的背后,反映了SK海力士对于中国市场发展的深刻洞察和前瞻布局。
2024-03-20 10:42:25
2163 来源:集成电路前沿,谢谢 编辑:感知芯视界 Link 3月25日消息,据报道,由于SK海力士部分工程出现问题,英伟达所需的12层HBM3E内存,将由三星独家供货,SK海力士出局! 据了解,HBM需要
2024-03-27 09:12:08
1225 SK 海力士正在与东京电子(TEL)展开紧密合作,通过发送测试晶圆来评估后者的低温蚀刻设备。这一举措旨在为未来的NAND闪存生产导入新技术。在当前,增加堆叠层数已经成为提高3D NAND闪存颗粒容量的主要方法。
2024-05-08 11:47:24
1034 今日,SK海力士公司宣布了一项革命性的技术突破,他们成功研发出了面向端侧(On-Device)AI应用的全新移动端NAND闪存解决方案——“ZUFS(Zoned UFS)4.0”。这款产品的推出,标志着SK海力士在闪存技术领域的又一次飞跃。
2024-05-09 11:00:30
1175 SK海力士公司近日在首尔举办的IEEE 2024国际存储研讨会上,由先进HBM技术团队负责人Kim Kwi-wook宣布了一项重要进展。SK海力士计划从2026年开始,提前一年量产其第七代高带宽存储器HBM4E。这一消息表明,SK海力士在HBM技术领域的研发速度正在加快。
2024-05-15 11:32:13
1484 在DRAM和NAND芯片的生产上,三星和SK海力士两大巨头依然保持谨慎态度。尽管四月份8Gb DDR4 DRAM通用内存的合约价环比上涨,这一上涨主要归因于地震影响美光内存产能,进而推动了通用内存需求的短暂上升。
2024-05-22 14:54:49
1035 瑞银集团最新报告指出,SK海力士的HBM4芯片预计从2026年起,每年将贡献6至15亿美元的营收。作为高带宽内存(HBM)市场的领军企业,SK海力士已在今年2月宣布其HBM产能已全部售罄,显示其产品的强劲需求。
2024-05-30 10:27:22
1511 在全球半导体产业与人工智能(AI)技术日新月异的今天,SK海力士以其前瞻性的战略眼光和雄厚的资金实力,再次成为业界的焦点。据最新报道,SK海力士计划在2028年前投资高达103兆韩元(约合748亿美元),用于存储器芯片的生产与研发,这一举措无疑是对半导体产业未来前景的坚定押注。
2024-07-04 10:00:51
1084 据最新消息,SK海力士正酝酿一项重要财务战略,考虑推动其NAND与SSD业务子公司Solidigm在美国进行首次公开募股(IPO)。Solidigm作为SK海力士在2021年底通过收购英特尔相应业务后成立的独立美国子公司,承载着SK海力士在存储解决方案领域的重要布局。
2024-07-30 17:35:40
2332 韩国半导体巨头SK海力士正加速推进NAND闪存技术的革新,据韩媒最新报道,该公司计划于2025年末全面完成400+层堆叠NAND闪存的量产准备工作,并预计于次年第二季度正式开启大规模生产。这一举措标志着SK海力士在NAND闪存领域再次迈出坚实步伐,引领行业技术前沿。
2024-08-02 16:56:11
1743 在近日举行的FMS 2024峰会上,SK海力士震撼发布了其存储技术的最新成果,其中最为引人注目的便是尚未正式公布标准的UFS 4.1通用闪存技术预览。这一前瞻性的展示,不仅彰显了海力士在存储领域的深厚底蕴,也预示着智能手机及移动设备性能即将迎来新一轮的飞跃。
2024-08-09 16:24:10
3291 在最近的FMS 2024峰会上,SK 海力士凭借其创新实力,率先向业界展示了尚未正式发布规范的UFS 4.1通用闪存新品,再次引领存储技术的前沿。此次展示不仅彰显了SK 海力士在存储技术领域的领先地位,也为未来的移动设备性能提升奠定了坚实基础。
2024-08-10 16:52:08
3027 SK海力士近日宣布了一项重要计划,即开发采用4F2结构(垂直栅)的DRAM。这一决策紧跟其竞争对手三星的步伐,标志着SK海力士在DRAM制造领域的新探索。SK海力士研究员表示,随着极紫外(EUV
2024-08-14 17:06:43
1670 近日,SK海力士(SK hynix Inc.)宣布了一项重大技术进展——其异构内存软件开发工具包(HMSDK)的核心功能已成功集成至全球最大的开源操作系统Linux平台,标志着公司在推动高性能计算与人工智能(AI)存储器技术融合方面迈出了关键一步。
2024-09-25 15:00:50
871 领域的领先地位,更为未来的高性能计算市场带来了全新的可能性。 SK海力士CEO郭鲁正(Kwak Noh-Jung)表示,尽管业界普遍认为16层HBM市场将从HBM4时代开始兴起,但SK海力士凭借前瞻性的技术布局
2024-11-05 15:01:20
1231 近日,SK海力士正逐步调整其生产策略,降低DDR4的生产比重。在今年第三季度,DDR4的生产比重已从第二季度的40%降至30%,并计划在第四季度进一步降至20%。这一调整或将意味着SK海力士将有
2024-11-07 11:37:18
1277 挑战传统,打破限制,勇攀高峰,打破常规者们在寻求开创性解决方案的过程中重塑规则。继SK海力士品牌短片《谁是打破常规者》播出后,将推出一系列文章,展示公司在重塑技术、重新定义行业标准方面采取的各种
2024-11-27 18:01:54
1504 产品价格。 继美光和三星宣布减产计划后,全球第二大NAND Flash厂商SK海力士也宣布了减产决定。据悉,SK海力士计划将上半年NAND Flash存储器的产量削减10%。这一决定无疑将对市场产生深远影响。 根据机构先前发布的报告,SK海力士在NAND Flash存储器领
2025-01-20 14:43:55
1096 SK海力士在巩固其面向AI的存储器领域领导地位方面,HBM1无疑发挥了决定性作用。无论是率先开发出全球首款最高性能的HBM,还是确立并保持其在面向AI的存储器市场的领先地位,这些成就的背后皆源于SK海力士秉持的“一个团队”协作精神(One Team Spirit)。
2025-06-18 15:31:02
1667 SK海力士致力于成为“全方位面向AI的存储器供应商(Full Stack AI Memory Provider)”,不仅在DRAM领域持续创新,在NAND闪存(NAND Flash,以下简称NAND
2025-07-10 11:37:59
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