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电子发烧友网>存储技术>SK海力士如何将NAND4技术应用于未来的UFS

SK海力士如何将NAND4技术应用于未来的UFS

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2022-09-08 10:48:30555

SK海力士季度亏损创纪录 sk海力士2022年财报难看

SK海力士季度亏损创纪录 sk海力士2022年财报难看 前一两年还一直听说内存条在不断涨价的消息,现在突然就爆出消息SK海力士季度亏损创纪录,看来大伙的日子都不太好过。 宏观经济的下滑导致了很多需求
2023-02-01 16:52:123954

突发!SK海力士或出售大连工厂

4月26日新闻,DigiTimes援引韩国媒体报道称,SK海力士正在推迟其位于中国大连的第二个3D NAND工厂的完工。据悉,这一决议是为了应对市场需求萎缩以及美国限制向中国出口先进晶圆厂工具。 但
2023-05-05 15:22:002870

SK海力士量产世界最高238层4D NAND闪存

sk海力士表示:“以238段nand闪存为基础,开发了智能手机和pc用客户端ssd (client ssd)解决方案产品,并于5月开始批量生产。该公司通过176层、238层的产品,在成本、性能、品质等方面确保了世界最高的竞争力。
2023-06-08 10:31:532449

SK海力士发布全球首款321层NAND

SK海力士宣布首次展示全球首款321层NAND闪存,成为业界首家开发出300层以上NAND闪存的公司。他们展示了321层1Tb TLC 4D NAND闪存的样品,并介绍了开发进展情况。
2023-08-10 16:01:471993

SK海力士资本支出大增,HBM是重点

SK海力士明年计划的设施投资为10万亿韩元(76.2亿美元),超出了市场预期。证券界最初预测“SK海力士明年的投资额将与今年类似,约为6万亿至7万亿韩元”。鉴于经济挑战,观察人士预计严格的管理措施延续到明年。由于存储半导体价格大幅下跌,SK海力士预计今年赤字超过8万亿韩元。
2023-11-22 17:28:051540

铠侠向SK海力士提议在日产非易失性存储器,推动合作达成

去年,铠侠与西数的合并谈判因韩企 SK 海力士阻挠而被搁置,其顾虑在于合并后的企业体量过大。为打破僵局争取 SK 海力士的支持,铠侠提出借助其实施的日本产 3D NAND 晶圆厂,提供额外产能供 SK 海力士扩大 3D NAND 存储器产能。
2024-02-18 16:06:59980

SK海力士扩大对芯片投资

SK海力士正积极应对AI开发中关键组件HBM(高带宽存储器)日益增长的需求,为此公司正加大在先进芯片封装方面的投入。SK海力士负责封装开发的李康旭副社长明确指出,公司正在韩国投入超过10亿美元,以扩大和改进其芯片封装技术
2024-03-08 10:53:441798

SK海力士重组中国业务

SK海力士,作为全球知名的半导体公司,近期在中国业务方面进行了重大的战略调整。据相关报道,SK海力士正在全面重组其在中国的业务布局,计划关闭运营了长达17年的上海销售公司,并将其业务重心全面转移到无锡。这一决策的背后,反映了SK海力士对于中国市场发展的深刻洞察和前瞻布局。
2024-03-20 10:42:252163

刚刚!SK海力士出局!

来源:集成电路前沿,谢谢 编辑:感知芯视界 Link 3月25日消息,据报道,由于SK海力士部分工程出现问题,英伟达所需的12层HBM3E内存,将由三星独家供货,SK海力士出局! 据了解,HBM需要
2024-03-27 09:12:081225

消息称SK海力士测试东京电子低温蚀刻设备

SK 海力士正在与东京电子(TEL)展开紧密合作,通过发送测试晶圆来评估后者的低温蚀刻设备。这一举措旨在为未来NAND闪存生产导入新技术。在当前,增加堆叠层数已经成为提高3D NAND闪存颗粒容量的主要方法。
2024-05-08 11:47:241034

SK海力士推出新一代移动端NAND闪存解决方案ZUFS 4.0

今日,SK海力士公司宣布了一项革命性的技术突破,他们成功研发出了面向端侧(On-Device)AI应用的全新移动端NAND闪存解决方案——“ZUFS(Zoned UFS)4.0”。这款产品的推出,标志着SK海力士在闪存技术领域的又一次飞跃。
2024-05-09 11:00:301175

SK海力士HBM4E存储器提前一年量产

SK海力士公司近日在首尔举办的IEEE 2024国际存储研讨会上,由先进HBM技术团队负责人Kim Kwi-wook宣布了一项重要进展。SK海力士计划从2026年开始,提前一年量产其第七代高带宽存储器HBM4E。这一消息表明,SK海力士在HBM技术领域的研发速度正在加快。
2024-05-15 11:32:131484

三星、SK海力士对DRAM和NAND产量持保守态度

在DRAM和NAND芯片的生产上,三星和SK海力士两大巨头依然保持谨慎态度。尽管四月份8Gb DDR4 DRAM通用内存的合约价环比上涨,这一上涨主要归因于地震影响美光内存产能,进而推动了通用内存需求的短暂上升。
2024-05-22 14:54:491035

SK海力士HBM4芯片前景看好

瑞银集团最新报告指出,SK海力士的HBM4芯片预计从2026年起,每年贡献6至15亿美元的营收。作为高带宽内存(HBM)市场的领军企业,SK海力士已在今年2月宣布其HBM产能已全部售罄,显示其产品的强劲需求。
2024-05-30 10:27:221511

SK海力士豪掷748亿美元加码存储器芯片投资,聚焦HBM技术引领AI未来

在全球半导体产业与人工智能(AI)技术日新月异的今天,SK海力士以其前瞻性的战略眼光和雄厚的资金实力,再次成为业界的焦点。据最新报道,SK海力士计划在2028年前投资高达103兆韩元(约合748亿美元),用于存储器芯片的生产与研发,这一举措无疑是对半导体产业未来前景的坚定押注。
2024-07-04 10:00:511084

SK海力士考虑让Solidigm在美上市融资

据最新消息,SK海力士正酝酿一项重要财务战略,考虑推动其NAND与SSD业务子公司Solidigm在美国进行首次公开募股(IPO)。Solidigm作为SK海力士在2021年底通过收购英特尔相应业务后成立的独立美国子公司,承载着SK海力士在存储解决方案领域的重要布局。
2024-07-30 17:35:402332

SK海力士加速NAND研发,400+层闪存量产在即

韩国半导体巨头SK海力士正加速推进NAND闪存技术的革新,据韩媒最新报道,该公司计划于2025年末全面完成400+层堆叠NAND闪存的量产准备工作,并预计于次年第二季度正式开启大规模生产。这一举措标志着SK海力士NAND闪存领域再次迈出坚实步伐,引领行业技术前沿。
2024-08-02 16:56:111743

SK海力士FMS 2024峰会揭秘:UFS 4.1存储新品引领未来性能飞跃

在近日举行的FMS 2024峰会上,SK海力士震撼发布了其存储技术的最新成果,其中最为引人注目的便是尚未正式公布标准的UFS 4.1通用闪存技术预览。这一前瞻性的展示,不仅彰显了海力士在存储领域的深厚底蕴,也预示着智能手机及移动设备性能即将迎来新一轮的飞跃。
2024-08-09 16:24:103291

SK海力士率先展示UFS 4.1通用闪存

在最近的FMS 2024峰会上,SK 海力士凭借其创新实力,率先向业界展示了尚未正式发布规范的UFS 4.1通用闪存新品,再次引领存储技术的前沿。此次展示不仅彰显了SK 海力士在存储技术领域的领先地位,也为未来的移动设备性能提升奠定了坚实基础。
2024-08-10 16:52:083027

SK海力士转向4F2 DRAM以降低成本

SK海力士近日宣布了一项重要计划,即开发采用4F2结构(垂直栅)的DRAM。这一决策紧跟其竞争对手三星的步伐,标志着SK海力士在DRAM制造领域的新探索。SK海力士研究员表示,随着极紫外(EUV
2024-08-14 17:06:431670

SK海力士CXL优化解决方案应用于Linux

近日,SK海力士SK hynix Inc.)宣布了一项重大技术进展——其异构内存软件开发工具包(HMSDK)的核心功能已成功集成至全球最大的开源操作系统Linux平台,标志着公司在推动高性能计算与人工智能(AI)存储器技术融合方面迈出了关键一步。
2024-09-25 15:00:50871

SK海力士推出48GB 16层HBM3E产品

领域的领先地位,更为未来的高性能计算市场带来了全新的可能性。 SK海力士CEO郭鲁正(Kwak Noh-Jung)表示,尽管业界普遍认为16层HBM市场将从HBM4时代开始兴起,但SK海力士凭借前瞻性的技术布局
2024-11-05 15:01:201231

SK海力士调整生产策略,聚焦高端存储技术

近日,SK海力士正逐步调整其生产策略,降低DDR4的生产比重。在今年第三季度,DDR4的生产比重已从第二季度的40%降至30%,并计划在第四季度进一步降至20%。这一调整或意味着SK海力士将有
2024-11-07 11:37:181277

SK海力士如何在eSSD领域应用虚拟化技术

挑战传统,打破限制,勇攀高峰,打破常规者们在寻求开创性解决方案的过程中重塑规则。继SK海力士品牌短片《谁是打破常规者》播出后,推出一系列文章,展示公司在重塑技术、重新定义行业标准方面采取的各种
2024-11-27 18:01:541504

SK海力士计划减产NAND Flash存储器以应对市场下滑

产品价格。 继美光和三星宣布减产计划后,全球第二大NAND Flash厂商SK海力士也宣布了减产决定。据悉,SK海力士计划将上半年NAND Flash存储器的产量削减10%。这一决定无疑将对市场产生深远影响。 根据机构先前发布的报告,SK海力士NAND Flash存储器领
2025-01-20 14:43:551096

SK海力士HBM技术的发展历史

SK海力士在巩固其面向AI的存储器领域领导地位方面,HBM1无疑发挥了决定性作用。无论是率先开发出全球首款最高性能的HBM,还是确立并保持其在面向AI的存储器市场的领先地位,这些成就的背后皆源于SK海力士秉持的“一个团队”协作精神(One Team Spirit)。
2025-06-18 15:31:021667

SK海力士321层4D NAND的诞生

SK海力士致力于成为“全方位面向AI的存储器供应商(Full Stack AI Memory Provider)”,不仅在DRAM领域持续创新,在NAND闪存(NAND Flash,以下简称NAND
2025-07-10 11:37:591509

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