受华为事件影响,SK海力士无锡二工厂将推迟投产计划

据韩国《The Investor》报道，由于DRAM内存芯片价格不断下跌，近期又有华为事件的影响，SK海力士正在计划推迟位于中国无锡的全球最先进内存芯片工厂的投产计划。

该报道还指出，SK海力士去年在中国的销售额为15.8万亿韩元，占其全部收入的近40％，特别是华为占据了12％。据报道，一位不愿透露姓名的业内消息人士暗示，项目推迟与华为技术等中国合作伙伴的内存芯片需求下降有关。

今年4月18日，SK海力士无锡二工厂（C2F）举行了竣工仪式。二工厂是在原有DRAM生产线C2的基础上实施的扩建工程。二工厂项目全部建成后，SK海力士无锡工厂将形成月产18万片12英寸晶圆的产能，年销售额也计划达到33亿美元。

SK海力士二工厂项目于2017年10月签约，总投资86亿美元，其中16亿美元用于新建33000平米洁净厂房及其附属配套设施、70亿美元用于购买全球最先进的半导体生产设备，项目建设期限为2017年到2026年。

目前SK海力士占有中国DRAM市场约35%，待二工厂项目全部建成投产后SK海力士将占有超过45%的中国DRAM市场份额，成为全球单体投资规模最大、月产能最大、技术最先进的10纳米级DRAM产品生产基地。

而对于SK海力士而言，无锡高新区在线报道指出，无锡工厂将承担SK海力士存储半导体生产总量的一半份额。