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什么是第三代半导体?哪些行业“渴望”第三代半导体?

贸泽电子设计圈 来源:贸泽电子设计圈】 作者:贸泽电子设计圈】 2020-12-08 17:28 次阅读
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第三代半导体产业化之路已经走了好多年,受困于技术和成本等因素,市场一直不温不火。

但今年的市场形势明显不同,各大半导体元器件企业纷纷加大了新产品的推广力度,第三代半导体也开始频繁出现在各地园区招商引资名单中。

问题来了:第三代半导体产业是真的进入春天还是虚火上升?又有哪些行业真的需要GaN或SiC功率器件呢?相对于IGBTMOSFET和超级结MOSFET,GaN和SiC到底能为电子行业带来哪些技术变革?

为了回答这些问题,小编认真阅读了多个面向应用的市场分析报告和白皮书,下面我们就试着回答一下上面那些问题。

什么是第三代半导体?

首先,我们有必要说一下第三代半导体的来由。 第一代半导体材料是以硅(Si)和锗(Ge)为代表,我们目前的大多数芯片都是硅基器件。第二代半导体材料主要以砷化镓(GaAs)、磷化镓(GaP)为代表,在4G移动通信设备和高端示波器中能看到它们的身影。以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)、金刚石为代表的化合物属于第三代半导体材料。

从理论上说,第三代半导体应该叫宽禁带(Wide Band-Gap,WBG)半导体。这里提到的禁带宽度对电子元器件的性能影响很大。我们耳熟能详的硅材料的禁带宽度为1.12电子伏特(eV),WBG半导体材料的禁带宽度则达到了2.3eV及以上。高禁带宽度带来的好处是,器件能够耐高压、耐高温,并且功率大、抗辐射、导电性能强、工作速度快、工作损耗低。

哪些行业“渴望”第三代半导体?

接下来,咱们就讨论一下到底哪些行业亟需第三代半导体器件来“拯救”。 市场上正在使用的第三代半导体材料主要有两种,即GaN和SiC。根据材料本身的特性,GaN比较适合中低压(600V左右)、高频等应用,而SiC比硅更薄、更轻、更小巧,市场应用领域更偏向1000V以上的中高压范围。在千瓦级应用中,SiC和GaN共用的电压范围只能到600V,在这个电压范围内,GaN应该比SiC更便宜一些。综合来看,SiC和GaN材料将在电力电子新能源汽车、数据中心充电桩5G等领域发挥重要作用,并为行业面向未来的高性能应用提供助力。

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图1 :SiC、GaN、IGBT、超结MOSFET均有各自的市场定位(图源:网络) 1 电机驱动

根据美国能源局公布的数据,在所有行业中,电机系统消耗的电力约占美国总电力需求的40%。为此,一些电机系统开始使用变频驱动器(VFD)来动态调整电机速度,以满足功率要求并节省能源。据估计,目前安装的电机中有40-60%将受益于VFD。根据应用的不同,加入VFD后可以减少10-30%的能耗。不过,传统的VFD体积太过庞大,占用大量空间。基于SiC的VFD可以提高系统的体积、功率密度和效率,降低系统的整体成本。这应该算是当前最急迫的需求之一。

2 新能源汽车 牵引逆变器、直流升压变换器和车载电池充电器是混合动力和电动汽车(HEV/EV)的关键元件。硅基逆变器的开关和其他损耗,以及自身的重量间接地影响了车辆的能源效率。SiC逆变器可以通过在更高的开关频率、效率和温度下工作来降低直接和间接损耗。采用SiC牵引逆变器的混合动力电动汽车,预计其能效能提高15%。在电动汽车全球顶级赛事“Formula E”中,Rohm公司为VENTURI车队提供的采用全SiC功率模块制造的逆变器,其尺寸下降了43%,重量减轻了6kg。根据DIGITIMES Research给出的预测数据:到2025年,电动汽车用SiC功率半导体仍将继续走高,约占SiC功率半导体总市场的37%以上,高于2021年的25%。 3 分布式能源 全球1%的电力来自太阳能,预计未来10-15年将达到15%。在太阳能光伏、风能等电网应用中,硅基光伏逆变器的典型最大转换效率约为96%。基于SiC的逆变器通过在更高的开关频率下运行,可减小无源元件的尺寸以及系统总体占用空间,提高能源效率,降低系统级成本。 4 5G

GaN材料因电子饱和漂移速率最高,非常适合高频率应用,而5G射频RF)前端无疑是目前GaN最好的应用场景。现在,GaN已经成为5G应用的关键材料。据Yole估计,大多数低于6GHz的宏网络单元将使用GaN器件,到2023年,GaN RF器件市场规模有望达到13亿美元。在刚刚结束的2020中国移动全球合作伙伴大会上,中国移动董事长杨杰透露,中国移动已经开通5G基站38.5万个,为所有地级市和部分重要县城提供5G SA服务。可以说,5G为GaN的发展提供了重要机遇。随着成本的下降,接下来GaN有望在中低功率领域替代二极管、IGBT、MOSFET等硅基功率器件。

5 数据中心 众所周知,数据中心是能源消耗大户,提高能源效率迫在眉睫。基于WBG器件的高功率密度转换器是实现更高效系统的关键因素,因为更高的温度耐受性可以减少冷却负载,并进一步提高数据中心网格到芯片的效率。 6 消费电子

消费电子产品如笔记本电脑智能手机和平板电脑的电源转换器虽然看起来体积不大,但同样也是能源消耗大户。以快充充电器为例,这两年有一个最突出的变化,那就是GaN技术的应用。GaN充电器不仅功率大,充电快,体积还小很多。据统计,自2018年以来,三星、Oppo、小米和Verizon等知名品牌,已经向市场提供了数百万个GaN快速充电器。

虽然学界和产业界早就认识到SiC和GaN的材料优势,但由于制造设备、制造工艺与成本等方面的限制,多年来只能在有限的范围内得到应用,市场也是不温不火。随着 5G、新能源汽车等新兴市场的出现,SiC和GaN 的不可替代性优势得到了充分发挥。

在600V应用市场,Si VDMOS、IGBT、GaN FET、SiC MOSFET多种技术同台竞技的业态正在出现。

在高压、大功率应用中,SiC器件开始加快商业化进程。

在5G、快充等市场,GaN已经迎来了发展的春天。

随着制造技术的进步,需求拉动叠加成本降低,SiC和GaN的时代即将到来。

该发布文章为独家原创文章,转载请注明来源。对于未经许可的复制和不符合要求的转载我们将保留依法追究法律责任的权利。

责任编辑:PSY

原文标题:第三代半导体受追捧,是虚火还是真需求?

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