平面互补场效应晶体管替代金属栅工艺流程
平面互补场效应晶体管替代金属栅工艺流程从平面 CMOS 45nm/ 32nm 节点开始，Intel 公司率先成功使用替代金属栅(Replacement - Metal - Gate， RMG) 工艺（又称后栅工艺），实现了高K氧化铪栅介质 ( 减小栅泄漏电流） 和金属栅（较低栅电阻），如图所示。
该工艺是指在形成层间介质层（ILD）后，插入工序以形成高k介质和金属栅叠层，即在化学机械抛光（露出多晶硅栅叠层）后，刻蚀掉硬掩模（氮化硅/氧化硅），利用干法或湿法刻蚀清除多晶硅；然后形成高k介质（IL-ox/氧化铪)，接下来进行退火 一 沉积 TiN 覆盖层 一 退火 一 沉积非晶硅覆盖层 一 尖峰退火 一 湿法清除非晶硅 一 沉积 TaN（刻蚀阻挡层）和p型功函数层（p-WF, TiN) 一 掩模（开nFET) 一 刻蚀 P-WF (TiN) 一 光刻胶去除 一 沉积n型功函数层（TiAI) 一 栅金属层填充（CVD 或溅射钛，铝或钨)。其他工序与文章-1的相同。
审核编辑 ：李倩
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
CMOS
+关注
关注
58文章
6190浏览量
241594 -
多晶硅
+关注
关注
3文章
249浏览量
30527 -
晶体管
+关注
关注
78文章
10264浏览量
146327 -
场效应晶体管
+关注
关注
6文章
401浏览量
20364 -
刻蚀
+关注
关注
2文章
217浏览量
13684
原文标题：CMOS工艺 - 2
文章出处：【微信号：Semi Connect，微信公众号：Semi Connect】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
互补场效应晶体管的结构和作用
随着半导体技术不断逼近物理极限，传统的平面晶体管（Planar FET）、鳍式场效应晶体管（FinFET）从平面晶体管到FinFET的演变，乃至全环绕栅或围栅（GAA
一文让你秒懂场效应晶体管的所有参数
源电流IDSS是指结型或耗尽型绝缘栅场效应晶体管中，栅极电压UGS＝0时的漏源电流。（2）夹断电压夹断电压UP是指结型或耗尽型绝缘栅场效应晶体管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。如同4-
发表于 04-04 10:59
场效应晶体管的选用经验分享
音频放大器的差分输入电路及调制、较大、阻抗变换、稳流、限流、自动保护等电路，可选用结型场效应晶体管。音频功率放大、开关电源、逆变器、电源转换器、镇流器、充电器、电动机驱动、继电器驱动等电路，可选
发表于 05-13 07:10
MOSFET和鳍式场效应晶体管的不同器件配置及其演变
2）。然后，门重新控制了薄体。 图2.鳍式场效应晶体管 此外，从平面移动到3D可降低亚阈值斜率和Ioff电流。体积将增加，漏电流将小于平面设计。 双栅极与三栅鳍式
发表于 02-24 15:20
场效应晶体管的分类及使用
场效应晶体管的分类及使用
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和
发表于 01-13 16:01
•133次下载
什么是场效应晶体管
场效应晶体管
场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写(FET)）简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子，即
发表于 05-24 23:11
•7495次阅读
功率场效应晶体管的工作特性
功率MOS场效应晶体管，即MOSFET，其原意是：MOS（MetalOxideSemiconductor金属氧化物半导体），FET（FieldEffectTransistor场效应晶体管），即以
如何进行场效应晶体管的分类和使用
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。
发表于 07-02 17:19
•22次下载
鳍式场效应晶体管制造工艺流程
FinFET(鳍式场效应晶体管)从平面晶体管到FinFET的演变是一种先进的晶体管架构，旨在提高集成电路的性能和效率。它通过将传统的平面晶体管转换为三维结构来减少短沟道
无结场效应晶体管详解
场效应晶体管（TFET）沿沟道方向有一个 PN结，金属-半导体场效应晶体管（MESFET）或高电子迁移率晶体管（HEMT）垂直于沟道方向含有一个栅
工商网监
评论