1.表面清洗
2.初次氧化
3.CVD
4.涂敷光刻胶
5.用干法氧化法将氮化硅去除
6.去除光刻胶
7.用热磷酸去除氮化硅层
8.退火处理
9.湿法氧化
10.热磷酸去除氮化硅
11.表面涂敷光阻
12.光刻和离子刻蚀,定出 PAD 位置
以上就是晶圆制造工艺流程芯片的制造过程,具体大概可以简称晶圆处理工序、针测工序和测试工序等几个步骤,多次重复上述操作之后,芯片的多层结构搭建完毕,全部清除后就可以看到设计好的电路图案。
在一般情况下,芯片制造的最后的一道程序测试最为复杂,蚀刻完成后,经一般测试合格的产品贴上规格、型号及出厂日期等标识的标签并加以包装后即可出厂。
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