华为海思入局碳化硅！推出1200V工规级SiC单管

电子发烧友网综合报道 最近海思半导体在官网上架了两款工规1200V SiC MOSFET单管产品，ASO1K2H020M1T4和ASO1K2H035M1T4，导通电阻分别为20mΩ和35mΩ。海思表示，两款SiC单管器件凭借优良的导通特性，快速的开关特性，支持客户实现更高的系统效率，同时多种系统解决方案支撑客户快速导入SiC方案，更快上市。
 
提供面向大功率设备的三管并联解决方案和面向高效电能转换的11KW CLLC解决方案，从功率和拓扑结构来看，这种方案常用于充电桩、储能系统、工业电源DC-DC和OBC等场景。

海思官网显示，两款1200V SiC MOSFET单管均采用TO-247-4封装，最大结温均为175℃，其中在 25°C 环境温度下的最大连续漏极电流额定值（I_D max），ASO1K2H020M1T4为100A、ASO1K2H020M1T4为61A；25℃和175℃下的导通电阻，ASO1K2H020M1T4分别为20mΩ和30mΩ，ASO1K2H020M1T4分别为35mΩ和57mΩ；R_θJC max最大结到壳热阻分别为0.37K/W
和0.57K/W。
 
华为在2022发布的《数字能源2030》报告中提到，电力电子技术为能源系统变革安全性和可控性提供保障，在电力消费方面，最主要的变化是分布式电源和储能装置的接入，大量新型负荷需要直流电源以及需要主动支撑源荷互动，如数据中心、通信基站、电动汽车充电站、计算机设备、LED照明等，高效率，高功率密度，高可靠性，低成本的转换电源和开关设备等正满足用户日益多样的个性化需求和高标准的电能质量治理需求。新型功率半导体应用需求大幅提升。未来的能源系统以可再生能源最大限度地开发利用、能源效率最高为目标，对能源输送和控制的安全、高效、智能等方面提出更高的要求，具体包括适应新能源电力的输送和分配的网络，与分布式电源、储能等融合互动的高效终端系统，与信息系统结合的综合服务体系等。这些都需要通过电力电子化设备进行运行、补偿、控制。
 
“目前这些设备中所使用的基本都还是硅基器件，而硅基器件的参数性能已接近其材料的物理极限，无法担负起未来大规模清洁能源生产传输和消纳吸收的重任，节能效果也接近极限。以碳化硅为代表的第三代半导体功率芯片和器件，以其高压、高频、高温、高速的优良特性，能够大幅提升各类电力电子设备的能量密度，降低成本造价，增强可靠性和适用性，提高电能转换效率，降低损耗。光伏、风电等新能源发电、直流特高压输电、新能源汽车、轨道交通、工业电源、民用家电等领域具有极大的电能高效转换需求，而新型功率半导体在则适应了这一需求趋势，未来十年是第三代功率半导体的创新加速期，渗透率将全面提升。如碳化硅的瓶颈当前主要在于衬底成本高（是硅的4-5倍，预计未来2025年前年价格会逐渐降为硅持平），受新能源汽车、工业电源等应用的推动，碳化硅价格下降，性能和可靠性进一步提高。碳化硅产业链爆发的拐点临近，市场潜力将被充分挖掘。”
 
目前看来，2025年的今天，碳化硅的价格确实已经实现大幅度下滑，并在新能源汽车等领域实现广泛应用。
 
值得一提的是，华为旗下哈勃投资已经投资了众多国内碳化硅企业，覆盖上游衬底、外延片、设备、器件/模块等企业，包括天科合达、天岳先进、天域半导体、瀚天天成、东微半导体、瀚薪科技、特思迪等。