国星光电的1200V/80mΩSiC-MOSFET器件成功获得AEC-Q101车规级认证

继1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二极管）器件获AEC-Q101车规级认证后，近日，国星光电开发的1200V/80mΩ SiC-MOSFET（碳化硅-场效应管）器件也成功获得了AEC-Q101车规级认证并通过高压960V H3TRB （HV-H3TRB）可靠性考核，使公司成为国内少数SiC功率分立器件产品通过双重考核的厂商之一。

创新突破，无惧极限考验

AEC-Q101 是车规元器件重要的认证标准之一。对于1200V耐压器件，AEC-Q101在H3TRB（高温高湿反偏试验）考核标准中耐压通常为100V。而在HV-H3TRB（高压高温高湿反偏试验）考核中，1200V耐压器件的耐压提高到960V，这对器件的设计、制造及封装技术提出了更严苛的要求，因而通过HV-H3TRB可靠性验证，意味着功率器件在极端运行环境下仍有优良耐受能力及使用寿命。当前，获得AEC-Q101车规级认证并通过HV-H3TRB可靠性考核逐渐成为各大主流汽车厂家对高可靠性功率器件的通用要求。

聚焦SiC-MOSFET器件性能的优化升级，国星光电充分发挥领先的封装技术优势，本次的车规器件采用了自主研发的国星NSiC-KS封装技术，可靠性和电性能优势明显：

可靠性方面，器件以带辅助源极管脚的TO-247-4L作为封装形式，实现了在开关损耗等方面的创新突破，有效减少器件的发热量，使得器件的可靠性和稳定性显著提升，确保器件在恶劣的环境下仍能稳定运行，并保持长寿命。

以TO-247-4L为封装形式的NSiC-KS系列产品，产品的封装形式上增加了一个S极管脚，其可称为辅助源极或者开尔文源极脚KS(Kelvin-Source)

电性能方面，采用NSiC-KS封装的SiC-MOSFET器件，因避免了驱动回路和功率回路共用源极线路，实现了这两个回路的解耦，器件的开关损耗、开通损耗均明显降低，开关频率更快，寄生电感与误开启风险更低。

因需而至，应用场景丰富

为满足市场多样化需求，近年来，国星光电积极推进功率分立器件封装产品的优化升级，并完成了TO-247、TO-220、TO-252、TO-263及DFN贴片类优势封装结构的开发。目前，公司已拥有主流电压规格650V与1200V平台的SiC-MOSFET和SiC-SBD两大产品系列，可广泛应用于光伏逆变、工业电源、新能源汽车、充电桩、轨道交通及智能电网等领域的电力转换装置。

依托丰富的半导体封装经验、严格的质量把控标准、先进的功率器件生产线以及经验丰富的专业技术人才队伍，国星光电可根据客户需求提供高性能、高可靠性、高品质的封装产品及技术解决方案。

审核编辑：刘清