全球知名的连接和电源解决方案供应商Qorvo近日宣布,推出四款采用E1B封装的1200V碳化硅(SiC)模块。这些模块包括两款半桥配置和两款全桥配置,其导通电阻RDS(on)最低可达9.4mΩ。这一创新产品系列专为电动汽车充电站、储能系统、工业电源和太阳能应用而设计。
新款SiC模块的一个显著特点是,它们可以替代多达四个分立式SiC FET,这一特点大大简化了热机械设计和装配过程。这种高度集成的设计不仅使模块易于使用,而且具有卓越的热性能、高功率密度和高可靠性。
电动汽车充电站和可再生能源领域对高效、可靠的电源解决方案的需求日益增长。Qorvo的新款SiC模块正好满足了这一市场需求。它们的推出,预计将促进电动汽车充电基础设施的建设,同时推动可再生能源领域的技术进步。
Qorvo一直致力于为客户提供先进的连接和电源解决方案。此次推出的新款SiC模块,无疑进一步巩固了其在行业内的领先地位。未来,Qorvo将继续致力于研发更多创新产品,以满足不断变化的市场需求。
-
SiC
+关注
关注
32文章
3504浏览量
68136 -
碳化硅
+关注
关注
25文章
3309浏览量
51715 -
Qorvo
+关注
关注
17文章
716浏览量
80282
发布评论请先 登录
安森美收购Qorvo碳化硅业务,碳化硅行业即将进入整合趋势?
onsemi碳化硅MOSFET NTH4L014N120M3P:高效电力转换的理想之选
探索 onsemi NTH4L022N120M3S碳化硅MOSFET的卓越性能
安森美1200V碳化硅MOSFET:NTH4L013N120M3S的特性与应用分析
新品 | CIPOS™ Maxi 1200 V 碳化硅 SiC IPM IM12SxxEA2系列
基本半导体1200V工业级碳化硅MOSFET半桥模块Pcore 2系列介绍
如何选择 1200V SiC(碳化硅)TO-247 单管的耐高温绝缘导热垫片?
EAB450M12XM3全碳化硅半桥功率模块CREE
基本股份B3M013C120Z(碳化硅SiC MOSFET)的产品力分析
安森美推出基于碳化硅的智能功率模块
瞻芯电子推出全新碳化硅半桥功率模块IV1B12009HA2L
什么是MOSFET栅极氧化层?如何测试SiC碳化硅MOSFET的栅氧可靠性?
MG400V2YMS31700V碳化硅MOSFET模块,助力实现尺寸更小,效率更高的工业设备

Qorvo发布1200V碳化硅模块
评论