0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

Qorvo发布1200V碳化硅模块

CHANBAEK 来源:网络整理 2024-03-06 11:43 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

全球知名的连接和电源解决方案供应商Qorvo近日宣布,推出四款采用E1B封装的1200V碳化硅(SiC)模块。这些模块包括两款半桥配置和两款全桥配置,其导通电阻RDS(on)最低可达9.4mΩ。这一创新产品系列专为电动汽车充电站、储能系统、工业电源和太阳能应用而设计。

新款SiC模块的一个显著特点是,它们可以替代多达四个分立式SiC FET,这一特点大大简化了热机械设计和装配过程。这种高度集成的设计不仅使模块易于使用,而且具有卓越的热性能、高功率密度和高可靠性。

电动汽车充电站和可再生能源领域对高效、可靠的电源解决方案的需求日益增长。Qorvo的新款SiC模块正好满足了这一市场需求。它们的推出,预计将促进电动汽车充电基础设施的建设,同时推动可再生能源领域的技术进步。

Qorvo一直致力于为客户提供先进的连接和电源解决方案。此次推出的新款SiC模块,无疑进一步巩固了其在行业内的领先地位。未来,Qorvo将继续致力于研发更多创新产品,以满足不断变化的市场需求。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • SiC
    SiC
    +关注

    关注

    32

    文章

    3504

    浏览量

    68136
  • 碳化硅
    +关注

    关注

    25

    文章

    3309

    浏览量

    51715
  • Qorvo
    +关注

    关注

    17

    文章

    716

    浏览量

    80282
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    安森美收购Qorvo碳化硅业务,碳化硅行业即将进入整合趋势?

    电子发烧友网报道(文/梁浩斌)安森美在12月10日宣布,已经与Qorvo达成协议,以1.15亿美元现金收购其碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET) 技术业务及其子公司United Silicon
    的头像 发表于 12-15 07:30 4089次阅读
    安森美收购<b class='flag-5'>Qorvo</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>业务,<b class='flag-5'>碳化硅</b>行业即将进入整合趋势?

    onsemi碳化硅MOSFET NTH4L014N120M3P:高效电力转换的理想之选

    在电力电子领域,碳化硅(SiC)MOSFET凭借其卓越的性能,正逐渐成为众多应用的首选器件。今天,我们就来深入了解一下安森美(onsemi)的一款1200V碳化硅MOSFET——NTH4L014N120M3P。
    的头像 发表于 12-05 10:31 147次阅读
    onsemi<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET NTH4L014N120M3P:高效电力转换的理想之选

    探索 onsemi NTH4L022N120M3S碳化硅MOSFET的卓越性能

    在电力电子领域,碳化硅(SiC)MOSFET凭借其出色的性能逐渐成为众多应用的首选。今天,我们就来深入探讨 onsemi 的 NTH4L022N120M3S 这款 1200V、22mΩ 的碳化硅 MOSFET,看看它到底有哪些独
    的头像 发表于 12-04 15:33 177次阅读
    探索 onsemi NTH4L022N120M3S<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET的卓越性能

    安森美1200V碳化硅MOSFET:NTH4L013N120M3S的特性与应用分析

    在电力电子领域,碳化硅(SiC)MOSFET凭借其卓越的性能,正逐渐成为众多应用的首选功率器件。今天,我们就来深入探讨安森美(onsemi)推出的一款1200V碳化硅MOSFET——NTH4L013N120M3S。
    的头像 发表于 12-04 15:19 180次阅读
    安森美<b class='flag-5'>1200V</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET:NTH4L013N120M3S的特性与应用分析

    新品 | CIPOS™ Maxi 1200 V 碳化硅 SiC IPM IM12SxxEA2系列

    新品CIPOSMaxi1200V碳化硅SiCIPMIM12SxxEA2系列高性能CIPOSMaxi转模封装SiCIPMIM12SxxEA2系列基于1200VCooSiCMOSFET技术。产品组合包括
    的头像 发表于 10-13 18:06 293次阅读
    新品 | CIPOS™ Maxi <b class='flag-5'>1200</b> <b class='flag-5'>V</b> <b class='flag-5'>碳化硅</b> SiC IPM IM12SxxEA2系列

    基本半导体1200V工业级碳化硅MOSFET半桥模块Pcore 2系列介绍

    基本半导体推出62mm封装的1200V工业级碳化硅MOSFET半桥模块,产品采用新一代碳化硅MOSFET芯片技术,在保持传统62mm封装尺寸优势的基础上,通过创新的
    的头像 发表于 09-15 16:53 855次阅读
    基本半导体<b class='flag-5'>1200V</b>工业级<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET半桥<b class='flag-5'>模块</b>Pcore 2系列介绍

    如何选择 1200V SiC(碳化硅)TO-247 单管的耐高温绝缘导热垫片?

    近期,华为旗下海思技术有限公司正式进军碳化硅功率器件领域,推出了两款1200V工规SiC单管产品——ASO1K2H035M1T4和ASO1K2H020M1T4,专门面向工业高温、高压场景场景。图片
    的头像 发表于 07-29 06:21 532次阅读
    如何选择 <b class='flag-5'>1200V</b> SiC(<b class='flag-5'>碳化硅</b>)TO-247 单管的耐高温绝缘导热垫片?

    EAB450M12XM3全碳化硅半桥功率模块CREE

    EAB450M12XM3全碳化硅半桥功率模块CREEEAB450M12XM3是Wolfspeed(原CREE科锐)生产的1200V、450A全碳化硅半桥功率
    发表于 06-25 09:13

    基本股份B3M013C120Z(碳化硅SiC MOSFET)的产品力分析

    从基本股份推出的B3M013C120Z(1200V/176A SiC MOSFET)的产品力分析,中国SiC碳化硅MOSFET产业已实现显著进步,具体体现在以下核心维度。
    的头像 发表于 06-19 17:02 649次阅读
    基本股份B3M013C120Z(<b class='flag-5'>碳化硅</b>SiC MOSFET)的产品力分析

    ​安森美推出基于碳化硅的智能功率模块

    安森美(onsemi,美国纳斯达克股票代号:ON)推出其第一代基于1200V碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的SPM31智能功率模块(IPM)系列。
    的头像 发表于 03-19 14:31 1008次阅读

    瞻芯电子推出全新碳化硅半桥功率模块IV1B12009HA2L

    近日,瞻芯电子推出1B封装的1200V 9mΩ 碳化硅(SiC)半桥功率模块(IV1B12009HA2L)为光伏、储能和充电桩等应用场景,提供了高效、低成本的解决方案。该产品已通过工业级可靠性测试。
    的头像 发表于 03-11 15:22 1174次阅读
    瞻芯电子推出全新<b class='flag-5'>碳化硅</b>半桥功率<b class='flag-5'>模块</b>IV1B12009HA2L

    产SiC碳化硅MOSFET功率模块在工商业储能变流器PCS中的应用

    *附件:国产SiC碳化硅MOSFET功率模块在工商业储能变流器PCS中的应用.pdf
    发表于 01-20 14:19

    什么是MOSFET栅极氧化层?如何测试SiC碳化硅MOSFET的栅氧可靠性?

    随着电力电子技术的不断进步,碳化硅MOSFET因其高效的开关特性和低导通损耗而备受青睐,成为高功率、高频应用中的首选。作为碳化硅MOSFET器件的重要组成部分,栅极氧化层对器件的整体性能和使用寿命
    发表于 01-04 12:37

    MG400V2YMS31700V碳化硅MOSFET模块,助力实现尺寸更小,效率更高的工业设备

    东芝两款全新碳化硅(SiC)MOSFET双模块---MG600Q2YMS3和 MG400V2YMS3前者额定电压为1200V,额定漏极电流为600A;后者额定电压为1700
    的头像 发表于 12-17 15:43 602次阅读
    MG400<b class='flag-5'>V2YMS31700V</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET<b class='flag-5'>模块</b>,助力实现尺寸更小,效率更高的工业设备

    安森美1.15亿美元收购Qorvo碳化硅JFET技术业务

    安森美官方微信发布的信息,此次收购旨在进一步巩固安森美在碳化硅技术领域的领先地位。碳化硅作为一种新型半导体材料,具有出色的耐高温、耐高压和耐高频特性,被广泛应用于电动汽车、能源管理、工业控制等领域。
    的头像 发表于 12-11 10:00 904次阅读