​安森美推出基于碳化硅的智能功率模块

安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)推出其第一代基于1200V碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的SPM31智能功率模块（IPM）系列。

与使用第7代场截止（FS7）IGBT技术相比，安森美EliteSiCSPM 31IPM在超紧凑的封装尺寸中提供超高的能效和功率密度，从而实现比市场上其他领先解决方案更低的整体系统成本。这些IPM改进了热性能、降低了功耗，支持快速开关速度，非常适用于三相变频驱动应用，如AI数据中心、热泵、商用暖通空调（HVAC）系统、伺服电机、机器人、变频驱动器（VFD）以及工业泵和风机等应用中的电子换向（EC）风机。

EliteSiCSPM 31 IPM 与安森美IGBTSPM 31 IPM 产品组合（涵盖15A至35A的低电流）形成互补，提供从40A到70A的多种额定电流。安森美目前以紧凑的封装提供业界领先的广泛可扩展、灵活的集成功率模块解决方案。

随着电气化和人工智能应用的增长，尤其是更多AI数据中心的建设增加了能源需求，降低该领域应用的能耗变得愈发重要。在这个向低碳排放世界转型的过程中，能够高效转换电能的功率半导体发挥着关键作用。

随着数据中心的数量和规模不断增长，预计对EC风机的需求也将随之增加。这些冷却风机可为数据中心的所有设备维持理想的运行环境，对于准确、无误的数据传送至关重要。SiC IPM可确保EC风机以更高能效可靠运行。

与压缩机驱动和泵等许多其他工业应用一样，EC风机需要比现有较大的IGBT解决方案具有更高的功率密度和能效。通过改用EliteSiCSPM 31IPM，客户将受益于更小的尺寸、更高的性能以及因高度集成而简化的设计，从而缩短开发时间，降低整体系统成本，并减少温室气体排放。例如，与使用当前IGBT功率集成模块(PIM)的系统解决方案相比，在70%负载时的功率损耗为500W，而采用高效的EliteSiCSPM 31 IPM 可使每个EC风机的年能耗和成本降低52%。

全集成的EliteSiCSPM 31 IPM 包括一个独立的上桥栅极驱动器、低压集成电路(LVIC)、六个EliteSiCMOSFET 和一个温度传感器（电压温度传感器(VTS)或热敏电阻）。该模块基于业界领先的 M3SiC 技术，缩小了裸片尺寸，并利用SPM 31封装提高短路耐受时间(SCWT)，从而针对硬开关应用进行了优化，适用于工业用变频电机驱动。MOSFET采用三相桥式结构，下桥臂采用独立源极连接，充分提高了选择控制算法的灵活性。

此外，EliteSiCSPM 31 IPM 还包括以下优势：

▷低损耗、额定抗短路能力的M3EliteSiC MOSFET，可防止设备和元件发生灾难性故障，如电击或火灾。

▷内置欠压保护（UVP），防止电压过低时损坏设备。

▷作为FS7IGBT SPM 31 的对等产品，客户可以在使用相同PCB板的同时选择不同的额定电流。

▷获得UL认证，符合国家和国际安全标准

▷单接地电源可提供更好的安全性、设备保护和降噪。

▷简化设计并缩小客户电路板尺寸，这得益于

栅极驱动器控制和保护

内置自举二极管（BSD）和自举电阻（BSR）

为上桥栅极升压驱动提供内部升压二极管

集成温度传感器（由LVIC和/或热敏电阻输出VTS）

内置高速高压集成电路