安森美半导体推出新一代1200V碳化硅二级管

高能效和可靠性在电源应用中日益重要，尤其是为了使制造商能满足更严格的国际标准。

安森美半导体新的650 V SUPERFETIII FAST 超级结MOSFET比市场上其他超级结MOSFET提供更好的开关性能，能效和系统可靠性更高。在快速增长的市场，包括5G、电动汽车充电桩、电信和服务器领域，对这些特性的要求很高。

安森美半导体的新一代1200 V碳化硅（SiC）二级管，符合车规AECQ101和工业级标准，是电动汽车充电桩及太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电动汽车车载充电器（OBC）及电动汽车DC-DC转换器等高功率应用的理想选择。

与硅方案相比，SiC二极管具有明显的优势，包括更高的可靠性、更低的电磁干扰（EMI）和更简单的冷却要求。新设计具有更小的芯片尺寸和更低的电容，较第一代SiC二极管有所改进。NVDSH20120C、NDSH20120C、NDSH50120C和NDSH50120C的正向压降更低，额定电流增加4倍，变化率（di/dt）更高，达到3500 A/µs。更小的芯片尺寸也使F2封装中的热阻降低了20％。

原文标题：新一代SUPERFET MOSFET和SiC二极管

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责任编辑：haq