金属里面自由电子构成的特殊气体，叫做“费米气体”。那么，费米气体和超导是什么关系呢？
沉积法是在基板材料上再附加材料的过程。通常是通过沉积一系列的涂层来完成，可以再使用蚀刻法对沉积层进行....
N型硅片通常需要更高纯度的硅料，这意味着它们含有的金属杂质较少，这些金属杂质可能会作为复合中心降低少....
单晶硅可以用于二极管级、整流器件级、电路级以及太阳能电池级单晶产品的生产和深加工制造，其后续产品集成....
光刻胶按照种类可以分为正性的、负性的。正胶受到紫外光照射的部分在显影时被去除，负胶受到紫外光曝光的地....
半导体炉管设备是用于半导体材料热处理的设备，包括电阻加热式和感应加热式两种形式。炉管是核心部件，将半....
光刻胶的性能：光刻胶的性能对套刻精度有显著影响。它决定了图形的套刻分辨率和边缘清晰度，光刻胶的收缩和....
氧化硅薄膜整个半导体制造过程是十分常见且不可或缺的，那么它具体有什么用途呢？
单晶硅的少子寿命是指非平衡少数载流子（电子或空穴）在半导体材料中从产生到消失（即通过复合过程失去）的....
SiC boat，即碳化硅舟。碳化硅舟是用在炉管中，装载载晶圆进行高温处理的耐高温配件。
本文介绍了离子注入机的相关原理。
离子注入机的原理是什么？
异质外延是一种先进的晶体生长技术，它指的是在一个特定的衬底材料上生长出与衬底材料具有不同晶体结构或化....
上图是TSV工艺的一般流程。TSV，全名Through-Silicon Via，又叫硅通孔工艺。
定义为连续50次测量的1σ方差，且未移动样品接头。
硬度作为评价材料力学性能的重要指标，其测量和应用对于材料科学和工程领域具有重要意义。
近年IGBT这个专业名词非常的热。电子、半导体、汽车、能源、电力、控制系统等行业，好像都涉及到了这个....
刻蚀可以分为湿法刻蚀和干法刻蚀。湿法刻蚀各向异性较差，侧壁容易产生横向刻蚀造成刻蚀偏差，通常用于工艺....
掺锑和掺磷硅单晶是两种不同的半导体材料，它们的物理特性受到掺杂剂类型的影响。
通过超导线环的电流基本上可以在没有任何电源的情况下永远流动，因为它永远不会损失任何能量。现在，由于闭....
本文介绍了硅掺杂其他元素的目的、分凝现象、电阻率与掺杂浓度之间的关系、共掺杂技术等知识，解释了单晶硅....
固体激光器的工作物质有红宝石、钕玻璃、钇铝石榴石（YAG）等，是在作为基质的材料的晶体或玻璃中均匀的....
晶向：位错腐蚀坑的形状主要呈三角形腐蚀坑
所谓波动是指振动在空间的传播形式。波场中每点的物理状态随时间作周期性的变化，而在每瞬时，场中各点物理....
分凝吸杂由杂质的溶解度梯度或硅片不同区域对杂质的溶解能力不同产生。与释放机制不同，分凝吸杂，吸杂区一....
在3D NAND的制造过程中，一般会有3个工序会用到干法蚀刻，即：台阶蚀刻，channel蚀刻以及接....
在紫外光照射下，三芳基碘盐光敏剂被激活，释放活性碘离子。这些活性碘离子与SU-8光刻胶中的丙烯酸酯单....
拉曼光谱是一种功能强大且用途广泛的分析技术，用于研究分子和材料样品。该技术基于光的非弹性散射，也称为....
在整个半导体制造过程中，微粒污染、静电放电损坏以及与此相关联的设备停机，是静电带来的三大问题。
根据晶体凝固生长与位错形成、运动与增殖的理论，多晶硅锭中位错存在两种来源：原生和增殖。
随着芯片特征尺寸的不断减小，传统的平面MOSFET由于短沟道效应的限制，难以继续按摩尔定律缩小尺寸。
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