在集成电路中，晶体管决定了芯片能不能“算”，而互连决定了信号能不能稳定地“送到”。随着制程节点不断缩....
在先进封装领域，混合键合(Hybrid Bonding)是实现芯片高密度堆叠的核心技术。它不同于传统....
后摩尔时代，晶体管数量的微缩速度无法再像过去一样，仍然保持每 18 个月翻一倍。
在半导体封装中，芯片本身并不能单独完成工作，它必须通过可靠的电气连接与外部基板、引线框架或封装载体相....
在半导体制造中，光刻工艺的分辨率直接决定芯片集成A度与性能。随着制程节点进入纳米级，传统光刻技术面临....
随着生成式人工智能的广泛应用，半导体存储器尤其是DRAM的重要性被重新认识。传统DRAM主要通过缩小....
本文介绍了晶体管密度缩放的三个不同的缩放时代：几何缩放、等效缩放和超缩放(或功能多样化)。
本文介绍了干法刻蚀中遇到的负载效应、微沟槽、离子损伤、表面电荷积累、聚合物残留等问题。
直接电子探测器的微型化催生了EBSD、RKD、同轴TKD与离轴TKD四种菊池衍射几何。它们分别适用于....
DRAM 技术正从 10nm 级向更先进节点迈进。为满足 AI 等高算力需求，电容器、晶体管与位单元....
X射线照相是非破坏性检测封装缺陷的关键手段，可精准识别密封工艺中的空洞、引线异常及多余物等内部问题。....
压电驱动器所采用的输出级类型，会极大影响整个压电定位系统的整体性能。因此在设计压电放大器时，必须选用....
传统的厚膜混合电路使用陶瓷基板，键合焊盘直接在陶瓷基材上涂覆一层Au或者Ag(合金)厚膜层。
图1为高密度有机混合基板上芯粒异质集成的俯视图和截面图。它由4个主要部分组成:①含微凸点的芯片;②精....
研究发现，在IC芯片上的有源区内进行热超声键合的最佳聚酰亚胺具有最高的弹性模量E，弹性模量即应力除以....
为了降低成本和提高性能，芯片尺寸一直在不断缩小。密度的增加是通过推动器件尺寸和缩小图案尺寸来实现的。....
在光学光刻中，随着特征尺寸不断接近曝光波长，传统二元掩模因光的衍射效应导致图像边缘模糊、对比度下降，....
在功率半导体领域，垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOS)凭借其高耐压、低导通电阻和快速....
等离子体清洗设备通常比UV-臭氧设备体积更大、成本更高且结构更复杂，其组成部分包括真空泵、几百瓦功率....
低功耗CMOS集成电路设计作为半导体领域的核心研究方向，其发展脉络与行业需求紧密交织，自20世纪70....
微芯片制造作为半导体产业的核心支柱，其工艺复杂性与技术精密性持续突破物理极限，正朝着3纳米以下制程、....
从传统到阵列，从ILB到OLB，载带焊如何在高密度互连的浪潮中突破性能与成本的“双刃”挑战，引领芯片....
在这个万物互联的时代，你的手机信号能够稳定覆盖数公里，背后的功臣是一个你可能从未听过的核心器件——横....
IC芯片半导体工艺制造技术作为集成电路产业的核心支撑，其发展始终围绕高性能器件研发与工艺精度提升展开....
在追求更高性能的征途中，工程师们发现了一个免费午餐——应变硅技术。通过在特定区域引入晶格应力，可以显....
本文将了解如何用鉴相/鉴频器（PFD）替代普通鉴相器，以扩展锁相环（PLL）的捕获范围。
金线偏移是封装环节中最为常见的失效形式之一，IC元器件往往因金线偏移量超出合理范围，导致相邻金线相互....
在行业通用的载板制造领域中，除了减成法（Tenting）、改良型半加成法（mSAP）、半加成法（SA....
薄膜是现代微电子、光子学与微机电系统（MEMS）器件最基础的构成单元，小到芯片里的导电层、绝缘层，大....
在芯片性能的比拼中，有一个参数几乎成了晶体管速度的代名词——饱和电流(IdSAT)。它衡量的是晶体管....
