美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出采用碳化硅(SiC)材料和技术的全新1200 V肖特基二极管系列
2012-11-22 14:09:06
1450 中国,北京,2018年1月24日讯 - Littelfuse, Inc.,作为全球电路保护领域的领先企业,今日宣布新推出了四个隶属于其第2代产品家族的1200V碳化硅(SiC)肖特基二极管系列产品,该产品家族最初于2017年5月发布。
2018-01-25 11:04:57
9079 极快反向恢复速度的600V-1200V碳化硅肖特基二极管芯片及成品器件 。海飞乐技术600V碳化硅二极管现货选型相比于Si半导体材料,SiC半导体材料具有禁带宽度较大、临界电场较大、热导率较高的特点,SiC
2019-10-24 14:25:15
逆变器等中高功率领域,可显著的减少电路的损耗,提高电路的工作频率。 关断波形图(650V/10A产品) 650V/1200V碳化硅肖特基二极管选型
2020-09-24 16:22:14
Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二极管特性 封装外形⚫最大结温为 175°C⚫高浪涌电流容量⚫零反向恢复电流⚫零正向恢复电压⚫高频工作⚫开关特性不受温度
2020-03-13 13:42:49
介绍了采用商用1200V碳化硅(SiC)MOSFET和肖特基二极管的100KHz,10KW交错式硬开关升压型DC / DC转换器的参考设计和性能。 SiC功率半导体的超低开关损耗使得开关频率在硅实现方面显着增加
2019-05-30 09:07:24
PN结器件优越的指标是正向导通电压低,具有低的导通损耗。 但硅肖特基二极管也有两个缺点,一是反向耐压VR较低,一般只有100V左右;二是反向漏电流IR较大。 二、碳化硅半导体材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
反向恢复电流,其关断过程很快,开关损耗很小。由于碳化硅材料的临界雪崩击穿电场强度较高,可以制作出超过1000V的反向击穿电压。在3kV以上的整流器应用领域,由于SiC PiN二极管与Si器件相比具有更快
2019-10-24 14:21:23
碳化硅肖特基二极管主要特点及产品系列 基本半导体B1D系列碳化硅肖特基二极管主要技术参数如下: 650V、1200V系列B1D碳化硅肖特基二极管电流范围从2-40A,封装涵盖TO-220,TO-252,TO-263,TO-247及其家族群封装,产品列表见下:原作者:基本半导体
2023-02-28 16:55:45
的小电流,因此碳化硅肖特基二极管的开关损耗比硅快速恢复二极管更低。使用碳化硅肖特基二极管可以减少损耗,能快速稳定实现器件的正反切换,提高产品的效率和降低产品噪音,同时易于改善EMI。 以下测试结果
2023-02-28 16:34:16
Toshiba研发出一种SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),其将嵌入式肖特基势垒二极管(SBD)排列成格子花纹(check-pattern embedded SBD),以降低导通电
2023-04-11 15:29:18
200V,但是碳化硅肖特基二极管能拥有较短恢复时间实践,同时在正向电压也减少,耐压也大大超过200V,典型的电压有650V、1200V等,另外在反向恢复造成的损耗方面碳化硅肖特基二极管也有很大优势。在
2020-06-28 17:30:27
%至 97%的系统效率。此外,CoolSiC 肖特基二极管有助于降低导通和恢复损耗。相比纯硅设计而言,该器件是实现硬换向的理想器件,损耗可降低 30%。由于具有较低的冷却要求,该二极管还能降低系统成本,带来极佳的性价比优势。详情见附件。。。。。。
2021-03-29 11:00:47
,大多数硅用于高达250V的电压,而砷化镓、碳化硅或硅锗被用作阻断200至1700V电压的半导体材料。硅肖特基二极管具有大约0.4V的低阈值电压,工作电流较低时甚至低于0.1V。这远远低于电压约为1V
2017-04-19 16:33:24
Basic Semi代理商 B1D02065K是一款碳化硅肖特基二极管,与传统的硅基器件相比,具有更优越的性能,零开关损耗,提高效率,降低解决方案成本,功率密度增加,实现更高的开关频率,减少对散热器
2021-11-09 16:36:57
B1M080120HC是一款碳化硅 MOSFET 具有导通电阻低,开关损耗小的特点,可降低器件损耗,提升系统效率,更适合应用于高频电路。降低器件损耗,提升系统 EMI 表现。在新能源汽车电机控制器
2021-11-10 09:10:42
Basic Semi代理商 B1D02065E 是一款碳化硅肖特基二极管,与传统的硅基器件相比,具有更优越的性能,零开关损耗,极低反向电流 ,无反向恢复电流 ,低电容电荷, 提高效率,降低解决方案
2021-10-27 15:00:42
SIC碳化硅二极管
2016-11-04 15:50:11
小轻薄,小尺寸,大能量B1D04065E PD快充用碳化硅肖特基二极管。特性:⚫极低反向电流⚫ 无反向恢复电流⚫ 温度无关开关⚫ VF上的正温度系数⚫ 卓越的浪涌电流能力⚫ 低电容电荷优势:⚫基本上
2021-11-06 09:26:20
阻。尽管普通二极管的“惯性”较大,但是在超过200V的工作电压场合,普通的PIN二极管占主导地位。 源于硅基的肖特基二极管,近年来开发出来新的基于碳化硅(SiC)的肖特基二极管用于一些效率很关键的电力
2019-01-02 13:57:40
是1000V。FR106,FR107300ns快速恢复二极管FR101-FR105150nsSR260肖特基二极管 10ns左右反向恢复时间短,特别适用于高频电路。二、碳化硅二极管碳化硅是一种新材料,几乎不
2023-02-15 14:24:47
的整体系统尺寸,更小的整体成本,高温下更高的可靠性,同时降低功率损耗。创能动力可提供碳化硅二极管、碳化硅MOSFET、碳化硅功率模组和集成功率模组,用于太阳能逆变器、功率因数校正、电动车充电桩和高效率
2023-02-22 15:27:51
和 500A,带或不带碳化硅肖特基续流 1200V 二极管。 另一个例子是MiniSKiiP,这是一种无底板电源模块,使用赛米控的SPRiNG系统将电源和辅助端子连接到PCB。弹簧位置由外壳设计固定
2023-02-20 16:29:54
, Rgon=Rgoff=10Ω, VGE=15V/0V, L=200uH 图12 传统IGBT及混合碳化硅分立器件开关损耗参数对比 如图12所示,碳化硅肖特基二极管对IGBT的损耗和二极管反向恢复损耗
2023-02-28 16:48:24
一种减慢di/dt和dv/dt的方式来解决。不幸的是,这些方法会导致开关损耗增加和系统效率降低。而在使用碳化硅MOSFET时,只需在栅极和源极之间增加一个二极管电压钳位即可解决这一难题。 在碳化硅
2023-03-14 14:05:02
ROHM努力推进最适合处理高耐压与大电流电路使用SiC(碳化硅)材料的SBD(肖特基势垒二极管)。2010年在日本国内率先开始SiC SBD的量产,目前正在扩充第二代SIC-SBD产品阵容,并推动在
2018-12-04 10:26:52
得到更低栅极开关驱动损耗(图1).碳化硅MOSFET寄生体二极管具有极小的反向恢复时间trr和反向恢复电荷Qrr。如图所示,同一额定电流900V的器件,碳化硅MOSFET 寄生二极管反向电荷只有同等
2016-08-05 14:32:43
了第一代和第二代产品的优点,采用JBS结构,优化了N-外延层的掺杂浓度,减薄N+衬底层,使得二极管具有更低的正向导通压降VF和结电荷QC,可以降低应用端的导通损耗和开关损耗。 图(1)碳化硅二极管
2023-02-28 17:13:35
MDD肖特基二极管具有的优势:肖特基二极管MBR系列极快的开关速度以及非常低的反向恢复时间使它们非常适合高频应用,并能最大程度降低开关损耗。肖特基二极管均具有非常低的正向压降和比传统二极管更低的热
2020-08-28 17:12:29
电场而具有高击穿电压。例如,商用硅肖特基二极管的电压小于300V,而第一个商用SiC肖特基二极管的击穿电压已达到600V。3)碳化硅具有较高的导热性。4)SiC器件可以在更高的温度下工作,而Si器件
2023-02-07 15:59:32
`<p>浅析肖特基二极管市场目前的发展形态 1、不同版本 然而,并非所有的肖特基二极管都一样。例如,大多数硅用于高达250V的电压,而砷化镓、碳化硅或硅锗被用作阻断
2018-11-06 13:48:58
,同时在正向电压也减少,耐压也大大超过200V,典型的电压有650V、1200V等,另外在反向恢复造成的损耗方面碳化硅肖特基二极管也有很大优势。在开关电源输出整流部分如果用碳化硅肖特基二极管可以用实现
2023-02-20 15:15:50
使用绝缘栅双极晶体管(IGBT)。但随着半导体技术的进步,碳化硅 (SiC) 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 能够以比 IGBT 更高的频率进行开关,通过降低电阻和开关损耗来提高效率
2022-11-02 12:02:05
CSD01060E为600 V 分立碳化硅肖特基二极管。600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比标准肖特基势垒二极管更坚固可靠。将碳化硅二极管
2022-05-27 20:10:54
C3D03060F为600 V 分立碳化硅肖特基二极管。600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比标准肖特基势垒二极管更坚固可靠。将碳化硅二极管
2022-05-28 12:10:17
C3D03060A为600 V 分立碳化硅肖特基二极管。600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比标准肖特基势垒二极管更坚固可靠。将碳化硅二极管
2022-05-28 12:16:00
C3D04060E为600 V 分立碳化硅肖特基二极管。600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比标准肖特基势垒二极管更坚固可靠。将碳化硅二极管
2022-05-28 12:23:31
C3D04060F为600 V 分立碳化硅肖特基二极管。600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比标准肖特基势垒二极管更坚固可靠。将碳化硅二极管
2022-05-28 15:37:47
C3D04060A为600 V 分立碳化硅肖特基二极管。600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比标准肖特基势垒二极管更坚固可靠。将碳化硅二极管
2022-05-28 15:55:46
C3D06060G为600 V 分立碳化硅肖特基二极管。600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比标准肖特基势垒二极管更坚固可靠。将碳化硅二极管
2022-05-28 16:04:58
C3D06060F为600 V 分立碳化硅肖特基二极管。600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比标准肖特基势垒二极管更坚固可靠。将碳化硅二极管
2022-05-28 16:12:24
C3D06060A为600 V 分立碳化硅肖特基二极管。600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比标准肖特基势垒二极管更坚固可靠。将碳化硅二极管
2022-05-28 16:18:33
C3D08060G为600 V 分立碳化硅肖特基二极管。600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比标准肖特基势垒二极管更坚固可靠。将碳化硅二极管
2022-05-28 16:25:05
C3D08060A为600 V 分立碳化硅肖特基二极管。600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比标准肖特基势垒二极管更坚固可靠。将碳化硅二极管
2022-05-28 16:54:16
C3D10060A为600 V 分立碳化硅肖特基二极管。600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比标准肖特基势垒二极管更坚固可靠。将碳化硅二极管
2022-05-28 17:04:18
C3D16060D为600 V 分立碳化硅肖特基二极管。600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比标准肖特基势垒二极管更坚固可靠。将碳化硅二极管
2022-05-29 10:28:06
C3D20060D为600 V 分立碳化硅肖特基二极管。600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比标准肖特基势垒二极管更坚固可靠。将碳化硅二极管
2022-05-29 10:32:40
二极管与碳化硅 MOSFET配对可在一起购买时实现更高效率和更低组件价格的强大组合。C4D02120E好处• 用单极整流器代替双极• 基本上没有开关损耗• 更高的效率
2022-06-02 18:25:12
二极管与碳化硅 MOSFET配对可在一起购买时实现更高效率和更低组件价格的强大组合。C4D02120A好处• 用单极整流器代替双极• 基本上没有开关损耗• 更高的效率
2022-06-02 18:29:57
二极管与碳化硅 MOSFET配对可在一起购买时实现更高效率和更低组件价格的强大组合。C4D05120E好处• 用单极整流器代替双极• 基本上没有开关损耗• 更高的效率
2022-06-02 18:35:42
二极管与碳化硅 MOSFET配对可在一起购买时实现更高效率和更低组件价格的强大组合。C4D05120A好处• 用单极整流器代替双极• 基本上没有开关损耗• 更高的效率
2022-06-02 18:40:17
二极管与碳化硅 MOSFET配对可在一起购买时实现更高效率和更低组件价格的强大组合。C4D08120E好处• 用单极整流器代替双极• 基本上没有开关损耗• 更高的效率
2022-06-02 18:44:47
二极管与碳化硅 MOSFET配对可在一起购买时实现更高效率和更低组件价格的强大组合。C4D08120A好处• 用单极整流器代替双极• 基本上没有开关损耗• 更高的效率
2022-06-02 18:48:49
二极管与碳化硅 MOSFET配对可在一起购买时实现更高效率和更低组件价格的强大组合。E4D10120A好处• 用单极整流器代替双极• 基本上没有开关损耗• 更高的效率
2022-06-02 18:54:09
二极管与碳化硅 MOSFET配对可在一起购买时实现更高效率和更低组件价格的强大组合。C4D10120H好处• 用单极整流器代替双极• 基本上没有开关损耗• 更高的效率
2022-06-03 14:24:29
二极管与碳化硅 MOSFET配对可在一起购买时实现更高效率和更低组件价格的强大组合。C4D10120E好处• 用单极整流器代替双极• 基本上没有开关损耗• 更高的效率
2022-06-03 18:14:54
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2022-06-03 18:21:10
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2022-06-03 18:25:26
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2022-06-03 18:30:26
二极管与碳化硅 MOSFET配对可在一起购买时实现更高效率和更低组件价格的强大组合。C4D15120D好处• 用单极整流器代替双极• 基本上没有开关损耗• 更高的效率
2022-06-03 18:37:08
二极管与碳化硅 MOSFET配对可在一起购买时实现更高效率和更低组件价格的强大组合。C4D15120A好处• 用单极整流器代替双极• 基本上没有开关损耗• 更高的效率
2022-06-03 18:43:35
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2022-06-03 18:49:31
二极管与碳化硅 MOSFET配对可在一起购买时实现更高效率和更低组件价格的强大组合。E4D20120D好处• 用单极整流器代替双极• 基本上没有开关损耗• 更高的效率
2022-06-03 18:54:14
二极管与碳化硅 MOSFET配对可在一起购买时实现更高效率和更低组件价格的强大组合。C4D20120H好处• 用单极整流器代替双极• 基本上没有开关损耗• 更高的效率
2022-06-03 19:01:56
二极管与碳化硅 MOSFET配对可在一起购买时实现更高效率和更低组件价格的强大组合。C4D20120D好处• 用单极整流器代替双极• 基本上没有开关损耗• 更高的效率
2022-06-03 19:07:00
二极管与碳化硅 MOSFET配对可在一起购买时实现更高效率和更低组件价格的强大组合。C4D20120A好处• 用单极整流器代替双极• 基本上没有开关损耗• 更高的效率
2022-06-03 19:12:16
二极管与碳化硅 MOSFET配对可在一起购买时实现更高效率和更低组件价格的强大组合。E4D20120G好处• 用单极整流器代替双极• 基本上没有开关损耗• 更高的效率
2022-06-03 19:18:42
C4D30120H是1200V 分立碳化硅肖特基二极管。具有碳化硅 (SiC) 的性能优势肖特基势垒二极管,电力电子系统可以期待满足比硅基解决方案更高的效率标准,同时还达到更高的频率和功率密度
2022-06-03 19:29:09
二极管与碳化硅 MOSFET配对可在一起购买时实现更高效率和更低组件价格的强大组合。C4D30120D好处• 用单极整流器代替双极• 基本上没有开关损耗• 更高的效率
2022-06-03 19:34:40
C4D40120H是1200V 分立碳化硅肖特基二极管。具有碳化硅 (SiC) 的性能优势肖特基势垒二极管,电力电子系统可以期待满足比硅基解决方案更高的效率标准,同时还达到更高的频率和功率密度
2022-06-03 19:40:19
二极管与碳化硅 MOSFET配对可在一起购买时实现更高效率和更低组件价格的强大组合。C4D40120D好处• 用单极整流器代替双极• 基本上没有开关损耗• 更高的效率
2022-06-03 19:46:36
G2S06505A 650V 5A 碳化硅肖特基功率二极管 TO-220
2016-06-17 15:42:45
4 推动高能效创新的安森美半导体推出最新650 V碳化硅(SiC)肖特基二极管系列产品,扩展了SiC二极管产品组合。
2018-03-01 13:14:17
9301 相比硅二极管,GEN2碳化硅肖特基二极管可显著降低开关损耗,并大幅提高电力电子系统的效率和可靠性。
2018-07-06 15:11:35
5264 的重要补充,也是Littelfuse公司已发布的1200V碳化硅MOSFET和肖特基二极管的强有力补充。最终用户将受益于更加紧凑节能的系统以及潜在更低的总体拥有成本。
2018-10-23 11:34:37
6278 和PPAP能力 – 具有市场上最低的前向压降(VF),在电动车辆(EV)应用中具有最优的效率。主要特性:高效功率转换器(得益于低前向导通和开关损耗)与双二极管高功耗集成,降低了PCB尺寸显著降低了功率
2018-11-20 15:28:07
1866 碳化硅肖特基二极管(SiCSBD)是一种单极型器件,采用结势垒肖特基二极管结构(JBS),因此相比于传统的硅快恢复二极管(SiFRD),碳化硅肖特基二极管具有理想的反向恢复特性。可以有效降低反向漏电
2020-11-17 15:55:05
6966 。结合硅 IGBT 或超结 MOSFET,譬如,在三相系统中用于 Vienna 整流或 PFC 升压,CoolSiCTM 二极管相比于硅二极管,效率可提高 1% 或以上,PFC 和 DC-DC 级的输出功率可增加 40% 或以上。除开关损耗微乎其微之外——这是碳化硅肖特基二极管的标志性特点——第五代 C
2021-01-11 08:00:00
3 二次侧整流二极管通常使用FRD(快速恢复二极管)和SBD(肖特基势垒二极管)等,本文提到的基本半导体碳化硅肖特基二极管B1D30120HC基本没有开关损耗,而且VF具有正向温度系数,有利于提高车载充电机实际的效率。
2022-07-26 14:43:34
1889 碳化硅肖特基功率二极管G4S06510AT产品规格书免费下载。
2022-08-30 15:10:17
2 碳化硅肖特基功率二极管GAS06520H产品规格书免费下载。
2022-08-31 14:36:53
0 碳化硅肖特基功率二极管GAS06520P产品规格书免费下载。
2022-08-31 14:35:23
1 碳化硅肖特基功率二极管GRS06501AT产品规格书免费下载。
2022-08-31 09:55:10
4 碳化硅二极管具有较短的恢复時间、溫度针对电源开关个人行为的危害较小、规范操作温度范畴为-55℃到175℃,那样更平稳,还大幅度降低热管散热器的要求。碳化硅二极管的关键优点取决于它具有极快的电源开关速率且无反向恢复电流量,与硅元器件对比,它可以大幅度降低开关损耗并完成非凡的能耗等级。
2023-02-09 10:05:52
1325 
碳化硅二极管是用碳化硅为原料制作而成的二极管。碳化硅二极管,号称反向恢复时间为零,是高效PFC boost电路的专用升压二极管。以碳化硅二极管为代表的第三代半导体材料的发展开始受到重视,并在智能
2023-02-10 17:45:17
3674 碳化硅的RDS(ON)较低,因而开关损耗也较低,通常比硅低100倍。基于碳化硅的肖特基二极管具有更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性,可以在电力电子技术领域打破硅的极限,成为新能源及电力电子的首选器件。
2023-05-18 12:46:40
864 
碳化硅二极管是什么 碳化硅二极管是一种半导体器件,它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐压能力和高的温度耐受性,因此碳化硅二极管具有较低的反向漏电流、高温下稳定性良好、响应速度快等特点,广泛用于高功率、高频率、高温、高压等领域,如电源、变频器、太阳能、电动汽车等。
2023-06-02 14:10:32
1819 碳化硅肖特基二极管(Silicon Carbide Schottky Diode)是一种高性能半导体器件,具有低开启电压、高速开关、高温性能等优点,广泛应用于电源、驱动、逆变器、电动汽车等领域。
2023-06-04 16:09:00
4308 碳化硅肖特基二极管是一种基于碳化硅材料的半导体器件,具有高速、高温、高功率特性。其原理基于肖特基效应,即在金属与半导体接触处形成一个肖特基势垒,使得半导体中的载流子向金属一侧偏移,形成整流效应。
2023-06-07 17:10:34
2338 的优点和局限性进行详尽、详实、细致的分析。 1. 优点: 1.1 高温稳定性:碳化硅具有极高的热稳定性,其耐高温性能优于硅材料。碳化硅二极管的正常工作温度可达到200-300°C,甚至更高。这使得碳化硅二极管特别适用于高温环境下的应用,如航
2023-12-21 11:31:27
4769 在当今快速发展的电力电子领域,碳化硅(SiC)材料因其出色的物理性能而备受关注。作为一种宽禁带半导体材料,碳化硅在制造高效、高温和高速的电子器件方面具有巨大潜力。其中,碳化硅肖特基二极管作为一种重要
2023-12-29 09:54:29
1624 SiC(碳化硅)肖特基二极管正逐步取代传统的FRD(快恢复二极管),成为新一代电力电子设备的核心元件。本文将深入探讨这一趋势背后的原因,并探究BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二极管在性能、效率和应用方面的优势。 BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二极管
2025-02-06 11:51:05
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结合国产碳化硅功率半导体市场的竞争格局和技术发展趋势,SiC碳化硅二极管公司已经成为国产碳化硅功率器件行业出清的首批对象,比如2024已经有超过两家SiC碳化硅二极管公司破产清算,仅有碳化硅二极管
2025-02-28 10:34:31
753 P3D06010G2 是一款 650V 的碳化硅肖特基二极管,采用 TO - 263 - 2 封装。其通过了 AEC - Q101认证,具备超快速开关、零反向恢复电流、可高频运行等特性,正向电压具有
2025-02-28 18:21:04
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近日,知名半导体公司恩智浦(NXP)宣布推出两款新的1200V、20A碳化硅(SiC)肖特基二极管。这些新产品的推出旨在满足日益增长的工业电源应用需求,特别是在超低功率损耗整流方面。这一创新不仅将
2025-07-15 09:58:39
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新品第五代碳化硅CoolSiC肖特基二极管1200VCoolSiC1200V肖特基二极管采用TO-247-2封装,可实现高效紧凑设计,具有增强的鲁棒性和可靠性。该产品通过了雪崩测试验证,电流等级高达
2025-08-07 17:06:13
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作为电子工程师,我们在电源设计领域总是不断追求更高的效率、更快的频率和更小的体积。碳化硅(SiC)肖特基二极管的出现,为我们带来了新的解决方案。今天就来详细分析安森美(onsemi)的一款碳化硅肖特基二极管——NDSH10120C - F155。
2025-12-01 16:07:55
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——LSIC2SD065D40CC,看看它有哪些独特之处,能为我们的设计带来怎样的优势。 文件下载: Littelfuse LSIC2SD065D40CC碳化硅肖特基势垒二极管.pdf 产品概述
2025-12-15 16:10:20
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