美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出采用碳化硅(SiC)材料和技术的全新1200 V肖特基二极管系列
2012-11-22 14:09:06
1450 权衡取舍的挑战， 安森美( onsemi) 基于新一代半导体材料碳化硅(SiC)的方案，有助于变革性地优化UPS设计。 安森美是领先的智能电源方案供应商之一，也是全球少数能提供从衬底到模块的端到端SiC方案供应商，提供先进的SiC、SiC/Si 混合和 IGBT 模块
2022-06-24 10:35:051954 
众所周知，对于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)来说，高质量的衬底可以从外部购买得到，高质量的外延片也可以从外部购买到，可是这只是具备了获得一个碳化硅器件的良好基础，高性能的碳化硅器件对于
2023-04-06 16:19:012204 
安森美(onsemi)发布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET，命名为M3S，其中S代表开关。
2024-03-26 09:57:193707 
安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列专注于提高开关性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定电阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，还针对工业电源系统中的高功率应用进行了优化。
2024-03-28 10:01:092465 
安森美 (onsemi)的1200V 分立器件和模块中的 M3S 技术已经发布。M3S MOSFET 的导通电阻和开关损耗均较低，提供 650 V 和 1200 V 两种电压等级选项。本白皮书侧重于
2025-02-21 11:24:201804 
2023 年4 月12 日 – 专注于引入新品的全球半导体和电子元器件授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货安森美 (onsemi) EliteSiC碳化硅
2023-04-13 14:46:11996 
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）最近，安森美发布了第二代1200V SiC MOSFET产品。安森美在前代SiC MOSFET产品中，采用M1及其衍生的M2技术平台，而这次发布的第二代1200V
2024-04-08 01:55:004884 BASiC基本半导体40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超结MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半导体40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28
极快反向恢复速度的600V-1200V碳化硅肖特基二极管芯片及成品器件 。海飞乐技术600V碳化硅二极管现货选型相比于Si半导体材料，SiC半导体材料具有禁带宽度较大、临界电场较大、热导率较高的特点，SiC
2019-10-24 14:25:15
碳化硅（SiC）具有禁带宽度大、击穿电场强度高、饱和电子漂移速度高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强、化学稳定性良好等特点，被认为是制作高温、高频、大功率和抗辐射器件极具潜力的宽带隙半导体材料
2020-09-24 16:22:14
。尤其在高压工作环境下，依然体现优异的电气特性，其高温工作特性，大大提高了高温稳定性，也大幅度提高电气设备的整体效率。 产品可广泛应用于太阳能逆变器、车载电源、新能源汽车电机控制器、UPS、充电桩、功率电源等领域。 1200V碳化硅MOSFET系列选型
2020-09-24 16:23:17
SIC碳化硅二极管
2016-11-04 15:50:11
下一代电源半导体的方案阵容，包括针对汽车功能电子化的宽禁带WBG（碳化硅SiC和氮化镓GaN）、全系列电子保险丝eFuse以减少线束、和免电池的智能无源传感器以在汽车感测/车身应用中增添功能。
2018-10-25 08:53:48
的正向损耗小。 (2)碳化硅功率器件由于具有高的击穿电场而具有高的击穿电压。例如，商用的硅肖特基的电压小于300V，而第一个商用的碳化硅肖特基二极管的击穿电压已达到600V。 (3)碳化硅有高的热导率
2019-01-11 13:42:03
具有明显的优势。UnitedSiC的1200V和650V器件除了导通电阻低，还利用了低内感和热阻的SiC性能。 1200V和650V第三代器件的导通电阻值比较 Anup Bhalla说，碳化硅的优点
2023-02-27 14:28:47
进一步了解碳化硅器件是如何组成逆变器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我们来聊聊碳化硅器件的特点
2021-03-16 08:00:04
反向恢复电流，其关断过程很快，开关损耗很小。由于碳化硅材料的临界雪崩击穿电场强度较高，可以制作出超过1000V的反向击穿电压。在3kV以上的整流器应用领域，由于SiC PiN二极管与Si器件相比具有更快
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比拟的优良性能，碳化硅是宽禁带半导体材料的一种，主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等，因此被应用于各种半导体材料当中，碳化硅器件主要包括功率二极管和功率开关管
2020-06-28 17:30:27
超过40%，其中以碳化硅材料（SiC）为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。根据中国半导体行业协会统计，2019年中国半导体产业市场规模达7562亿元
2021-01-12 11:48:45
。超硬度的材料包括:金刚石、立方氮化硼，碳化硼、碳化硅、氮化硅及碳化钛等。3)高强度。在常温和高温下，碳化硅的机械强度都很高。25℃下，SiC的弹性模量，拉伸强度为1.75公斤/平方厘米，抗压强度为
2019-07-04 04:20:22
硅与碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗称金刚砂。SiC 在自然界中以矿物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不过，自1893 年以来，粉状碳化硅已被大量生产用作研磨剂。碳化硅用作研磨剂已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，比传统的硅基器件具有更优越的性能。碳化硅的宽禁带（3.26eV）、高临界场（3×106V/cm）和高导热系数（49W/mK）使功率半导体器件效率更高，运行速度更快
2023-02-28 16:34:16
，因此使用碳化硅（SiC）陶瓷线路板的功率器件的阻断电压比Si器件高很多。3) 低损耗一般而言，半导体器件的导通损耗与其击穿场强成反比，故在相似的功率等级下，SiC器件的导通损耗比Si器件小很多。且使用斯
2021-03-25 14:09:37
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的结构是如何构成的？
2021-06-18 08:32:43
具有决定性的影响。因此，深入理解栅极氧化层的特性，并掌握其可靠性测试方法，对于推动碳化硅 MOSFET的应用和发展具有重要意义。今天的“SiC科普小课堂”将聚焦于“栅极氧化层”这一新话题：“什么是栅极
2025-01-04 12:37:34
传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生，以碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。SiC和GaN电力电子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
电机驱动。碳化硅器件和碳化硅模组可用于太阳能发电、风力发电、电焊机、电力机车、远距离输电、服务器、家电、电动汽车、充电桩等用途。创能动力于2015年在国内开发出6英寸SiC制造技术，2017年推出基于6
2023-02-22 15:27:51
复杂的设计，功率模块的集成能力使其成为首选。但是哪些封装适用于快速开关碳化硅器件？ 当传统硅器件在功率损耗和开关频率方面达到极限时，碳化硅可能是合适的半导体选择。高达 30 至 40kHz，最新一代
2023-02-20 16:29:54
的混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）将新型场截止IGBT技术和碳化硅肖特基二极管技术相结合，为硬开关拓扑打造了一个兼顾品质和性价比的完美方案。 该器件将传统
2023-02-28 16:48:24
员要求的更低的寄生参数满足开关电源（SMPS）的设计要求。650V碳化硅场效应管器件在推出之后，可以补充之前只有1200V碳化硅场效应器件设计需求，碳化硅场效应管（SiC MOSFET）由于能够实现硅
2023-03-14 14:05:02
对于高压开关电源应用，碳化硅或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性能门极驱动电路时使用SiC MOSFET的好处。
2018-08-27 13:47:31
和 1200V SiC 功率芯片集成在同一块 DBC 板上，使半桥模块面积仅为 TO-247 单管大小，极大地减小了驱动回路和功率回路的寄生电感参数。阿肯色大学则针对碳化硅芯片开发了相关的 SiC CMOS 驱动
2023-02-22 16:06:08
10μs，在设计硅IGBT的短路保护电路时，建议将短路保护的检测延时和相应时间设置在5-8μs较为合适。 2）碳化硅MOSFET 一般碳化硅MOSFET模块短路承受能力小于5μs，要求短路保护在3
2023-02-27 16:03:36
）和发射极可关断晶闸管（ETO）等。1、SiC 肖特基二极管肖特基二极管最显著的特点是反向恢复时间短，但是就传统的肖特基二极管它的耐压一般不超过200V，但是碳化硅肖特基二极管能拥有较短恢复时间实践
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蚀技术去刻蚀碳化硅，采用的是ICP系列设备，刻蚀气体使用的是SF6+O2，碳化硅上面没有做任何掩膜，就是为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻蚀过程中总是会在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
推动高能效创新的安森美半导体推出最新650 V碳化硅（SiC）肖特基二极管系列产品，扩展了SiC二极管产品组合。
2018-03-01 13:14:179301 2018年6月5日 —推动高能效创新的安森美半导体 (ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)，发布了碳化硅 (SiC) 肖特基二极管的扩展系列，包括专门用于要求严苛的汽车应用的器件。
2018-06-21 16:08:424497 推动高能效创新的安森美半导体 （ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON），发布一系列新的碳化硅 （SiC） MOSFET器件，适用于功率密度、能效和可靠性攸关的高要求应用。
2021-02-19 14:03:152659 的开关性能，能效和系统可靠性更高。在快速增长的市场，包括5G、电动汽车充电桩、电信和服务器领域，对这些特性的要求很高。 安森美半导体的新一代1200 V碳化硅（SiC）二级管，符合车规AECQ101和工业级标准，是电动汽车充电桩及太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电动汽车车载充电
2021-05-13 14:43:022646 2022年5月11日 –移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布推出新一代1200V碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET）系列，这些产品在导通电阻方面具备业界出众的性能表征。
2022-05-12 11:22:572457 
移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®（纳斯达克代码：QRVO）今天宣布推出新一代 1200V 碳化硅 （SiC） 场效应晶体管 （FET） 系列，该系列具有出色的导通电阻特性。
2022-05-17 10:37:152168 安森美宣布将其碳化硅(SiC)系列命名为“EliteSiC”。在本周美国拉斯维加斯消费电子展览会(CES)上，安森美将展示EliteSiC 系列的3款新成员：一款1700 V EliteSiC
2023-01-04 13:46:191213 ：ON)，宣布将其碳化硅(SiC)系列命名为“EliteSiC”。在本周美国拉斯维加斯消费电子展览会(CES)上，安森美将展示EliteSiC 系列的3款新成员：一款1700 V EliteSiC MOSFET
2023-01-05 13:16:581201 点击蓝字 关注我们 领先于智能电源和智能感知技术的 安森美 ( onsemi ，美国纳斯达克股票代号：ON) ，宣布将其碳化硅(SiC)系列命名为“EliteSiC”。在本周美国拉斯维加斯消费
2023-01-05 15:20:04853 代号：ON)，宣布将其碳化硅(SiC)系列命名为“EliteSiC”。在本周美国拉斯维加斯消费电子展览会(CES)上，安森美将展示EliteSiC 系列的3款新成员：一款1700 V EliteSiC
2023-01-05 20:20:49989 什么是第三代半导体？我们把SiC碳化硅功率器件和氮化镓功率器件统称为第三代半导体，这个是相对以硅基为核心的第二代半导体功率器件的。今天我们着重介绍SiC碳化硅功率器件，也就是SiC碳化硅二极管
2023-02-21 10:16:473721 这家德国高端汽车制造商的400 V直流母线电动动力传动系统。安森美 最新的EliteSiC 750 V M3芯片 被集成到一个全桥功率模块中， 可提供几百千瓦的功率 。 安森美与宝马集团签署长期供货协议 (LTSA) 两家公司的战略合作针对电动动力传动系统的开发和整合，使安森美能为特定应用
2023-03-10 21:50:04815 本文作者： 安森美汽车主驱功率模块 产品线 经理 Bryan Lu 众所周知，对于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)来说，高质量的衬底可以从外部购买
2023-03-30 22:15:012956 智能电源和智能感知技术的领导者安森美（onsemi，美国纳斯达克上市代号：ON），推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅（SiC）M3S器件，助力电力电子工程师实现更出色的能效和更低系统
2023-05-10 16:54:101359 ）。安森美将为极氪提供EliteSiC碳化硅（SiC）功率器件，以提高其智能电动汽车（EV）的能效，从而提升性能，加快充电速度，延长续航里程。 极氪将采用安森美的 M3E 1200V EliteSiC MOSFET ，以配合其不断扩大的高性能纯电车型产品阵容，实现更强的电气和机械性能及可靠性。这
2023-05-11 20:16:29915 
新产品组合包括EliteSiC MOSFET和模块，可促进更高的开关速度，以支持越来越多的800 V电动汽车（EV）车载充电器（OBC）和能源基础设施应用，例如EV充电、太阳能和储能系统。
2023-05-16 14:41:591299 
5.2.3扩展缺陷对SiC器件性能的影响5.2SiC的扩展缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技术《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：5.2.1SiC主要的扩展缺陷&5.2.2
2022-01-06 09:25:551433 
证交所股票代码：BWA)，扩大碳化硅（SiC）方面的战略合作，协议总价值超10亿美元。博格华纳计划将安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件集成到其VIPER功率模块中。长期以来，双方
2023-07-19 11:15:031177 
来源：安森美 博格华纳将集成安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件到其VIPER功率模块中，用于主驱逆变器解决方案，以提高电动汽车的性能 Viper 800V碳化硅逆变器 近日
2023-07-20 18:01:241342 
产业变革。让我们来一起看看其中的诸多“ 明星产品 ”吧~ 0 1 1200 V EliteSiC 碳化硅（SiC）M3S器件 安森美最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅（SiC）M3S器件
2023-08-07 19:35:011617 
电荷 (Qrr) ，这使其成为图腾柱无桥 PFC 或同步升压等硬开关应用的理想选择。 图 2： 安森美 ( onsemi ) 1200V EliteSiC M3S 快速开关M
2023-08-14 19:10:011102 
安森美半导体已完成其在韩国富川的全球最大的碳化硅(SiC)制造工厂的扩建。该工厂将能够以峰值产能每年生产超过100万个200毫米SiC晶圆。为了支持SiC制造能力的增长，安森美美计划在未来三年内雇用
2023-10-26 17:26:581880 进行了深入分享，干货满满，一睹为快~ 安森美中国区汽车市场技术应用负责人、碳化硅首席专家吴桐博士 碳化硅的工艺迭代 如今，碳化硅头部企业都在量产平面栅结构的碳化硅器件，同时也在研发栅极结构工艺。 在栅极结构方面，安森美量产的第三
2023-11-01 19:15:022169 
如何保障下一代碳化硅 (SiC) 器件的供需平衡
2023-11-23 17:00:21843 
基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并发布两款采用 3 引脚 TO-247 封装的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分别为 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:501725 进的SiC制造工厂之一。该工厂全负荷生产时，每年可生产超过一百万片200mm SiC晶圆，能够满足市场对碳化硅器件的迅速增长需求。 安森美在第三季度取得了 21.8 亿美元的稳健业绩，接近其上季度的指导范围上限。 全年碳化硅营收预计将创新高。 对于2024年的预期，
2023-12-07 10:25:021491 电子成就奖(以下简称“WEAA”)之 年度最具潜力第三代半导体技术奖 ，其 1200 V EliteSiC M3S碳化硅器件 获AspenCore亚洲金选奖（以下简称“EE Awards Asia
2023-12-07 11:35:01935 
英飞凌科技股份公司推出的新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术，无疑为功率系统和能量转换领域带来了革命性的进步。与上一代产品相比，全新的CoolSiC™ MOSFET 650V和1200V
2024-03-20 10:32:361715 英飞凌科技推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术，开启功率系统和能量转换的新篇章。与上一代产品相比，英飞凌全新的 CoolSiC™ MOSFET 650 V 和 1200 V
2024-04-20 10:41:201986 
Nexperia（安世半导体）近日宣布，公司现推出业界领先的 1200 V 碳化硅(SiC) MOSFET，采用D2PAK-7 表面贴装器件(SMD)封装，有30、40、60和80 mΩ RDson 值可供选择。
2024-05-22 10:38:312066 Nexperia（安世半导体）近日宣布，公司推出了业界领先的1200V碳化硅（SiC）MOSFET，标志着其在高功率半导体领域的又一重要突破。
2024-05-23 11:34:581695 全球半导体技术领军企业安森美（Onsemi）近日宣布，推出了一系列创新的碳化硅（SiC）芯片。这些新型芯片的设计初衷，是借鉴其在电动汽车领域已经成熟的技术，为驱动人工智能（AI）服务的数据中心带来更高的能效和节能性能。
2024-06-11 09:54:091822 。为加速达成这个全球转型目标，安森美推出了最新一代碳化硅技术平台EliteSiCM3e MOSFET，并计划将在2030年前推出多代新产品。
2024-07-19 10:43:441872 推出最新一代 EliteSiC M3e MOSFET，显著提升高耗电应用的能效 新闻要点 最新一代 EliteSiC M3e MOSFET 能将电气化应用的关断损耗降低多达 50% 该平台采用
2024-07-22 11:31:49466 随着电力电力电子技术逐渐向高压大电流方向发展，传统的 Si 基器件由于损耗大、开关速度慢、耐压低等缺点逐渐被 SiC（碳化硅）器件所取代。其中 1200V碳化硅功率器件应用最为广泛，小电流器件主要
2024-10-17 13:44:09
1 。两者各有其优势和劣势，选择哪种结构取决于具体的应用场景和需求，同时还要兼顾成本效益。前不久安森美推出的采用行业标准TO-247-4L封装的1200V EliteSiC M3e平台，可以说是平面结构的登顶之作，再次刷新了高耗电应用的能效。
2024-10-31 14:04:081590 
近日，安森美半导体公司宣布了一项重要的收购计划，以1.15亿美元现金收购Qorvo的碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET)技术业务及其子公司United Silicon Carbide。 据
2024-12-11 10:00:59967 此前的文章“粉末纯度、SiC晶锭一致性……SiC制造都有哪些挑战”中，我们讨论了宽禁带半导体基础知识及碳化硅制造挑战，本文为白皮书第二部分，将重点介绍碳化硅生态系统的不断演进及安森美（onsemi）在碳化硅半导体生产中的优势。
2025-01-07 10:18:48918 在之前的两篇推文中粉末纯度、SiC晶锭一致性……SiC制造都有哪些挑战？5步法应对碳化硅特定挑战，mark~，我们介绍了宽禁带半导体基础知识、碳化硅制造挑战、碳化硅生态系统的不断演进、安森美（onsemi）在碳化硅半导体生产中的优势。本文为白皮书第三篇，将重点介绍应用于栅极的 5 个步骤。
2025-01-09 10:31:47921 安森美 (onsemi) 宣布已完成以1.15亿美元现金收购Qorvo碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET) 技术业务及其子公司United Silicon Carbide。
2025-01-16 16:30:061084 器件设计公司正在加速被市场抛弃：碳化硅功率器件设计公司出现倒闭潮，这是是市场集中化的必然结果。结合英飞凌、安森美等企业的业务动态，可从以下维度分析这一趋势： 1. 技术壁垒与产能竞赛：头部企业构建护城河 技术门槛高企 ：碳化硅
2025-02-24 14:04:38933 
安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)推出其第一代基于1200V碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的SPM31智能功率模块（IPM）系列。
2025-03-19 14:31:281108 根据搜索结果，除了安森美（onsemi）、CREE（Wolfspeed）和Microchip之外，以下品牌在美国境内涉及碳化硅（SiC）器件流片或代工合作，X-FAB作为美国境内的SiC代工厂，其
2025-04-14 05:58:12947 从基本股份推出的B3M013C120Z(1200V/176A SiC MOSFET)的产品力分析，中国SiC碳化硅MOSFET产业已实现显著进步，具体体现在以下核心维度。
2025-06-19 17:02:15707 
随着电气化浪潮席卷全球，人工智能应用持续爆发式增长，使得高能效功率器件需求快速攀升。安森美推出了第一代基于1200V碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的SPM 31智能功率模块（IPM）系列，将为行业降低能耗和整体系统成本提供创新思路。
2025-06-24 15:20:251375 近期，中国领先的碳化硅(SiC)功率器件与IC解决方案供应商——瞻芯电子开发的首批第3代1200V SiC 35mΩ MOSFET产品，凭借优秀的性能与品质赢得多家重要客户订单，已量产交付近200万颗，为应用系统提供高效、可靠的解决方案。
2025-07-16 14:08:231048 
安森美 (onsemi) NXH015F120M3F1PTG碳化硅 (SiC) 模块采用15mΩ/1200V M3S碳化硅 (SiC) MOSFET全桥拓扑结构和带Al~2~O~3~ DBC陶瓷基板
2025-11-22 17:19:561664 
作为电子工程师，我们在电源设计领域总是不断追求更高的效率、更快的频率和更小的体积。碳化硅（SiC）肖特基二极管的出现，为我们带来了新的解决方案。今天就来详细分析安森美（onsemi）的一款碳化硅肖特基二极管——NDSH10120C - F155。
2025-12-01 16:07:55218 
在电源模块领域，碳化硅（SiC）技术凭借其出色的性能逐渐崭露头角。安森美（onsemi）推出的NXH008T120M3F2PTHG碳化硅模块，为太阳能逆变器、不间断电源、电动汽车充电站和工业电源等应用提供了强大的支持。今天，我们就来深入了解一下这款产品。
2025-12-03 14:49:16281 
在电力电子领域，碳化硅（SiC）MOSFET以其卓越的性能逐渐成为众多应用的首选功率器件。今天我们来详细探讨安森美（onsemi）的一款SiC MOSFET——NVBG070N120M3S，它在汽车和工业应用中展现出了强大的竞争力。
2025-12-03 15:30:19349 
在电力电子领域，碳化硅（SiC）MOSFET凭借其卓越的性能正逐渐成为众多应用的首选功率器件。安森美（onsemi）推出的NTH4L028N170M1碳化硅MOSFET，更是在性能和可靠性方面表现出色。今天，我们就来详细解析这款器件。
2025-12-04 14:44:57266 
在电力电子领域，碳化硅（SiC）MOSFET凭借其卓越的性能，正逐渐成为众多应用的首选功率器件。今天，我们就来深入探讨安森美（onsemi）推出的一款1200V碳化硅MOSFET——NTH4L013N120M3S。
2025-12-04 15:19:05417 
在电力电子领域，碳化硅（SiC）MOSFET凭借其出色的性能逐渐成为众多应用的首选。今天，我们就来深入探讨 onsemi 的 NTH4L022N120M3S 这款 1200V、22mΩ 的碳化硅 MOSFET，看看它到底有哪些独特之处。
2025-12-04 15:33:41347 
在电力电子领域，碳化硅（SiC）MOSFET凭借其卓越的性能，正逐渐成为众多应用的首选器件。今天，我们就来深入了解一下安森美（onsemi）的一款1200V碳化硅MOSFET——NTH4L014N120M3P。
2025-12-05 10:31:17362 
在电力电子领域，碳化硅（SiC）MOSFET以其出色的性能逐渐成为众多应用的首选。今天，我们就来深入剖析安森美（onsemi）的一款碳化硅MOSFET——NTH4L075N065SC1。
2025-12-05 16:54:25908 
Carbide（UnitedSiC）。安森美预计交易将在2025年第一季度完成，同时这也意味着Qorvo即将退出SiC市场。 近几年Qorvo在碳化硅领域推出不少具有亮点的新品，并且应用涵盖数据中心
2024-12-15 07:30:004194 
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