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电子发烧友网>电源/新能源>功率器件>Nexperia推出650V的功率器件GAN063-650WSA

Nexperia推出650V的功率器件GAN063-650WSA

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2023-05-26 03:05:02358

支持低压和高压应用的E-mode GAN FET

基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出首批支持低电压(100/150 V)和高电压(650 V)应用的E-mode(增强型)功率GaN FET。Nexperia在其级联型氮化
2023-05-30 09:03:15384

未来智能城市的动力引擎:润新微电子的650V GaN功率晶体管(FET)

润新微电子(Runxin Microelectronics)荣幸推出了最新一代的650V GaN功率晶体管(FET),该产品具备卓越的性能和广泛的应用领域。 产品特点: 易于使用:650V GaN
2023-06-12 16:38:34693

AMEYA360:罗姆 Semiconductor GNP1 EcoGaN™ 650V E模式GaN FET

ROHMSemiconductor GNP1 EcoGaN™650V E模式氮化镓(GaN)FET采用低导通电阻和高速开关来提高电源转换效率和减小尺寸。该款高度可靠的GNP1 FET具有内置ESD
2023-06-19 15:09:18273

为快充而生的650V/4A & 650V/6A SiC二极管

圳市森国科科技股份有限公司日前发布了第五代Thinned MPS SiC二极管KS04065(650V/4A)、KS06065(650V/6A)
2023-07-12 17:06:27522

森国科650V超结MOSFET系列产品的性能指标

继先后推出成熟化的全系列碳化硅二极管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模块产品后,2023年7月 森国科正式对外推出650V超结MOSFET系列新品 ,相较于传统的功率MOSFET,SJMOSFET具有
2023-07-20 11:09:16638

INN650DA260A增强功率晶体管GaN

650V硅上GaN增强型功率品体管,采用5mm双扁平无引线封装(DFN)X6毫米大小。增强型晶体管-正常关闭电源开关,符合JEDEC标准的工业应用。
2023-08-16 23:36:51687

INN650D150A增强功率晶体管GaN

650V硅上GaN增强模式功率晶体管,英诺赛科INN650D150A采用双扁平无引线封装(DFN),8mmx8mm尺寸,增强型晶体管-正常关闭电源开关
2023-08-07 17:22:17968

安世推出支持低压和高压应用的E-mode GAN FET GAN FET

基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia(安世半导体)近日宣布推出首批支持低电压(100/150 V)和高电压(650 V)应用的 E-mode(增强型)功率 GaN FET
2023-08-10 13:55:54500

SP9683高频准谐振、集成650V氮化镓功率器件,30W高性能ACDC芯片

SP9683高频准谐振、集成650V氮化镓功率器件,30W高性能ACDC芯片
2023-10-21 15:43:271008

SLP12N65C美浦森高压MOSFET 650V 12A

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2022-04-29 14:06:570

SLP10N65C美浦森高压MOSFET 650V 12A

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2022-04-29 14:12:250

SLP8N65C美浦森高压MOSFET 650V 7.5A

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2022-04-29 14:30:151

SLP5N65C美浦森高压MOSFET 650V 4.5A

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2022-04-29 14:33:490

SGTP40V65SDB1P7 650V新能源IGBT

供应40A、650V新能源绝缘栅双极型晶体管SGTP40V65SDB1P7,提供SGTP40V65SDB1P7关键参数,更多产品手册、应用料资请向士兰微mos代理骊微电子申请。>>
2022-08-01 16:18:473

SGTP75V65SDS1P7 650V光伏逆变器igbt

供应SGTP75V65SDS1P775A、650V光伏逆变器igbt-三相igbt逆变电源,提供SGTP75V65SDS1P7关键参数,更多产品手册、应用料资请向士兰微mos代理骊微电子申请。>>
2022-08-02 17:12:195

SVSP35NF65P7D3 士兰微高压超结mos管650V

SVSP35NF65P7D3士兰微高压超结mos管650V,35A,提供SVSP35NF65P7D3关键参数,更多产品手册、应用料资请向士兰微mos代理骊微电子申请。>>
2022-09-06 14:57:507

SVSP11N65DD2 11A,650V士兰微超结MOS-士兰微mos管规格书

供应SVSP11N65DD211A,650V士兰微超结MOS,提供SVSP11N65DD211A,650V士兰微超结MOS关键参数,更多产品手册、应用料资请向士兰微mos代理骊微电子申请。>>
2022-11-02 15:17:061

650V高压低功耗非隔离电源芯片eNJ8665

650V高压低功耗非隔离电源芯片,默认输出12V,最大电流2A,具有输出可设置3-24V
2023-12-01 19:19:030

瑞能650V IGBT的结构解析

IGBT 作为一种功率半导体器件,广泛应用于工业节能、电动汽车和新能源装备等领域。IGBT 具有节能、安装方便、维护方便、散热稳定等特点,是能量转换和传输的核心装置。瑞能的650V IGBT产品在电性能和可靠性等方面具备诸多优势,在行业内也处于领先地位。
2023-12-26 13:31:35276

瞻芯电子推出第二代650V车规级TO263-7封装助力高效高密应用

近日,瞻芯电子采用TO263-7封装的第二代SiC MOSFET中650V 40mΩ产品IV2Q06040D7Z通过了严苛的车规级可靠性认证,该产品采用TO263-7贴片封装,具有体积较小,安装简便,损耗更低的特点。
2024-01-16 10:16:24770

罗姆650V GaN器件助力台达Innergie AC适配器实现性能提升与小型化

近日,全球知名半导体制造商ROHM Co., Ltd.(以下简称“罗姆”)宣布,其650V GaN器件(EcoGaN™)已被台达电子(Delta Electronics, Inc.,以下简称
2024-03-12 10:42:46123

瞻芯电子第二代650V SiC MOSFET产品通过车规级可靠性认证

近日,瞻芯电子宣布其研发的三款第二代650V SiC MOSFET产品成功通过了严格的AEC-Q101车规级可靠性认证,这一里程碑式的成就标志着瞻芯电子在功率电子领域的持续创新与技术突破。
2024-03-12 11:04:24260

瞻芯电子推出三款第二代650V SiC MOSFET产品

瞻芯电子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET产品,这些产品不仅通过了严格的车规级可靠性认证(AEC-Q101 Qualified),还具备业界领先的低损耗水平。这些新型MOSFET的推出,标志着瞻芯电子在半导体技术领域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279

介绍一款用于光伏储能充电桩的50A 650V TO-247封装IGBT单管

本次推出的产品主要为50A 650V TO-247封装IGBT单管;
2024-03-15 14:26:07188

扬杰科技推出50A 650V TO-247封装IGBT单管

近日,国内半导体功率器件领军企业扬州扬杰电子科技股份有限公司(以下简称“扬杰科技”)再度刷新业界认知,推出了一款专为光伏储能充电桩等高频应用而设计的50A 650V TO-247封装IGBT单管产品
2024-03-16 10:48:19563

具有集成驱动器的 650V 120mΩ GaN FET LMG3612数据表

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2024-03-21 10:20:580

具有集成驱动器的650V 270mΩ GaN FETLMG3616数据表

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2024-03-21 10:19:400

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