Nexperia针对要求严苛的电源转换应用推出先进的650 V碳化硅二极管

合并PIN肖特基结构可带来更高的稳健性和效率

奈梅亨，2023年4月20日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出650 V碳化硅(SiC)肖特基二极管，主要面向需要超高性能、低损耗和高效功率的电源应用。10 A、650 V SiC肖特基二极管满足工业级器件标准，可应对高电压和高电流应用带来的挑战，包括开关模式电源、AC-DC和DC-DC转换器、电池充电基础设施、不间断电源和光伏逆变器，并提高持续运行性能。例如，相比仅使用硅基解决方案的数据中心，配备采用Nexperia PSC1065K SiC肖特基二极管设计电源的数据中心将更加符合严格的能源效率标准。

PSC1065K具备不受温度影响的电容开关和零恢复性能，提供先进的性能以及出色的品质因数(QC x VF)。其突出的开关性能几乎不受电流和开关速度变化的影响。PSC1065K的合并PIN肖特基(MPS)结构还具备其他优势，例如出色的浪涌电流耐受能力，从而无需额外的保护电路。这些特性可显著降低系统复杂性，使硬件设计人员能够在耐用型高功率应用中，以更小的外形尺寸实现更高的效率。Nexperia作为一系列高质量半导体技术产品的供应商，声誉良好，值得设计人员信赖。

这款SiC肖特基二极管采用真2引脚(R2P) TO-220-2通孔电源塑料封装。其他封装选项包括表面贴装(DPAK R2P和D2PAK R2P)和采用真2引脚配置的通孔(TO-247-2)封装，可在高达175°C的高压应用中增强可靠性。

Nexperia SiC产品组高级总监Katrin Feurle表示：“在当前可用的解决方案中，我们提供的高性能SiC肖特基二极管表现优异，对此我们倍感自豪。随着人们的能源意识日渐增强，我们正致力于为市场带来更多选择和便利性，以满足市场对高容量、高效率应用显著增加的需求。”

Nexperia计划不断增加其SiC二极管产品组合，包括工作电压为650 V和1200 V、电流范围为6-20 A的和车规级器件。新款SiC二极管现可提供样品，并于近日开始量产。

如需进一步了解Nexperia的新款650 V SiC肖特基二极管，请访问：www.nexperia.cn/sic_diodes

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碳化硅(47294) 碳化硅(47294)
Nexperia(56570) Nexperia(56570)

1200V/10A碳化硅肖特基二极管

Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二极管特性封装外形⚫最大结温为 175°C⚫高浪涌电流容量⚫零反向恢复电流⚫零正向恢复电压⚫高频工作⚫开关特性不受温度

2020-03-13 13:42:49

600V碳化硅二极管SIC SBD选型

极快反向恢复速度的600V-1200V碳化硅肖特基二极管芯片及成品器件。海飞乐技术600V碳化硅二极管现货选型相比于Si半导体材料，SiC半导体材料具有禁带宽度较大、临界电场较大、热导率较高的特点，SiC

2019-10-24 14:25:15

650V/1200V碳化硅肖特基二极管如何选型

逆变器等中高功率领域，可显著的减少电路的损耗，提高电路的工作频率。　　　　关断波形图（650V/10A产品）　　650V/1200V碳化硅肖特基二极管选型　　

2020-09-24 16:22:14

二极管常见问题15答。申请加精。绝对有用。

电流值往往可达几百。　　4、什么是二极管的正向导通压降?　　二极管在正向导通，流过电流的时候会产生压降。这个压降和正向电流以及温度有关。通常硅二极管，电流越大，压降越大。温度越高，压降越小。但是碳化硅

2012-07-15 15:28:24

二极管适合并联么？

二极管的参数是选用二极管的决定性因素之一，二极管的压降的其中的一种。 二极管在正向导通的时候，流过电流的时候会产生压降。一般情况下，这个压降和正向电流以及温度有关。通常硅二极管，电流越大，压降越大。温度越高，压降越小。但是碳化硅二极管却是温度越高，压降越大。二极管规格书下载：

2021-03-22 17:25:26

碳化硅(SiC)肖特基二极管的特点

250V左右。对于能够耐受500～600V以上反向电压要求，人们开始使用碳化硅(SiC)制造器件，因为它能够耐受较高的电压。　　除此以外的器件参数均相当于或优于硅肖特基二极管。详见表2。　　由于SiC器件的成本较高(是同类硅器件的3～5倍)，除非性能上要求非用不可，还没有用它来替代硅功率器件。`

2019-01-11 13:42:03

碳化硅二极管选型表

反向恢复电流，其关断过程很快，开关损耗很小。由于碳化硅材料的临界雪崩击穿电场强度较高，可以制作出超过1000V的反向击穿电压。在3kV以上的整流器应用领域，由于SiC PiN二极管与Si器件相比具有更快

2019-10-24 14:21:23

碳化硅SiC MOSFET:低导通电阻和高可靠性的肖特基势垒二极管

Toshiba研发出一种SiC金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET)，其将嵌入式肖特基势垒二极管（SBD）排列成格子花纹（check-pattern embedded SBD），以降低导通电

2023-04-11 15:29:18

碳化硅半导体器件有哪些？

200V，但是碳化硅肖特基二极管能拥有较短恢复时间实践，同时在正向电压也减少，耐压也大大超过200V，典型的电压有650V、1200V等，另外在反向恢复造成的损耗方面碳化硅肖特基二极管也有很大优势。在

2020-06-28 17:30:27

碳化硅如何改进开关电源转换器设计？

　　在设计功率转换器时，碳化硅（SiC）等宽带隙（WBG）技术现在是组件选择过程中的现实选择。　　在设计功率转换器时，碳化硅（SiC）等宽带隙（WBG）技术现在是组件选择过程中的现实选择。650V

2023-02-23 17:11:32

碳化硅深层的特性

碳化硅的颜色，纯净者无色透明，含杂质(碳、硅等)时呈蓝、天蓝、深蓝，浅绿等色，少数呈黄、黑等色。加温至700℃时不褪色。金刚光泽。比重,具极高的折射率, 和高的双折射，在紫外光下发黄、橙黄色光，无

2019-07-04 04:20:22

碳化硅混合分立器件 IGBT

650 V CoolSiC™混合分立器件，该器件包含一个50A TRENCHSTOP™ 快速开关 IGBT 和一个 CoolSiC 肖特基二极管，能够提升性价比并带来高可靠性。这种组合为硬开关拓扑

2021-03-29 11:00:47

碳化硅肖特基二极管技术演进解析

明显优势，可以用来做成高耐压的肖特基二极管，目前650V-1700V碳化硅肖特基二极管在消费、工业、汽车、军工等领域有广泛应用。　　03　　碳化硅肖特基二极管结构简析　　肖特基二极管：以金属为阳极，以N

2023-02-28 16:55:45

碳化硅肖特基二极管的基本特征分析

。　　基本半导体自主研发推出了650V、1200V、1700V系列标准封装碳化硅肖特基二极管及1200V碳化硅MOSFET产品，具有极高的工作效率，性能优越达到国际先进水平，可广泛应用于新能源充电桩、光伏逆变器

2023-02-28 16:34:16

B1D02065K兼容代替SCS302AH IDH02G65C5 650V基本半导体碳化硅肖特基二极管

Basic Semi代理商 B1D02065K是一款碳化硅肖特基二极管，与传统的硅基器件相比，具有更优越的性能，零开关损耗，提高效率，降低解决方案成本，功率密度增加，实现更高的开关频率，减少对散热器

2021-11-09 16:36:57

Basic Semi代理商 B1D02065E 650V2A6.8nC 碳化硅肖特基二极管附上同系列选型参数表

Basic Semi代理商 B1D02065E 是一款碳化硅肖特基二极管，与传统的硅基器件相比，具有更优越的性能，零开关损耗，极低反向电流，无反向恢复电流，低电容电荷，提高效率，降低解决方案

2021-10-27 15:00:42

SIC碳化硅二极管

SIC碳化硅二极管

2016-11-04 15:50:11

STPSC4H065B代替品 B1D04065E 650V4A12nC 碳化硅肖特基二极管新能源电动汽车解决方案

小轻薄，小尺寸，大能量B1D04065E PD快充用碳化硅肖特基二极管。特性：⚫极低反向电流⚫ 无反向恢复电流⚫ 温度无关开关⚫ VF上的正温度系数⚫ 卓越的浪涌电流能力⚫ 低电容电荷优势：⚫基本上

2021-11-06 09:26:20

Si与SiC肖特基二极管应用对比优势

阻。尽管普通二极管的“惯性”较大，但是在超过200V的工作电压场合，普通的PIN二极管占主导地位。　　源于硅基的肖特基二极管，近年来开发出来新的基于碳化硅(SiC)的肖特基二极管用于一些效率很关键的电力

2019-01-02 13:57:40

了解功率二极管，这15个知识点你必须知道

越大，压降越大。温度越高，压降越小。但是碳化硅二极管却是温度越高，压降越大。　　5.什么是二极管的反向漏电流？　　二极管在反向截止的时候，并不是完全理想的截止。在承受反压得时候，会有些微小的电流从

2017-05-22 14:07:53

什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？

什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的结构是如何构成的？

2021-06-18 08:32:43

介绍二极管的反向恢复时间和碳化硅二极管

是1000V。FR106,FR107300ns快速恢复二极管FR101-FR105150nsSR260肖特基二极管 10ns左右反向恢复时间短，特别适用于高频电路。二、碳化硅二极管碳化硅是一种新材料，几乎不

2023-02-15 14:24:47

传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)

应用领域，SiC和GaN形成竞争。随着碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等新材料陆续应用在二极管、场效晶体管(MOSFET)等组件上，电力电子产业的技术大革命已揭开序幕。这些新组件虽然在成本上仍比传统硅

2021-09-23 15:02:11

低功耗SiC二极管实现最高功率密度

和无源元件，使整体系统缩小50％以上，从而大大节省整体元件和制造成本。欲了解更多信息，请查阅安森美半导体最新650 V碳化硅（SiC）肖特基二极管系列的新闻稿。

2018-10-29 08:51:19

关于功率二极管的一些疑问大扫盲

几百A。4. 什么是二极管的正向导通压降?二极管在正向导通，流过电流的时候会产生压降。这个压降和正向电流以及温度有关。通常硅二极管，电流越大，压降越大。温度越高，压降越小。但是碳化硅二极管却是温度越高

2014-04-26 13:42:10

关于功率二极管的一些问题，你知道吗？

。但是碳化硅二极管却是温度越高，压降越大。　　5. 什么是二极管的反向漏电流?　　二极管在反向截止的时候，并不是完全理想的截止。在承受反压得时候，会有些微小的电流从阴极漏到阳极。这个电流通常很小，而且反

2016-11-14 20:04:40

创能动力推出碳化硅二极管ACD06PS065G

大功率适配器为了减小对电网的干扰，都会采用PFC电路、使用氮化镓的充电器，基本也离不开碳化硅二极管，第三代半导体材料几乎都是同时出现，强强联手避免短板。创能动力推出的碳化硅二极管

2023-02-22 15:27:51

功率模块中的完整碳化硅性能怎么样？

和 500A，带或不带碳化硅肖特基续流 1200V 二极管。　　另一个例子是MiniSKiiP，这是一种无底板电源模块，使用赛米控的SPRiNG系统将电源和辅助端子连接到PCB。弹簧位置由外壳设计固定

2023-02-20 16:29:54

图腾柱无桥PFC中混合碳化硅分立器件的应用

并联二极管的特性参数对比　　如图13所示，混合碳化硅分立器件的反向恢复时间Trr，反向恢复电流Irr和反向恢复损耗Err明显降低。　　05　　总结　　基本半导体主要推出了650V 50A和650V

2023-02-28 16:48:24

在开关电源转换器中充分利用碳化硅器件的性能优势

MOSFET可以得到充分利用。此外，碳化硅MOSFET也可应用更高的开关频率，因而可以实现体积更小，更加紧凑的电源转换器设计。　　没有免费的午餐　　当然，世上是没有免费午餐的，在内部体二极管和寄生参数方面

2023-03-14 14:05:02

基于碳化硅MOSFET的20KW高效LLC谐振隔离DC/DC变换器方案研究

电路设计，利用传统Ｈ桥电路设计高输入电压（大于600V）隔离变换电路，而不需要三电平等复杂电路，简化电路和驱动设计。同时每个开关状态导通损耗降低；碳化硅体二极管反向恢复时间和电荷远小于650V硅

2016-08-05 14:32:43

基本半导体力内绝缘型碳化硅肖特基二极管

，减少了不必要热阻的增加。　　05　　总结　　基本半导体推出的内绝缘型TO-220封装碳化硅肖特基二极管产品，从优化安装工艺、提升产品质量、减少热阻等方面很好地解决了绝缘和导热痛点。原作者：基本半导体

2023-02-28 17:06:57

基本半导体第三代碳化硅肖特基二极管性能详解

》 Gen3　　02　　电源效率对比　　碳化硅肖特基二极管应用在1500W电源的PFC电路中（位置如下图）。　　测试条件：　　输入电压 100V、220V　　输出电压 48V 输出电流30A　　图（3

2023-02-28 17:13:35

如何区分硅二极管和锗二极管？

、反向恢复时间短的半导体二极管）主要用于各种功率转换器的开关功率器件（如IGBT或MOSFET），以起到续流效果。碳化硅肖特基二极管4.1 碳化硅肖特基二极管基本型肖特基二极管，也称为热载流二极管，通过

2023-02-07 15:59:32

浅析基于碳化硅MOSFET的谐振LLC和移相电路在新能源汽车的应用

每个开关管都采用两颗碳化硅MOSFET并联，输出侧谐振LLC采用650V碳化硅二极管，移相全桥采用1200V碳化硅二极管。两方案桥式上下管死区时间设定为250ns。20KW谐振LLC输出最大电流为35A

2016-08-25 14:39:53

浅谈硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动的区别

MOSFET 的单通道驱动核，可以驱动目前市面上大部分 1700V 以内的单管碳化硅 MOSFET，该驱动核设计紧凑，通用性强。　　3、电源模块　　Q15P2XXYYD 是青铜剑科技自主研发的单通道

2023-02-27 16:03:36

用于PFC的碳化硅MOSFET介绍

碳化硅（SiC）等宽带隙技术为功率转换器设计人员开辟了一系列新的可能性。与现有的IGBT器件相比，SiC显著降低了导通和关断损耗，并改善了导通和二极管损耗。对其开关特性的仔细分析表明，SiC

2023-02-22 16:34:53

肖特基二极管的目前趋势

，大多数硅用于高达250V的电压，而砷化镓、碳化硅或硅锗被用作阻断200至1700V电压的半导体材料。硅肖特基二极管具有大约0.4V的低阈值电压，工作电流较低时甚至低于0.1V。这远远低于电压约为1V

2017-04-19 16:33:24

被称为第三代半导体材料的碳化硅有着哪些特点

，同时在正向电压也减少，耐压也大大超过200V，典型的电压有650V、1200V等，另外在反向恢复造成的损耗方面碳化硅肖特基二极管也有很大优势。在开关电源输出整流部分如果用碳化硅肖特基二极管可以用实现

2023-02-20 15:15:50

部分关于功率二极管相关知识

什么是二极管的正向导通压降？二极管在正向导通，流过电流的时候会产生压降。这个压降和正向电流以及温度有关。通常硅二极管，电流越大，压降越大。温度越高，压降越小。但是碳化硅二极管却是温度越高，压降越大。5.

2020-09-18 17:00:12

C3D02065E分立碳化硅肖特基二极管

C3D02065E为650 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的碳化硅 (SiC) 650 V 肖特基二极管技术针对高性能电力电子应用进行了优化；包括服务器电源；电动汽车充电系统；储能

2022-05-29 10:42:53

C3D03065E分立碳化硅肖特基二极管

2022-05-29 10:53:44

C3D04065E分立碳化硅肖特基二极管

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2022-05-29 18:32:33

C3D04065A分立碳化硅肖特基二极管

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2022-05-29 18:40:10

C6D04065E分立碳化硅肖特基二极管

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2022-05-29 18:47:04

C6D04065A分立碳化硅肖特基二极管

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2022-05-29 18:51:26

C6D06065Q分立碳化硅肖特基二极管

C6D06065Q为650 V 分立碳化硅肖特基二极管。描述具有碳化硅 (SiC) 的性能优势肖特基势垒二极管，电力电子系统可以期待满足比硅基解决方案更高的效率标准，同时还达到更高的频率和功率密度

2022-05-29 19:27:15

C6D06065G分立碳化硅肖特基二极管

C6D06065G为650 V 分立碳化硅肖特基二极管。第 6 代 650 V、6 A 碳化硅肖特基二极管。具有碳化硅 (SiC) 的性能优势肖特基势垒二极管，电力电子系统可以期待满足比硅基解决方案

2022-05-29 19:36:12

C3D06065E分立碳化硅肖特基二极管

C3D06065E为650 V 分立碳化硅肖特基二极管。第 6 代 650 V、6 A 碳化硅肖特基二极管。具有碳化硅 (SiC) 的性能优势肖特基势垒二极管，电力电子系统可以期待满足比硅基解决方案

2022-05-29 19:45:27

C3D06065A分立碳化硅肖特基二极管

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C6D06065A分立碳化硅肖特基二极管

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2022-05-29 20:09:11

C3D06065I分立碳化硅肖特基二极管

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2022-05-29 20:28:03

C6D08065Q分立碳化硅肖特基二极管

C6D08065Q为650 V 分立碳化硅肖特基二极管。具有碳化硅 (SiC) 的性能优势肖特基势垒二极管，电力电子系统可以期待满足比硅基解决方案更高的效率标准，同时还达到更高的频率和功率密度

2022-05-29 20:36:06

C6D08065G分立碳化硅肖特基二极管

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2022-05-29 20:42:44

E3D08065G分立碳化硅肖特基二极管

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2022-05-29 20:49:50

C3D08065E分立碳化硅肖特基二极管

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2022-05-29 20:55:17

C3D08065A分立碳化硅肖特基二极管

C3D08065A为650 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的碳化硅 (SiC) 650 V 肖特基二极管技术针对高性能电力电子应用进行了优化；包括服务器电源；电动汽车充电系统；储能

2022-05-29 21:00:08

C6D08065E分立碳化硅肖特基二极管

C6D08065E为650 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的碳化硅 (SiC) 650 V 肖特基二极管技术针对高性能电力电子应用进行了优化；包括服务器电源；电动汽车充电系统；储能

2022-05-29 21:06:02

C3D08065I分立碳化硅肖特基二极管

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2022-05-29 21:15:21

C6D10065Q分立碳化硅肖特基二极管

C6D10065Q是650 V 分立碳化硅肖特基二极管。具有碳化硅 (SiC) 的性能优势肖特基势垒二极管，电力电子系统可以期待满足比硅基解决方案更高的效率标准，同时还达到更高的频率和功率密度

2022-05-31 20:02:07

C6D10065G分立碳化硅肖特基二极管

C6D10065G是650 V 分立碳化硅肖特基二极管。具有碳化硅 (SiC) 的性能优势肖特基势垒二极管，电力电子系统可以期待满足比硅基解决方案更高的效率标准，同时还达到更高的频率和功率密度

2022-05-31 20:16:37

C3D10065E分立碳化硅肖特基二极管

C3D10065E为650 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的碳化硅 (SiC) 650 V 肖特基二极管技术针对高性能电力电子应用进行了优化；包括服务器电源；电动汽车充电系统；储能

2022-05-31 20:25:46

C6D10065E分立碳化硅肖特基二极管

C6D10065E为650 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的碳化硅 (SiC) 650 V 肖特基二极管技术针对高性能电力电子应用进行了优化；包括服务器电源；电动汽车充电系统；储能

2022-05-31 20:40:06

C6D10065A分立碳化硅肖特基二极管

C6D10065A为650 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的碳化硅 (SiC) 650 V 肖特基二极管技术针对高性能电力电子应用进行了优化；包括服务器电源；电动汽车充电系统；储能

2022-05-31 20:51:15

C3D10065I分立碳化硅肖特基二极管

C3D10065I为650 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的碳化硅 (SiC) 650 V 肖特基二极管技术针对高性能电力电子应用进行了优化；包括服务器电源；电动汽车充电系统；储能

2022-06-01 19:13:55

C3D12065A分立碳化硅肖特基二极管

C3D12065A为650 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的碳化硅 (SiC) 650 V 肖特基二极管技术针对高性能电力电子应用进行了优化；包括服务器电源；电动汽车充电系统；储能

2022-06-01 19:33:53

C3D16065D分立碳化硅肖特基二极管

C3D16065D为650 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的碳化硅 (SiC) 650 V 肖特基二极管技术针对高性能电力电子应用进行了优化；包括服务器电源；电动汽车充电系统；储能

2022-06-01 21:45:11

C6D16065D分立碳化硅肖特基二极管

C6D16065D为650 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的碳化硅 (SiC) 650 V 肖特基二极管技术针对高性能电力电子应用进行了优化；包括服务器电源；电动汽车充电系统；储能

2022-06-01 21:57:47

C3D16065A分立碳化硅肖特基二极管

C3D16065A为650 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的碳化硅 (SiC) 650 V 肖特基二极管技术针对高性能电力电子应用进行了优化；包括服务器电源；电动汽车充电系统；储能

2022-06-01 22:21:25

C3D20065D分立碳化硅肖特基二极管

C3D20065D为650 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的碳化硅 (SiC) 650 V 肖特基二极管技术针对高性能电力电子应用进行了优化；包括服务器电源；电动汽车充电系统；储能

2022-06-01 22:26:03

C6D20065D分立碳化硅肖特基二极管

C6D20065D为650 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的碳化硅 (SiC) 650 V 肖特基二极管技术针对高性能电力电子应用进行了优化；包括服务器电源；电动汽车充电系统；储能

2022-06-01 22:37:50

E3D20065D分立碳化硅肖特基二极管

E3D20065D为650 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的碳化硅 (SiC) 650 V 肖特基二极管技术针对高性能电力电子应用进行了优化；包括服务器电源；电动汽车充电系统；储能

2022-06-01 22:43:01

C3D30065D分立碳化硅肖特基二极管

C3D30065D为650 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的碳化硅 (SiC) 650 V 肖特基二极管技术针对高性能电力电子应用进行了优化；包括服务器电源；电动汽车充电系统；储能

2022-06-02 18:01:28

E3D30065D分立碳化硅肖特基二极管

E3D30065D为650 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的碳化硅 (SiC) 650 V 肖特基二极管技术针对高性能电力电子应用进行了优化；包括服务器电源；电动汽车充电系统；储能

2022-06-02 18:07:06

C4D08120A分立碳化硅肖特基二极管

C4D08120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管

2022-06-02 18:48:49