0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

瞻芯电子推出第二代650V车规级TO263-7封装助力高效高密应用

瞻芯电子 来源:瞻芯电子 2024-01-16 10:16 次阅读

近日,瞻芯电子采用TO263-7封装的第二代SiC MOSFET650V 40mΩ产品IV2Q06040D7Z通过了严苛的车规级可靠性认证,该产品采用TO263-7贴片封装,具有体积较小安装简便损耗更低的特点。此外,瞻芯电子同步推出了650V 60mΩ规格的车规级263-7封装产品IV2Q06060D7Z。

产品特性

瞻芯电子的第二代SiC MOSFET产品是依托瞻芯电子自建的SiC晶圆厂来研发和生产的,其首款产品于2023年9月份发布量产,该系列产品的驱动电压(Vgs)为15-18V,应用的兼容性更好。更为关键的是,第二代SiC MOSFET通过优化栅氧化层工艺和沟道设计,使器件比导通电阻降低约25%,能显著降低开关损耗,提升系统效率

656bdb96-b3fa-11ee-8b88-92fbcf53809c.png

关于TO263-7塑封贴片封装,对比传统的TO247封装,体积更小,贴片焊接更简便。在应用中,TO263-7封装的源极(S)为5根引脚并联,阻抗更低导通损耗也更低。同时TO263-7封装具有开尔文源极引脚(Kelvin Source),将栅极引脚电感最小化,并用背面的散热板当作漏极(D),总体封装电感更低,从而抑制了开关时的驱动回路振荡,降低门极噪声,更利于发挥碳化硅(SiC)MOSFET高速开关应用,从而提升系统效率。

6593ec12-b3fa-11ee-8b88-92fbcf53809c.png

为满足多种场景应用需求,瞻芯电子开发了多种规格的TO263-7封装SiC MOSFET产品,电压平台包括650V, 1200V, 1700V,导通电阻覆盖25mΩ-1Ω,如下表:

65b2b606-b3fa-11ee-8b88-92fbcf53809c.png

产品特点:

低阻抗封装 低导通电阻,低损耗

可高速开关,且寄生电容

高工作结温,可达175℃

具有开尔文源极驱动(Kelvin-Source)

应用场景

综上分析,瞻芯电子采用TO263-7封装的第二代SiC MOSFET很适合系统尺寸紧凑,又需要实现高功率、高效率的功率变换的场景应用,具体如下:

车载充电器

光伏逆变器

高压DC/DC变换器

车载空压机驱动

UPS电源

开关电源







审核编辑:刘清

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • MOSFET
    +关注

    关注

    141

    文章

    6572

    浏览量

    210139
  • 晶圆
    +关注

    关注

    52

    文章

    4527

    浏览量

    126445
  • SiC
    SiC
    +关注

    关注

    27

    文章

    2439

    浏览量

    61405
  • 驱动电压
    +关注

    关注

    0

    文章

    67

    浏览量

    13273
  • 瞻芯电子
    +关注

    关注

    0

    文章

    40

    浏览量

    276

原文标题:瞻芯电子推出第二代650V车规级SiC MOSFET,TO263-7封装助力高效高密应用

文章出处:【微信号:瞻芯电子,微信公众号:瞻芯电子】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    介绍一款用于光伏储能充电桩的50A 650V TO-247封装IGBT单管

    本次推出的产品主要为50A 650V TO-247封装IGBT单管;
    的头像 发表于 03-15 14:26 326次阅读
    介绍一款用于光伏储能充电桩的50A <b class='flag-5'>650V</b> TO-247<b class='flag-5'>封装</b>IGBT单管

    瞻芯电子推出三款第二代650V SiC MOSFET产品

    瞻芯电子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET产品,这些产品不仅通过了严格的车规级可靠性认证(AEC-Q101 Qualified),还具备业界领先的低损耗水平。这些
    的头像 发表于 03-13 09:24 362次阅读

    第二代8nm高性能AIOT平台 RK3576 详细介绍

    RK3576处理器 RK3576瑞第二代8nm高性能AIOT平台,它集成了独立的6TOPS(Tera Operations Per Second,每秒万亿次操作)NPU(神经网络处理单元),用于
    发表于 03-12 13:45

    瞻芯电子第二代650V SiC MOSFET产品通过车规级可靠性认证

    近日,瞻芯电子宣布其研发的三款第二代650V SiC MOSFET产品成功通过了严格的AEC-Q101车规级可靠性认证,这一里程碑式的成就标志着瞻芯电子在功率
    的头像 发表于 03-12 11:04 327次阅读

    瞻芯电子开发的3款第二代650V SiC MOSFET通过了车规级可靠性认证

    3月8日,瞻芯电子开发的3款第二代650V SiC MOSFET产品通过了严格的车规级可靠性认证(AEC-Q101 Qualified)。
    的头像 发表于 03-11 09:24 369次阅读
    瞻芯<b class='flag-5'>电子</b>开发的3款<b class='flag-5'>第二代</b><b class='flag-5'>650V</b> SiC MOSFET通过了车规级可靠性认证

    推动SiCMOSFET国产化,华秋-电子发烧友获“电子”优秀媒体合作伙伴奖

    ΩTO-263-7封装SiC MOSFET器件成功获得第三方权威检测机构(广电计量)全套AEC-Q101可靠性认证。包括之前通过测试认
    发表于 01-19 14:55

    推动SiCMOSFET国产化,华秋获“电子”优秀媒体合作伙伴奖

    ΩTO-263-7封装SiC MOSFET器件成功获得第三方权威检测机构(广电计量)全套AEC-Q101可靠性认证。包括之前通过测试认
    发表于 01-19 14:53

    高通推出全新第二代骁龙XR2+平台

    近日,高通技术公司宣布推出全新第二代骁龙®XR2+平台,这款平台将为XR设备带来前所未有的清晰度与流畅度,为工作和娱乐提供无与伦比的沉浸式体验。
    的头像 发表于 01-05 15:13 305次阅读

    武汉源半导体首款MCU,CW32A030C8T7通过AEC-Q100测试考核

    。 CW32A030C8T7通过AEC-Q100可靠性测试 作为武汉源半导体首款
    发表于 11-30 15:47

    白皮书 | 第二代ClearClock™三次泛音晶体振荡器

    白皮书 第二代ClearClock™三次泛音晶体振荡器 在这份全新的白皮书中,我们讨论了最新一超低抖动三次泛音晶体振荡器的特点、优势、性能和特性,这些振荡器旨在为各种高速应用提供稳定准确的时钟信号
    发表于 09-13 09:51

    炬芯科技第二代智能手表芯片助力实现更非凡的智能可穿戴体验

    精准地满足市场多元化的变幻和用户日益增长的体验需求,炬芯科技推出的全新第二代智能手表芯片通过快速的技术迭代以及全面的产品布局,不断升级和优化自身产品,助力实现更非凡的智能可穿戴体验。   炬芯科技全新
    的头像 发表于 07-25 17:14 1369次阅读

    瞻芯电子TO263-7封装SiC MOSFET量产,助力高密高效功率变换

    瞻芯电子正式量产了一款TO263-7封装的1200V 160mΩ 碳化硅(SiC)MOSFET产品(IV1Q12160D7Z),该产品通过了严格的车规级可靠性测试认证(AEC-Q101)。
    的头像 发表于 06-27 11:29 3546次阅读
    瞻芯<b class='flag-5'>电子</b><b class='flag-5'>TO263-7</b><b class='flag-5'>封装</b>SiC MOSFET量产,<b class='flag-5'>助力</b><b class='flag-5'>高密</b><b class='flag-5'>高效</b>功率变换

    国产第二代“香山”RISC-V 开源处理器计划 6 月流片:基于中国际 14nm 工艺,性能超 Arm A76

    的“RISC-V 开源处理器芯片生态发展论坛”上,第二代“香山”(南湖架构)开源高性能 RISC-V 核心正式发布。据介绍,“香山”于 2022 年 6 月启动工程优化,同年 9 月研制完毕,计划 2023 年 6
    发表于 06-05 11:51

    性能超ARM A76!国产第二代“香山”RISC-V开源处理器最快6月流片

    据开院首席科学家包云岗介绍,第二代“香山”于2022年6月启动工程优化,同年9月研制完毕,计划2023年6月流片,性能超过2018年ARM发布的Cortex-A76,主频2GHz@14nm
    发表于 05-28 08:41

    Arasan宣布立即推出第二代MIPI D-PHY

    Arasan Chip Systems是移动和物联网SoC半导体IP的领先供应商,今天宣布立即推出用于GF 22nm SoC设计的第二代MIPI D-PHY IP。
    发表于 05-19 14:51 596次阅读