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MOS管涨价最新消息mosfet价格走势长红 Diodes 士兰微等陆续发布涨价通知

MOS管涨价最新消息mosfet价格走势长红 Diodes 士兰微等陆续发布涨价通知

受上游晶圆供应紧缺情况的持续影响,近日,国内外多家金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)厂商发布涨价通知,目前已累计四家MOS管厂商已经启动涨价,涨幅达到20%。 1、Diodes交期延长至...

2020-12-30 标签:MOSFETDiodes晶体管MOS场效应晶体管 77

USB供电、915 MHz ISM无线电频段、具有过温管理功能的1W功率放大器

USB供电、915 MHz ISM无线电频段、具有过温管理功能的1W功率放大器

电路的RF输入信号必须通过表面声波(SAW)滤波器,以将驱动放大器的输入限制为902 MHz至928 MHz频段。...

2020-12-29 标签:功率放大器usbISM声波滤波器信号源分析仪 187

Vishay推出600V EF系列快速体二极管MOSFET,导通电阻比其前代器件低29%

Vishay推出600V EF系列快速体二极管MOSFET,导通电阻比其前代器件低29%

Vishay提供丰富的MOSFET技术支持各级功率转换,涵盖高压输入到低压输出的各种最新高科技系统。...

2020-12-24 标签:二极管MOSFETVishay导通电阻 329

Nexperia推出的耐用型AEC-Q101 MOSFET 可用于汽车感性负载控制

Nexperia推出的耐用型AEC-Q101 MOSFET 可用于汽车感性负载控制

双MOSFET器件通过节省空间、减少器件数量和提高可靠性,简化汽车电磁阀控制电路。...

2020-12-20 标签:MOSFET封装续流二极管Nexperia 229

TDK推出用于导电粘接安装的新型贴片NTC热敏电阻

TDK推出用于导电粘接安装的新型贴片NTC热敏电阻

TDK旨在通过增加贴片尺寸和热敏电阻特性,以及扩大工作温度范围来满足不同的应用需求,从而不断扩大NTCSP系列产品的阵容。...

2020-12-11 标签:温度传感器热敏电阻NTCTDK 314

TRACO POWER 简介  

TRACO POWER 简介  

TRACO POWER  三十多年来,TRACO POWER 一直是工业或医疗应用 DC/DC 转换器、AC/DC 交换式电源的领先制造商。公司至今仍由创始人家族的第四代掌门人掌控。Traco Power 在全球...

2020-12-01 标签:电源 0

SiC助力功率半导体器件的应用结温升高,将大大改变电力系统的设计格局

SiC助力功率半导体器件的应用结温升高,将大大改变电力系统的设计格局

Yole Development 的市场调查报告表明,自硅功率半导体器件诞生以来,应用的需求一直推动着结温升高,目前已达到150℃。...

2020-11-16 标签:电动汽车电力系统CISSOIDSiC功率半导体 549

随着器件功耗的增加,氮化镓技术正走向成熟

随着器件功耗的增加,氮化镓技术正走向成熟

目前常用的解决方案包括使用硅基超结金属氧化物半导体场效应晶体管(SJMOSFET)来调节、转换并向电池充电。它的尺寸大约为18英寸×25英寸,重量大概13磅,能效约为94%。...

2020-11-05 标签:电机驱动氮化镓工业电源宽禁带 412

智能功率模块助力业界加速迈向基于碳化硅(SiC)的电动汽车

智能功率模块助力业界加速迈向基于碳化硅(SiC)的电动汽车

本文讨论了在电动汽车应用的功率转换器设计中选择CISSOID三相全桥1200V SiC MOSFET智能功率模块(IPM)体系所带来的益处,尤其表现在该体系是一个可扩展的平台系列。...

2020-11-07 标签:电动汽车功率转换器功率模块碳化硅 911

相对于硅(Si)和碳化硅(SiC),GaN有哪些优势

相对于硅(Si)和碳化硅(SiC),GaN有哪些优势

最终的器件是额定电压为650 V的FET,具有4 V的高阈值,小于15mΩ的导通电阻以及类似于单芯片的封装。...

2020-12-07 标签:晶体管SiCGaN 314

宜普电源转换推出eGaN®FET 98%效率、250W/48V的DC/DC解决方案

宜普电源转换推出eGaN®FET 98%效率、250W/48V的DC/DC解决方案

EPC9153是一款250 W超薄电源模块,采用简单且低成本的同步降压配置,峰值效率高达98.2%,元件的最大厚度为6.5 毫米。...

2020-10-29 标签:MOSFETEPCDC-DC转换器场效应晶体管eGaN 253

Nexperia全新定义MOSFET产品 为特定应用提供优化的参数

Nexperia全新定义MOSFET产品 为特定应用提供优化的参数

Nexperia为电池隔离、电机控制、热插拔和以太网供电(PoE)应用提供ASFET系列。...

2020-10-23 标签:MOSFETFETNexperia 502

扬杰科技||P-100V SGT MOSFET新品发布

扬杰科技||P-100V SGT MOSFET新品发布

特点和优势 1、国内第一颗采用SGT技术的P-100V的MOSFET产品; 2、P Channel产品在负载开关应用中,电路更简洁,高效;...

2020-10-21 标签:MOSFET负载开关电机驱动DCDC扬杰科技 865

东芝推出适用于高效率电源的新款1200V碳化硅MOSFET

东芝推出适用于高效率电源的新款1200V碳化硅MOSFET

该功率MOSFET采用碳化硅(SiC)这种新材料,与常规的硅(Si)MOSFET、IGBT产品相比,具有高耐压、高速开关和低导通电阻特性,有利于降低功耗,精简系统。...

2020-10-20 标签:MOSFET光伏逆变器碳化硅东芝电子 675

贸泽开售Microchip AgileSwitch相臂功率模块 兼具SiC MOSFET与二极管之长

贸泽开售Microchip AgileSwitch相臂功率模块 兼具SiC MOSFET与二极管之长

贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开始备货Microchip Technology的全新AgileSwitch®相臂SiC MOSFET模块。...

2020-10-15 标签:二极管microchip贸泽电子SiC MOSFET 393

MOS在模拟电路上的应用 MOSFET组成的H桥驱动电路

MOS在模拟电路上的应用 MOSFET组成的H桥驱动电路

最开始学习三极管的时候,很注重它的工作原理,后来到了实际应用,就直接把三极管或MOSFET直接当作一个开关器件使用。直到前这几天,接触到MOSFET组成的H桥驱动电路时,发现把它纯当作一...

2020-10-15 标签:三极管MOSFET步进电机驱动电路H桥驱动 2257

专为强化谐振拓扑运作性能打造,英飞凌推出全新 650 V CoolMOS™ CFD7

专为强化谐振拓扑运作性能打造,英飞凌推出全新 650 V CoolMOS™ CFD7

新款 650 V器件扩展了声誉卓越的 CoolMOS CFD7 系列的电压范围,且为 CoolMOS CFD2 的后继产品。...

2020-10-09 标签:英飞凌二极管MOSFETsmps 439

Vishay推出NTC热敏电阻,采用加长PEEK绝缘镍铁引线实现快速、高精度测量

Vishay推出NTC热敏电阻,采用加长PEEK绝缘镍铁引线实现快速、高精度测量

器件符合AEC-Q200标准,适用于汽车和工业应用,精度达到± 0.5 °C,空气中响应时间小于3秒...

2020-10-09 标签:传感器Vishay热敏电阻NTC 280

三安集成:碳化硅功率器件量产制造平台,助力新能源汽车产业可持续发展

三安集成:碳化硅功率器件量产制造平台,助力新能源汽车产业可持续发展

三安集成副总经理杨健、金龙新能源总经理陈晓冰博士分别代表双方签订战略合作框架协议。...

2020-09-29 标签:新能源汽车功率器件碳化硅三安集成 415

iCoupler技术为AC/DC设计中的氮化镓(GaN)晶体管带来诸多优势

iCoupler技术为AC/DC设计中的氮化镓(GaN)晶体管带来诸多优势

GaN晶体管支持大多数包含单独功率因数校正(PFC)和DC-DC部分的AC/DC电源:前端、无电桥PFC以及其后的LLC谐振转换器(两个电感和一个电容)。此拓扑完全依赖于图1所示的半桥和全桥电路。...

2020-09-28 标签:adi晶体管氮化镓iCouplerGaN晶体管 453

关于交流接触器的基本知识

关于交流接触器的基本知识

使用说明书。七八年前左右,某些接触器包装盒里面会附带一张详细的纸质说明书,有型号,功能,使用注意事项等。后来渐渐的,说明书不见了,改为印刷在包装盒的里面。有机会可以搜集下...

2020-10-01 标签:继电器接触器电磁感应 600

GaN FET在汽车电子高频变压器设计实例

GaN FET在汽车电子高频变压器设计实例

当前的消费者对于续航里程、充电时间和性价比等问题越来越关注,为了加快电动汽车(EV)的采用,全球的汽车制造商都迫切需要增加电池容量、缩短充电时间,同时确保汽车尺寸、重量和器...

2020-12-21 标签:电动汽车二极管逆变器车载充电器GaN FET 565

具有保护功能的GaN器件实现下一代工业电源设计的挑战

具有保护功能的GaN器件实现下一代工业电源设计的挑战

氮化镓(GaN)半导体的物理特性与硅器件不相上下。传统的电源供应器金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅极双极晶体管(IGBT)只有在牺牲效率、外形尺寸和散热的前提下才能提高功率密...

2020-12-20 标签:开关电源场效应晶体管氮化镓GaN栅极驱动器 994

硅基氮化镓IC是如何制成的?重新定义电源转换

硅基氮化镓IC是如何制成的?重新定义电源转换

随着氮化镓器件性能的提高,人们对这些器件的可靠性和可用性有了更大的信心后,氮化镓器件被用于广阔的全新应用。...

2020-11-19 标签:MOSFET晶体管氮化镓GaN器件 442

宜普电源转换公司推出两款100V eGaN FET,为业界树立全新性能基准

宜普电源转换公司推出两款100V eGaN FET,为业界树立全新性能基准

EPC2218(3.2 mΩ、231 Apulsed)和EPC2204(6 mΩ、125 Apulsed)比前代eGaN FET的导通电阻降低了接近20%及提高了额定直流功率。...

2020-09-24 标签:场效应晶体管氮化镓激光雷达eGaN宜普电源 313

宽禁带生态系统:碳化硅功率MOSFET模型的部分特性

宽禁带生态系统:碳化硅功率MOSFET模型的部分特性

宽禁带材料实现了较当前硅基技术的飞跃。它们的大带隙导致较高的介电击穿,从而降低了导通电阻(RSP)。更高的电子饱和速度支持高频设计和工作,降低的漏电流和更好的导热性有助于高温下...

2020-10-10 标签:IC设计安森美半导体宽禁带 1747

Vishay推出新款200V N沟道MOSFET的RDS(ON)导通电阻达到业内最低水平,提高系统功率密度且节省能源

Vishay推出新款200V N沟道MOSFET的RDS(ON)导通电阻达到业内最低水平,提高系统功率

TrenchFETâ器件典型RDS(ON)为 61 mΩ,优值系数为 854 mΩ*nC,封装面积10.89 mm²...

2020-09-23 标签:MOSFETVishay导通电阻 571

Vishay推出B和C外壳代码新产品扩充EP1高能量密度湿钽电容器

Vishay推出B和C外壳代码新产品扩充EP1高能量密度湿钽电容器

 增强型EP1采用Vishay成熟的SuperTan® 技术,B外壳代码和C外壳代码器件超高容量分别达到3,600 µF~40,000 µF和5,300 µF~58,000 µF。...

2020-09-21 标签:Vishay钽电容器 369

交流接触器不为人知的一面!

交流接触器不为人知的一面!

针对交流接触器的这种现象,笔者曾多次向某品牌接触器生产厂家的技术人员请教。经过交流学习后,笔者方知之所以存在这种现象的原因主要出于两方面的考虑...

2020-10-01 标签:变频器交流接触器电气控制 552

Power Integrations推出适合智能照明应用的新款LYT6078C驱动器IC

Power Integrations推出适合智能照明应用的新款LYT6078C驱动器IC

LYT6078C的性能优势在新的设计报告(DER-920)中得到了充分体现,该报告详细介绍了使用PFC升压级外加隔离反激拓扑级的两级可调光LED镇流器设计。...

2020-09-19 标签:led驱动器IC镇流器Power氮化镓 500

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