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关于氧化锌的基本性质和应用的报告

关于氧化锌的基本性质和应用的报告

本文概述了氧化锌的基本性质,包括晶体结构、能带结构和热性质,并介绍了其应用前景、氧化锌块体、薄膜和纳米结构,氧化锌的机械性质、基本电子和光学性质以及潜在的应用。 晶体结构...

2022-01-18 标签:显示器半导体晶体氧化锌 397

吉方定制化服务,持续为客户提升价值

吉方定制化服务,持续为客户提升价值

吉方工控拥有完善的供应链体系,多年来与英特尔保持战略合作关系,与国产芯片厂商也有良好的互动。在以客户为导向的工作原则指导下,我们对供应链进行了科学的管理和严格的品控。...

2022-01-17 标签:cpu吉方工控 234

Transphorm的快速充电器和电源适配器用GaN器件

高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先驱和全球供应商Transphorm, Inc. (OTCQX: TGAN)今天宣布,该公司2021年12月份的SuperGaN® Gen IV场效应晶体管(FET)出货量突破100万大关。这一里程碑进一步证实...

2022-01-16 标签:充电器FET电源适配器GaNTransphorm 1261

半导体硅太阳能电池基板的湿化学处理及电子界面特性

半导体硅太阳能电池基板的湿化学处理及电子界面特性

引言 硅(Si)在半导体器件制造中的大多数技术应用都是基于这种材料的特定界面性能。二氧化硅(二氧化硅)可以通过简单的氧化方法在硅表面制备,其特点是高化学和电稳定性。晶体硅在光伏...

2022-01-13 标签:太阳能半导体电子硅片电池 1064

【节能学院】电气火灾监控系统在德令哈市新能源有轨电车示范线工程的应用

【节能学院】电气火灾监控系统在德令哈市新能源有轨电车示范线工程的应用

点击蓝字关注我们摘要介绍德令哈市新能源有轨电车示范线工程采用剩余电流式电气火灾探测器,就地组网方式,通过现场总线通讯远传至后台,从而实现剩余电流式电气火灾监控系统的搭建,...

2021-11-19 标签:监控系统 47

用于刻蚀多晶硅表面的HF-HNO3-H2SO4/H2O混合物

用于刻蚀多晶硅表面的HF-HNO3-H2SO4/H2O混合物

硅表面常用的HF-HNO3-H2O蚀刻混合物的反应行为因为硫酸加入而受到显著影响。HF (40%)-HNO3 (65%)-H2SO4 (97%)混合物的最大蚀刻速率为4000–5000 NMS-1,w (40%-HF)/w (65%-HNO3)比为2比4,w (97%-H2SO4)0.3.对于较高浓...

2022-01-13 标签:多晶硅半导体晶圆刻蚀刻蚀工艺 536

半导体有机酸清洗液中的铜的蚀刻速率和氧化机理分析

半导体有机酸清洗液中的铜的蚀刻速率和氧化机理分析

引言 用电化学和原子力显微镜方法对有机酸与铜的相互作用进行了表征可以建立用于湿铜加工的高效清洗公式。本文研究了单有机酸、二有机酸和三有机酸中铜的蚀刻速率和氧化机理。除了草...

2022-01-13 标签:半导体电化学蚀刻清洗蚀刻工艺 345

DB HiTek凭借RF SOI/HRS工艺拓展射频前端业务

DB HiTek已宣布通过基于130/110纳米技术的射频绝缘体上硅(RF SOI)和射频高电阻率衬底(RF HRS)工艺来拓展射频前端业务。 射频前端是无线通信的必备器件,其负责IT设备之间的发射(Tx)和接收(Rx),并广...

2022-01-13 标签:射频射频芯片SOI射频前端智能硬件 1200

蚀刻工艺关于湿化学处理后InP表面的研究

蚀刻工艺关于湿化学处理后InP表面的研究

引言 本文将讨论在不同的湿化学溶液中浸泡后对InP表面的氧化物的去除。本文将讨论接收衬底的各种表面成分,并将有助于理解不同的外原位湿化学处理的影响。这项工作的重点将是酸性和碱...

2022-01-12 标签:InP技术化学蚀刻物理衬底 612

柔性振动盘视觉上料系统

柔性振动盘视觉上料系统

柔性振动盘是一种适用于工业自动化生产中99%的小型零部件散料排列上料的,它又叫柔性上料盘、柔性振盘、柔性供料器等。弗莱克斯柔性振动盘有五种规格,分别是FF100-FF500,能够解决大小不一...

2021-02-20 标签:振动盘 380

关于晶体硅太阳能电池单面湿法化学抛光的方法

关于晶体硅太阳能电池单面湿法化学抛光的方法

引言 高效太阳能电池需要对硅片的正面和背面进行单独处理。在现有技术中,电池的两面都被纹理化,导致表面相当粗糙,这对背面是不利的。因此,在纹理化后直接引入在线单面抛光步骤。...

2022-01-12 标签:太阳能电池太阳能半导体晶体硅抛光 300

O极和Zn极ZnO单晶的蚀刻行为

O极和Zn极ZnO单晶的蚀刻行为

引言 氧化锌是最广泛研究的纤锌矿半导体之一。氧化锌不仅作为单晶,而且以多晶薄膜的形式。其显著的性能,如宽直接带隙3.37 eV,大结合强度内聚能1.89 eV,熔点2248 K,高激子结合能60 meV,即...

2022-01-12 标签:晶圆单晶蚀刻 305

在氯化钠-异丙醇溶液中的表面钝化和形态

在氯化钠-异丙醇溶液中的表面钝化和形态

引言 原子平面的制备是半导体基板上原子尺度操作的必要前提。由于自组装现象或使用原子探针技术操纵单个原子,只有原子平面的表面才能产生可重复制造纳米级原子结构的机会。原子平坦...

2022-01-10 标签:半导体砷化镓钝化抛光 263

先进清洗技术提高晶体硅太阳能电池效率

先进清洗技术提高晶体硅太阳能电池效率

引言 晶体硅光伏效率和场退化领域的技术差距/需求已经被确定。效率低下和快速退化的原因可能有共同的根源。极少量的污染会导致光伏效率低下,并且在现场安装后暴露在阳光下时容易进一...

2022-01-10 标签:太阳能电池太阳能半导体光伏晶体硅 472

碳化硅在碱性溶液中的阳极刻蚀

碳化硅在碱性溶液中的阳极刻蚀

引言 人们对用于器件应用的碳化硅(SiC)重新产生了浓厚的兴趣。它具有良好的晶格常数和热膨胀系数,可以作为第三族氮化物外延生长的衬底。在许多应用领域,例如与航空航天、汽车和石油工...

2022-01-10 标签:半导体SiC碳化硅刻蚀刻蚀工艺 247

微气泡对光刻胶层的影响

微气泡对光刻胶层的影响

关键词:氧气、微气泡、光刻胶、高剂量离子注入、气水界面 介绍      微气泡是一种很有前途的环保光刻胶去除方法的候选方法。已经证明,臭氧微气泡可以去除硅片上的光刻剂,即使被高...

2022-01-10 标签:半导体光刻晶片光刻胶 235

混合铝蚀刻剂的化学特性分析

混合铝蚀刻剂的化学特性分析

摘要 我们华林科纳研究了正磷酸、聚磷酸、和铁(III)氯化物蚀刻剂对工艺条件变化的敏感性,以确定该蚀刻剂系统在纯铝电路光刻制造中的潜在生产应用。温度变化、正磷酸浓度、多磷酸浓度的...

2022-01-07 标签:半导体印刷电路蚀刻蚀刻技术 378

多磷酸蚀刻剂的化学特性

多磷酸蚀刻剂的化学特性

摘要 在印刷和蚀刻生产厚金属膜中的精密图案时,需要对化学蚀刻剂有基本的了解,以实现工艺优化和工艺控制。 为了蚀刻纯铝电路,研究了正磷酸、多磷酸和氯化铁的配方。 研究的目的是确...

2022-01-07 标签:化学蚀刻蚀刻工艺 377

使用单一晶圆加工工具蚀刻晶圆背面薄膜的方法

使用单一晶圆加工工具蚀刻晶圆背面薄膜的方法

引言 随着半导体技术的发展,为了在有限的面积内 形成很多器件,技术正在向多层结构发展。要想形成多层结构,会形成比现有更多的薄膜层 ,这时晶片背面也会堆积膜。目前,在桔叶式设备...

2022-01-05 标签:pcb半导体晶圆蚀刻 348

用于异质结太阳能电池应用的Na2CO3溶液的硅片纹理化

用于异质结太阳能电池应用的Na2CO3溶液的硅片纹理化

引言 在太阳能电池工业中,最常见的纹理化方法之一是基于氢氧化钠或氢氧化钾的水溶液和异丙醇(IPA)。然而,IPA是有毒的,而且相对昂贵,因此人们正在努力取代它。在过去的几年中,硅异质...

2022-01-05 标签:太阳能电池太阳能半导体晶片硅片 538

开年专访谷泰微创始人兼CEO石方敏:2022本土IC要迎“大考”

开年专访谷泰微创始人兼CEO石方敏:2022本土IC要迎“大考”

随着全球数字化转型加速以及AIOT、智能汽车市场爆发,全球集成电路市场规模加速增长,预计2021年全球集成电路市场将增长到5700亿美元,未来5年将更增长到1万亿美元的规模!...

2022-01-04 标签:集成电路IC设计芯片设计 460

Nano Dimension宣布收购Essemtec AG

-Essemtec AG是一家为印刷电路板和原始设备制造商行业提供表面贴装取放系统的供应商 -本次收购有助于为以下方面的突破性进展奠定基础:作为增材制造电子产品解决方案一部分的微芯片放置方...

2021-12-31 标签:电路板smt3D打印 2020

国内首条!基本半导体汽车级碳化硅功率模块专用产线正式通线

国内首条!基本半导体汽车级碳化硅功率模块专用产线正式通线

12月30日,基本半导体位于无锡市新吴区的汽车级碳化硅功率模块制造基地正式通线运行,首批碳化硅模块产品成功下线。这是目前国内第一条汽车级碳化硅功率模块专用产线,采用先进碳化硅...

2021-12-31 标签:MOSFETSiC功率模块碳化硅基本半导体 1076

SiO2在氢氟酸中的刻蚀机理

SiO2在氢氟酸中的刻蚀机理

摘要 研究了高频和高频/HCI溶液中的不同平衡点,并研究了SiQ的蚀刻反应作为高频溶液中不同物种的函数。基于HF二聚体的存在,建立了一种新的SiO~蚀刻机制模型, SiQ在高频溶液中的溶解是在集...

2021-12-31 标签:晶圆镀膜刻蚀刻蚀机 633

Al2O3钝化PERC太阳能电池的工业清洗序列

Al2O3钝化PERC太阳能电池的工业清洗序列

摘要 在本文中,我们研究了测试晶圆和PERC太阳能电池的不同工业适用清洗顺序,并与实验室类型的RCA清洗进行了比较。清洁顺序pSC1、HF/HCl、HF/O3和HF/O3显示出1 ms至2 ms之间的寿命,这与对应于低...

2021-12-31 标签:太阳能电池太阳能晶圆晶片TYN1225 598

异丙醇(IPA)的解吸特性和IPA蒸汽干燥硅晶片中的水分

异丙醇(IPA)的解吸特性和IPA蒸汽干燥硅晶片中的水分

引言 为了评估用各种程序清洗和干燥的晶圆表面的清洁度,我们通过高灵敏度的大气压电离质谱(APIMS)成功地分析了这些晶圆表面的排气量。特别是,通过将晶片表面的解吸气体引入APIMS,研究...

2021-12-30 标签:晶圆晶片光谱 585

浅谈芯片市场最新现状

全世界都在关注芯片市场的动态。如今半导体的龙头效应凸显,创新芯片公司也值得关注。...

2021-12-30 标签:芯片存储芯片半导体行业 430

2021第三代半导体产教融合发展论坛成功举办

2021第三代半导体产教融合发展论坛成功举办

由第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会(CASAS)主办、泰克科技(中国)有限公司和北京博电新力电气股份有限公司协办的“2021 第三代半导体标准与检测研讨会”在深圳召开。...

2021-12-29 标签:半导体半导体产业 803

化学蚀刻的铜-ETP铜的实验分析

化学蚀刻的铜-ETP铜的实验分析

引言 化学蚀刻是通过与强化学溶液接触来控制工件材料的溶解。该过程可以应用于任何材料。铜是利用化学腐蚀工艺制造微电子元件、微工程结构和精密零件中广泛使用的工程材料之一。在这...

2021-12-29 标签:半导体蚀刻蚀刻工艺 549

Cu CMP后清洗中添加剂对颗粒粘附和去除的影响

Cu CMP后清洗中添加剂对颗粒粘附和去除的影响

引言 Cu作为深度亚微米的多电级器件材料,由于其电阻低、电迁移电阻高和电容降低,与铝相比的时间延迟。本文从理论和实验上研究了柠檬酸基铜化学机械平坦化后二氧化硅颗粒对铜膜的粘附...

2021-12-29 标签:半导体晶圆晶片晶圆制造 252

半导体晶片的湿蚀方法、清洗和清洁

半导体晶片的湿蚀方法、清洗和清洁

关键词 晶圆清洗 电气 半导体 引言 半导体器件的制造是从半导体器件开始广泛销往市场的半个世纪 前到现在为止与粒子等杂质的战斗。半个世纪初,人们已经了 解了什么样的杂质会给半导体...

2021-12-29 标签:芯片半导体蚀刻晶片蚀刻工艺 444

紫外荧光在晶圆表面清洁分析中的应用

紫外荧光在晶圆表面清洁分析中的应用

引言 紫外荧光(UVF)是一种新颖而通用的检测硅片表面金属杂质污染的方法。我们证明了UVF在硅片加工中污染控制的有效性。实验显示了室温下铁、铜、镍、钠等主要特征峰。与其他表面敏感技术...

2021-12-28 标签:晶圆纳米晶片 308

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