如何把GaN的特性完全发挥出来呢

要想把GaN的特性完全发挥出来，需要优秀的电源管理芯片(PMIC)来支持。

在实现高频率、高效率的同时，还要确保电源在各种极端应用场景下可靠、稳定且无噪音的工作。

芯茂微第二代内置GaN高频QR驱动器

为提升工程师布板的便利性，简化客户的工作量，芯茂微推出合封Gan芯片LP88G24DCD

LP88G24DCD内置650V级联型结构的GaN功率器件，采用QFN8*8封装，进一步减小芯片占板面积，底部采用一体化铜基板设计，具有极佳的散热性能。

芯片引脚间爬电距离2mm

为适应各种恶劣场景下使用，如：潮湿、极寒、极热和高海拔地区；这些场合，需要充足的爬电距离，才能在极端情况下确保高低压之间不发生击穿；

LP88G24DCD HV引脚、Drain引脚，高压引脚与低压信号引脚之间的爬电距离拉远到了2mm；因此，在各种电源应用场合中都具有极高的可靠性。

优异的EMC性能

由于LP88G24DCD 合封芯片将主控和GaN的驱动脚都外置，且相邻布置，可以方便的通过串联电阻来改善EMC性能。

丰富的保护功能，根据保护后动作的不同
分为：

在QR模式下，工作频率25kHz~500kHz，并具有谷底锁定开通模式

内置高压启动（HV）和X电容泄放功能

极轻载时“软跳频”工作模式可实现低功耗、无噪音

芯片内置输出电流感应和计算单元，可以准确控制电源的输出过流点

单&双 绕组变压器可选•灵活的方案设计

双绕组：可以减少高压输出时的功耗

单绕组：利用VccH供电，无需外接LDO电路

35V的VccL脚被设定为优先供电脚，当VccL的电压低于9V时才接通VccH供电；可以很方便的用这两个管脚组成双绕组供电方式，以节约高输出电压时的功率消耗；

亦可以只使用VccH管脚（耐压200V），以节约外部LDO器件或Vcc绕组及整流滤波电路的成本。

65W PD Demo

具有精简的设计线路，外围简单，进一步缩小产品体积

高压转换效率94%以上

低压转换效率92%以上

优异的待机功耗

优异的EMI特性

AC115V/50Hz-20V/3.25A CE-L AC115V/50Hz-20V/3.25A CE-N

AC230V/50Hz-20V/3.25A CE-L AC230V/50Hz-20V/3.25ACE-N

AC115V/50Hz-20V/3.25A 垂直 AC115V/50Hz-20V/3.25A 水平

AC230V/50Hz-20V/3.25A 垂直 AC230V/50Hz-20V/3.25A 水平

审核编辑：刘清