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氧化镓射频器件研究进展

氧化镓（Ga2O3 ）是性能优异的超宽禁带半导体材料，不仅临界击穿场强大、饱和速度高，而且具有极高的巴利加优值和约翰逊优值，在功率和射频器件领域具有重...

2025-06-11 标签：半导体 GaN 射频器件 2.8k 0

Analog Devices Inc. LT8418半桥GaN驱动器数据手册

Analog Devices Inc. LT8418半桥GaN驱动器是一款100V器件，集成了顶部和底部驱动器级、驱动器逻辑控制和保护功能。该驱动器可配...

2025-06-10 标签：驱动器 GaN Analog 1.2k 0

纳芯微高压半桥驱动芯片NSD2622N产品介绍

纳芯微发布专为增强型GaN设计的高压半桥驱动芯片NSD2622N，该芯片集成正负压稳压电路，支持自举供电，具备高dv/dt抗扰能力和强驱动能力，可以显著...

2025-06-09 标签：驱动电路氮化镓 GaN 2k 0

PD快充芯片U8722SP的工作原理

耐压值定义了芯片安全工作电压上限，若输入电压超过该值（如动态波动或负载突变），可能引发击穿或永久损坏，直接影响器件可靠性、性能表现及系统适配性。高耐压芯...

2025-06-03 标签：PD GaN 快充芯片 1k 0

ASOP7-T4封装E-GaN快充电源芯片U8724AHS

ASOP7-T4封装E-GaN快充电源芯片U8724AHS深/圳/银/联/宝芯片的脚位是芯片与外部电路进行连接的桥梁。通过引脚，芯片可以与电路板上的其他...

2025-05-29 标签：GaN 电源芯片快充 947 0

浮思特 | 在工程衬底上的GaN功率器件实现更高的电压路径

横向氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)在中低功率转换应用领域正呈现强劲增长态势。将这一材料体系扩展至更高电压等级需要器件设计和衬底技术的创新。本文总结...

2025-05-28 标签：晶体管功率器件 GaN 987 0

Analog Devices Inc. LTC7892两相升压控制器数据手册

Analog Devices LTC7892两相升压控制器可驱动所有N沟道同步氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）功率级，输出电压高达100V。高性能...

2025-05-27 标签：FET N沟道 GaN 1.1k 0

Analog Devices Inc. EVAL-LTC7892-BZ评估板数据手册

Analog Devices EVAL-LTC7892-BZ评估板设计用于演示LTC7892 GaN FET控制器。LTC7892优化采用100V Ga...

2025-05-27 标签：GaN Analog 评估板 1.1k 0

Analog Devices Inc. ADPA1116 GaN功率放大器数据手册

Analog Devices ADPA1116 GaN功率放大器具有39.5dBm饱和输出功率（P ~OUT~ ），功率附加效率（PAE）为40%，输入...

2025-05-27 标签：功率放大器输出功率 GaN 992 0

E-GaN电源芯片U8722FE产品概述

E-GaN电源芯片U8722FE是U8722X系列最新增加的型号，ID(A)(TJ=125℃)4.0，耐压700V，推荐功率60W，采用的是ESOP-7封装。

2025-05-26 标签：芯片 GaN 电源芯片 905 0

氮化镓GaN快充芯片U8732的特点

氮化镓充电器与普通充电器在充电效率方面对比，性能遥遥领先。它支持多种快充协议，如PD、QC等，能够智能识别设备所需的充电功率，实现快速充电。无论是苹果手...

2025-05-23 标签：氮化镓 GaN 快充芯片 1.2k 0

UCC27611 具有 4V UVLO 和 5V 稳压输出的 4A/6A 单通道栅极驱动器数据手册

UCC27611 是一款针对 5V 驱动优化的单通道高速栅极驱动器，专门针对增强型 GaN FET 进行寻址。驱动电压 VREF 由内部线性稳压器精确控...

2025-05-20 标签：FET GaN 灌电流 1k 0

LM5113-Q1系列用于 GaNFET 的汽车级 1.2A/5A、100V 半桥栅极驱动器数据手册

LM5113-Q1 旨在以同步降压、升压或半桥配置驱动汽车应用中的高压侧和低压侧增强型氮化镓（GaN） FET 或硅 MOSFET。该器件具有集成的 ...

2025-05-19 标签：MOSFET 氮化镓 GaN 949 0

LMG1205 适用于GaNFET和MOSFET的1.2A、5A、90V、具有 5V UVLO 的半桥栅极驱动器数据手册

该 LMG1205 设计用于在同步降压、升压或半桥配置中驱动高压侧和低压侧增强型氮化镓（GaN） FET。该器件具有集成的 100V 自举二极管以及用...

2025-05-19 标签：MOSFET UVLO GaN 842 0

UCC5320 3k/5kVrms、2A/2A 单通道隔离栅极驱动器，UVLO 以 GND 或分离输出为基准数据手册

UCC53x0 是单通道隔离式栅极驱动器系列，设计用于驱动 MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 和 GaN FET （UCC5350SBD）。...

2025-05-19 标签：MOSFET UVLO GaN 930 0

LMG1020 具有 5V UVLO 的 7A/5A 单通道栅极驱动器数据手册

LMG1020 器件是一款单通道低侧驱动器，设计用于在高速应用中驱动 GaN FET 和逻辑电平 MOSFET，包括 LiDAR、飞行时间、面部识别以及...

2025-05-19 标签：MOSFET FET GaN 1.2k 0

基于德州仪器TOLL封装GaN器件优化电源设计

当今的电源设计要求高效率和高功率密度。因此，设计人员将氮化镓 (GaN) 器件用于各种电源转换拓扑。

2025-05-19 标签：电源设计封装 GaN 2.6k 0

UCC21540A 5.7kVrms，4A/6A双通道隔离栅极驱动器数据手册

UCC2154x 是一款隔离式双通道栅极驱动器系列，具有高达 4A/6A 的峰值拉/灌电流，可驱动功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶体管。采用...

2025-05-24 标签：MOSFET 晶体管 GaN 914 0

LMG1025-Q1 具有 5V UVLO 的汽车类 7A/5A 单通道低侧栅极驱动器数据手册

LMG1025-Q1 是一款单通道低侧增强型 GaN FET 和逻辑电平 MOSFET 驱动器，适用于高开关频率汽车应用。窄脉冲宽度能力、快速开关规格和...

2025-05-17 标签：二极管 MOSFET 驱动器 1.1k 0

UCC21540-Q1 汽车5.7kVRMS，4A/6A双通道隔离栅极驱动器数据手册

UCC21540-Q1 器件是一款隔离式双通道栅极驱动器，具有可编程死区时间和宽温度范围。该器件在极端温度条件下表现出一致的性能和稳健性。它采用 4 A...

2025-05-17 标签：可编程晶体管 GaN 1k 0

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