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PI GaN产品InnoSwitch3-EP助力简化工业辅助电源设计

安富利 来源:安富利 2026-03-09 14:37 次阅读
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随着技术的不断成熟和成本的逐步下降,GaN正从消费电子PD快充领域向更广阔的工业、汽车、通信、数据中心等领域渗透,凭借其高频、高效、高功率密度的核心优势,成为推动能源转型、工业升级和通信革命的关键因素。

GaN与传统的Si MOS对比,存在着明显的优势

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• InnoSwitch3-EP工业辅助电源应用市场

工业自动化智能电网、储能设备等场景中,辅助电源如同“神经末梢”,为控制系统传感器、执行器等关键部件提供稳定供电,其可靠性、效率与集成度直接决定工业设备的运行精度与使用寿命。在Power Integrations(PI)推出的一系列GaN产品中,InnoSwitch3-EP(简称INN3-EP)凭借专为工业场景设计的核心特性,成为工业辅助电源设计的优选方案,为行业应用注入高效与稳定双重保障。

• INN3-EP为什么适用于工业场景?

InnoSwitch3-EP是高度集成的离线式反激开关IC,专为工业与高可靠性应用设计,融合PowiGaN氮化镓技术、FluxLink隔离反馈、次级侧控制三大核心技术,提供15-100W功率范围的高效电源解决方案,广泛应用于PLC、伺服驱动器工业机器人、智能电网设备等场景。对比传统的Si MOS,INN3-EP(GaN)设计的工业辅助电源主要有以下五大核心优势:

1. 能效提升:全负载效率高达90-95%,空载功耗低至<70mW,降低工业设备能耗,符合绿色工厂标准。

2. 体积缩小:高集成度与PowiGaN技术使电源体积减小40%,无需散热片即可提供100W输出,适配工业设备紧凑空间。

3. 可靠性增强:次级侧控制+多重保护+宽温设计,满足工业设备长寿命要求。

4. 成本优化:BOM成本降低20%,生产效率提升,同时减少散热和空间成本。

5. 设计简化:无需光耦、外围元件少、开发周期缩短50%,降低工程成本。

根据PI官网提供的工程报告,将INN3-EP和传统的Si MOS设计的65W适配器进行一个多维度的参数对比:

DEMO板实物图对比(原Demo板等比例缩小10倍):

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(RDR-747 INN3679C 750V Powi-GaN)

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(DER-243 TOP269EG 750V Si Mos)

PCB Layout尺寸图对比:

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(RDR-747 INN3679C 750V Powi-GaN)

aaaffaf0-1872-11f1-90a1-92fbcf53809c.png

(DER-243 TOP269EG 750V Si Mos)

性能对比:

RDR-747(INN3679C-H606)实测满载效率图:

ab0a9d5c-1872-11f1-90a1-92fbcf53809c.png

DER-243(TOP269EG)实测满载效率图:

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通过以上对比,可以清晰的看出使用INN3-EP设计的电源,比传统的Si MOS在效率上提升了3%,同时可以省去散热片,大大节省PCB空间。

• INN3-EP产品介绍

产品特性:

1. 高度集成,外形紧凑:在整个负载范围内保持恒定的高效率,在无需散热片的情况下可提供高达100W输出功率。

2. EcoSmart–高效节能:在输入电压检测电路工作的情况下空载功耗低于30mW轻松符合全球所有能效标准。

3. 先进的保护/安全特性:快速的输入欠压/过压保护,输出过压故障时进入自动重启动保护状态,出色的抗浪涌性能适合实现工业电源设计或更大安全边距的设计。

4. 完全符合各项安规要求:绝缘强度>4000VAC,产品100%进行HIPOT(高压绝缘)测试,通过UL1577绝缘强度4000VAC(最大值)、TUV(EN62368-1)、CQC(GB4943.1)和DIN EN IEC 60747-17(VDE 0884-17)安全认证

典型应用原理图:

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INN3-EP输出功率对照表

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INN3-EP工业辅助电源关键元件选型推荐:

SR整流管:工业辅助电源的电磁环境复杂,容易对SR的控制线路产生干扰,增加设计难度和成本,推荐使用肖特基二极管

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变压器:根据实际需求确定变压器绕法,功率小于24W推荐顺绕法,功率大于24W推荐三明治绕法。

Y电容:部分应用增加Y电容可能会引起输出电压浮高,可能会导致工作时引起环路不稳,同时整机做ESD测试时,可能会引起辅助电源保护。如果主回路存在比较大的EMI滤波器件,设计时尽量采用无Y设计。

INN3-EP工业辅助电源PCB Layout注意事项

1. 初级环路面积尽量缩小、DC输入端加CBB电容滤波

2. BPP供电电容必须靠近芯片;

3. D与S间需要加大安全距离,尽量不要开槽;

4. BPS供电电容需要靠近芯片;

5. FB电阻需要靠近芯片,上偏电阻增加RC前馈;

6. FWD电阻靠近芯片处增加一颗电容对地;

7. 必须用初级或次级的GND在底层将芯片底部覆盖,并保证安规距离,作为屏蔽罩作用;

8. 辅源电路部分远离主功率回路、注意避开主功率磁性器件,如PFC电感、主功率变压器等。

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INN3-EP工业辅助电源设计案例

该方案为INN3-EP、1250V PowiGaN应用在工业焊机辅助电源,可应对输入电压波动较大的应用场所,无需散热片情况下能提供最大100W功率输出,高度集成,降低BOM成本、节省PCB空间。

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与传统分立式方案相比,INN3629C集成度更高,待机功耗30mW,AC30V输入可正常启动工作,转换效率可达93%,不需要额外增加散热片,PCB板空间节约20%。

关键元件:

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结束语:INN3-EP融合GaN等核心技术,兼具高效小巧低成本和高可靠优势,适配工业多场景。其简化设计、省去散热片节省了空间,既满足绿色工厂需求,更推动工业电源升级,为智能制造注入全新的动力。

安富利为INN3-EP电源方案提供全方位的技术支持,包括但不限于:

1. 从样机到量产,全程专业的技术支持;

2. 协助客户PCB Layout,如有需要可直接帮客户进行Layout;

3. 提供完整的变压器设计和BOM表资料,缩短客户的研发时间;

4. 样机测试和基本电气性能调试;

5. EMI/ESD/雷击等安规方面技术支持。

查看更多相关资料

InnoSwitch3-EP 产品简介

InnoSwitch3-EP 数据手册

注释1:PowiGaN是Power Integrations(PI)公司自主研发的高度集成的GaN技术,与PI的控制IC和FluxLink通信技术无缝结合,形成完整的电源系统解决方案,而非独立销售的GaN器件。

注释2:FluxLink是Power Integrations(PI)公司专有的磁感耦合通信技术,是一种固体绝缘、磁感耦合的通信技术,能够在隔离屏障上双向传输反馈和控制信息,实现高压侧与低压侧之间的完全电气隔离。

关于安富利

安富利是全球领先的技术分销商和解决方案提供商,在过去一个多世纪里一直秉持初心,致力于满足客户不断变化的需求。通过遍布全球的专业化和区域化业务覆盖,安富利可在产品生命周期的每个阶段为客户和供应商提供支持。安富利能够帮助各种类型的公司适应不断变化的市场环境,在产品开发过程中加快设计和供应速度。安富利在整个技术供应链中处于中心位置,这种独特的地位和视角让其成为了值得信赖的合作伙伴,能够帮助客户解决复杂的设计和供应链难题,从而更快地实现营收。

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原文标题:设计难成本高?PI GaN系列INN3-EP让工业辅助电源设计少走弯路

文章出处:【微信号:AvnetAsia,微信公众号:安富利】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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