概述:
PC5012 是一款 700V、1.2Ω的氮化镓(GaN)功率场效应晶体管(FET),集成了单通道低端驱动器,专为高速应用中的氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)驱动而设计。其上升沿和下降沿的驱动强度可通过在栅极、OUTH 和 OUTL引脚之间连接外部电阻进行独立调节。
PC5012 内部驱动器集成了欠压锁定(UVLO)功能,大大简化了用户设计驱动电路的工作流程。UVLO 功能的主要作用是监控电源电压并确保其保持在安全范围内。当电源电压降至预设阈值以下时,UVLO 会触发保护机制,防止芯片在电压不足的情况下运行,从而避免潜在的损坏或不稳定工作。一旦电源电压恢复到正常范围,UVLO 会自动解锁,使芯片恢复正常运行。
因此,使用 PC5012的用户可以更专注于设计的其他方面,无需担心因意外器件激活导致的系统可靠性问题。他们也不需要设计额外的负电压驱动电路,多器件并联使用时因器件阈值电压不一致导致的问题也得到了解决。这有助于提高设计效率和系统可靠性。
PC5012 采用 SOP10封装,具有低寄生电感和寄生电阻,简化了外围电路的设计。

特性:
#集成700V增强模式氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)及门极驱动器
#开关上升/下降时间独立控制
#集成超高速低端驱动器
# 超低输入电容特性
# 欠压/过压保护功能
#零反向恢复损耗
#静电放电(ESD)防护
#符合RoHS、无铅、REACH标准

应用:
#高频脉冲电源
#LED电源
#功率因数校正
#LLC转换器
#无线电力传输
-
FET
+关注
关注
3文章
908浏览量
66785 -
场效应晶体管
+关注
关注
6文章
416浏览量
20703 -
GaN
+关注
关注
21文章
2382浏览量
84330 -
驱动控制器
+关注
关注
0文章
35浏览量
14426
发布评论请先 登录
GaN FET重新定义电源电路设计
新品 | EiceDRIVER™ F3增强型系列1ED332x--8.5A 2300V单通道隔离型驱动器
10A拉电流和灌电流增强型隔离式汽车单通道栅极驱动器UCC21737-Q1数据表
TPS92520EVM-133双通道1.6A同步降压LED驱动器评估模块
TI LMG2100R044 具有集成驱动器和保护功能的 100V 4.4mΩ 半桥 GaN FET
TI LMG2100R044 具有集成驱动器和保护功能的 100V 4.4mΩ 半桥 GaN FET应用与设计
UCC23525 具有12V UVLO的 5A/5A、5.7kVRMS、增强型单通道光兼容隔离式栅极驱动器数据手册
MPS新品 MPG44100 集成GaN FET的高效率、增强型 PFC 稳压器,具有峰值功率总线升压功能
700V/1.6A单通道增强型GaN FET驱动控制器参数与使用极限
评论