完善资料让更多小伙伴认识你，还能领取20积分哦，立即完善>
标签 > FET
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件。
FET电路工作原理
一般在网上只有三极管放大电路的原理，而FET的工作原理很少提及，现在我简单地分析一下它的放大原理：电路中栅极的直流电位VG是电源电压VDD被偏压电阻R3和R2分压后的电位，即：VG=R2/（R1+R2）*VDD。这与三极管发射极接地的放大电路基极直流电位相同。但是由于双极型晶体管中有基极电流流动，所以实际基极电位要比电源被R2和R3分压要低一些（晶体管是电流控制电流，FET是电压控制电流）。但对于FET，由于栅极没有电流流过，所以实际的栅极电位就是分压公式所求得的值。源极的直流电位VS比VG高出栅极源极间电压VGS的值，即： VS=VG+VGS 实际上，VGS是以源极为基准的，像N沟JFET那样，当源极电位比栅极高应该给VGS置以负号。因此，VS等于将VGS加到VG上时，就成为： VS=VG-VGS 双极晶体管VBE=0.6V或者0.7V，是能够相互置换的。但是对于FET来说，当器件型号和工作点（ID）不同时，VGS的值是不同的。流过源极的直流电流Is可以由下式求得： Is=VS/RS=（VG-VGS）/RS 漏极的直流电位VD是从电源电压VDD减去RD上的电压降的部分。如果漏极电流的直流成分为ID，则有： VD=VDD-ID*RD 由于FET的栅极上没有电流流过，ID=IS，所以上式也可以写成： VD=VDD-Is*RD 下面来求它的交流放大倍数。
由输入Vi引起的源极电流表的交流变化量#is为： #is=vi/RS 高漏极电流的交流变化量为#id，那么可以认为vd的交流变化量#vd就是#id在漏极电阻RD上的电压降，即： #vd=#id*RD 又因为漏极电流和源极电流相等，所以#vd为： #vd=#is*RD=vi/RS*RD 另外，交流输出电压vo是被输出电容C2隔断VD的直流成分后的成分，也就是vd的交流成分#vd，即： Vo=#vd=vi/RS*RD 所以不难求得：交流放大倍数Av为： Av=vo/vi=RD/RS
IC设计工程师和电路设计人员都深知电流噪声会随频率增高而变大，但由于关于此领域的资料过少，或者制造商提供的信息不全，许多工程师很难了解其原因。许多半导体...
许多关键应用要求能够测量到非常小的电流，如 pA量级或更小的电流。这些应用包括测定FET的栅极漏电流，测试灵敏的纳米电子器件，以及测量绝缘器件和电容的漏电流。
该稳压器电路可从未稳压的输入（超过 5V）提供稳定的 5V 输出。输出电压的稳定性足够好，负载电流变化约60mA时仅变化小于0.1V。
场效应管FET（Field Effect Transistor），是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，分为结型（JFET）和绝缘...
eFuse基于一个简单概念，即通过测量已知电阻器上的电压来检测电流，然后在电流超过设计限值时，通过场效应晶体管 (FET) 切断电流。
四种组合模式的简化结构对比图如下图所示，通过对比，很清楚地看出同步和异步的差异是否存在续流二极管。而集成型buck和非集成型的主要差异就是将开关控制部分...
碲化汞（HgTe）纳米晶体具有可调谐红外吸收光谱、溶液可加工性、低制造成本以及易与硅基电路集成等特点。
Nexperia在APEC 2024上发布拓宽分立式FET解决方案系列
Nexperia（安世半导体）再次在 APEC 上展示产品创新，宣布发布几款新型 MOSFET，以进一步拓宽其分立开关解决方案的范围，可用于多个终端市场...
概述： PC9094过电压和过电流保护该器件具有低80mΩ（TYP）导通电阻集成MOSFET，主动保护低电压 系统的电压供应故障高达+29V直流电。输入...
针对工业和可再生能源应用推出采用紧凑型SMD封装CCPAK的GaN FET
GAN039-650NTB 是一款 33 mΩ（典型值）的氮化镓场效应管，采用 CCPAK1212i 顶部散热封装技术，开创了宽禁带半导体和铜夹片封装相...
基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）近日宣布推出新款 GaN FET 器件，该器件采用新一代高压 GaN HEMT 技术和...
场效应晶体管栅极电流是多大 场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET）是一种基于电场控制的电子器件，常用于放大、开关和调制等...
MS8258D 是一款具有 CMOS 输入的低噪声运算放大器，适用于宽带跨阻和电压放大器应用。
如何区分场效应管的三个电极？场效应管可以算是三极管吗？ 场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种使用电场效应来控制电...
如何简单判断一个场效应管的好坏？ 场效应管（Field-Effect Transistor，简称FET）是一种广泛应用于电子设备中的晶体管类型之一。要判...
换一批
编辑推荐厂商产品技术软件/工具OS/语言教程专题
| 电机控制 | DSP | 氮化镓 | 功率放大器 | ChatGPT | 自动驾驶 | TI | 瑞萨电子 |
| BLDC | PLC | 碳化硅 | 二极管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
| 无刷电机 | FOC | IGBT | 逆变器 | 文心一言 | 5G | 英飞凌 | 罗姆 |
| 直流电机 | PID | MOSFET | 传感器 | 人工智能 | 物联网 | NXP | 赛灵思 |
| 步进电机 | SPWM | 充电桩 | IPM | 机器视觉 | 无人机 | 三菱电机 | ST |
| 伺服电机 | SVPWM | 光伏发电 | UPS | AR | 智能电网 | 国民技术 | Microchip |
| 开关电源 | 步进电机 | 无线充电 | LabVIEW | EMC | PLC | OLED | 单片机 |
| 5G | m2m | DSP | MCU | ASIC | CPU | ROM | DRAM |
| NB-IoT | LoRa | Zigbee | NFC | 蓝牙 | RFID | Wi-Fi | SIGFOX |
| Type-C | USB | 以太网 | 仿真器 | RISC | RAM | 寄存器 | GPU |
| 语音识别 | 万用表 | CPLD | 耦合 | 电路仿真 | 电容滤波 | 保护电路 | 看门狗 |
| CAN | CSI | DSI | DVI | Ethernet | HDMI | I2C | RS-485 |
| SDI | nas | DMA | HomeKit | 阈值电压 | UART | 机器学习 | TensorFlow |
| Arduino | BeagleBone | 树莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
| 示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
| OrCAD | Cadence | AutoCAD | 华秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
| C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
| Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
| DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |
关注我们的微信
下载发烧友APP
电子发烧友观察
版权所有 © 湖南华秋数字科技有限公司
电子发烧友 （电路图） 湘公网安备43011202000918 电信与信息服务业务经营许可证：合字B2-20210191
工商网监
湘ICP备 2023018690 号
