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麦科信光隔离探头在碳化硅（SiC）MOSFET动态测试中的应用

标签：SiC MOSFET 1262 0

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SiC MOSFET并联均流及串扰抑制驱动电路的研究立即下载

类别：模拟数字论文 2025-08-18 标签：驱动电路 SiC MOSFET 746 0

1200 V，80 mΩ，N沟道SiC MOSFET初步数据表立即下载

类别：电子资料 2024-01-03 标签：Nexperia SiC MOSFET 481 0

NSF040L3A0：1200伏，40米Ω,NN沟道SiC MOSFET应用指南立即下载

类别：电子资料 2023-12-19 标签：SiC MOSFET 470 0

NSF080120L3A0：1200 V，80 mΩ，N沟道SiC MOSFET一般说明立即下载

类别：电子资料 2023-12-19 标签：SiC MOSFET 385 0

用于直流变换器的SiC MOSFET驱动电路设计立即下载

类别：模拟数字论文 2023-11-30 标签：直流变换器驱动电路 SiC MOSFET 657 0

基于SiC MOSFET的精确分析模型立即下载

类别：电源技术 2018-03-13 标签：SiC MOSFET 1.8k 0

SiC MOSFET与SiC SBD换流单元瞬态模型立即下载

类别：电工论文网 2018-02-01 标签：SiC MOSFET 1.1k 0

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基于SiC MOSFET的Z-Source断路器在光伏汇流箱中的小型化设计

基于SiC MOSFET的Z-Source断路器在光伏汇流箱中的小型化设计光伏直流配电系统的保护挑战与固态断路器的技术演进随着全球能源结构的深度转型...

2026-04-23 标签：断路器光伏汇流箱 SiC MOSFET 689 0

国产SiC MOSFET功率模块替代进口IGBT模块的驱动逻辑匹配与系统优化

国产SiC MOSFET功率模块替代进口IGBT模块的驱动逻辑匹配与系统优化研究报告引言与产业演进背景在全球能源结构向深度电气化转型的宏观背景下，高...

2026-04-13 标签：IGBT 功率模块 SiC MOSFET 2.5k 0

多管并联 SiC MOSFET 的静态与动态均流控制方法研究报告

多管并联 SiC MOSFET 的静态与动态均流控制方法研究报告引言与多管并联的工程背景在当今的高功率电力电子转换系统中，包括交通电气化（如电动汽车...

2026-04-13 标签：电力电子转换系统 SiC MOSFET 184 0

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基于 SiC MOSFET 的高性能双向 DAB 变换器全负载范围 ZVS 实现与优化指南 1. 绪论在现代分布式能源架构、大规模储能系统（ESS）、...

2026-04-07 标签：变换器 ZVS DAB 736 0

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纳秒级响应：基于SiC MOSFET电流斜率 (di/dt) 的超快短路保护算法研究 1. 引言与研究背景在现代电力电子技术向着高频化、高效率和高功率...

2026-04-06 标签：SiC MOSFET 138 0

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基于非线性电容特性的 SiC MOSFET 开关损耗解析模型建立碳化硅功率器件技术背景与非线性建模的必要性在现代电力电子变换器系统的演进过程中，对更...

2026-04-06 标签：开关损耗 SiC MOSFET 195 0

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13.56MHz 射频电源拓扑与 1200V SiC MOSFET 集成：非线性电容补偿与半导体刻蚀能量稳定性深度研究报告引言：半导体制造进入埃米时代...

2026-04-06 标签：电容补偿射频电源 SiC MOSFET 177 0

固态 BDU 革命：EV 电池管理中 SiC MOSFET 对直流接触器的全面替代

固态 BDU 革命：EV 电池管理中 SiC MOSFET 对直流接触器的全面替代电动汽车动力分配架构的历史演进与技术瓶颈在全球汽车工业向高压电气化...

2026-04-04 标签：电池管理直流接触器 SiC MOSFET 313 0

SiC MOSFET芯片短路失效机理：基于 Sentaurus TCAD 的电-热-力多物理场耦合仿真

SiC MOSFET芯片短路失效机理：基于 Sentaurus TCAD 的电-热-力多物理场耦合仿真 1. 绪论：碳化硅功率器件在极端工况下的可靠性挑...

2026-04-03 标签：芯片 SiC MOSFET sentaurus 290 0

国产SiC MOSFET平替国际大厂产品的关键参数对标：基于Qg与Coss的驱动无感替换评估指南

国产SiC MOSFET平替国际大厂产品的关键参数对标：基于Qg与Coss的驱动无感替换评估指南碳化硅功率器件国产化替代的产业背景与工程挑战在当前全...

2026-03-30 标签：SiC MOSFET 基本半导体 617 0

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　　阈值电压（Threshold voltage）：通常将传输特性曲线中输出电流随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压。在描述不同的器件时具有不同的参数。如描述场发射的特性时，电流达到10mA时的电压被称为阈值电压。
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无线供电，是一种方便安全的新技术，无需任何物理上的连接，电能可以近距离无接触地传输给负载。实际上近距离的无线供电技术早在一百多年前就已经出现，而我们现在生活中的很多小东西，都已经在使用无线供电。
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董明珠，出生于江苏南京，企业家，先后毕业于安徽芜湖职业技术学院、中南财经政法大学EMBA2008级、中国社会科学院经济学系研究生班、中欧国际工商学院EMBA 。　　1990年进入格力做业务经理。 1994年开始相继任珠海格力电器股份有限公司经营部部长、副总经理、副董事长。并在2012年5月，被任命为格力集团董事长。连任第十届、第十一届和第十二届全国人大代表，担任民建中央常委、广东省女企业家协会副会长、珠海市红十字会荣誉会长等职务。2004年3月，当选人民日报《中国经济周刊》评选的2003-2004年度“中国十大女性经济人物”。2004年6月被评为“受MBA尊敬的十大创新企业家”和2004年11月被评为“2004年度中国十大营销人物”
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