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电子发烧友网>今日头条>RS2103低导通电阻、低电压、SPDT模拟开关

RS2103低导通电阻、低电压、SPDT模拟开关

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MOSFET通电阻参数解读

通电阻(RDSON)指的是在规定的测试条件下,使MOSFET处于完全通状态时(工作在线性区),漏极(D)与源极(S)之间的直流电阻,反映了MOSFET在通状态下对电流通过的阻碍程度。
2025-05-26 15:09:343811

MAX14585/MAX14585A高速USB和音频开关,可处理负信号并提供高压VBUS检测技术手册

对高性能开关所需的通电容(C ~ON~ )、通电阻(R ~ON~ ),内部负电源允许通过低于地电位至-1.8V的音频信号。器件还可处理低速/全速USB信号,工作电压为2.7V至5.5V。
2025-05-26 14:38:13727

MAX14919/MAX14919A工业保护型四通道开关技术手册

MAX14919/MAX14919A四通道开关是一款工业保护开关,每通道具有140mΩ(典型值)通电阻(R ~ON~ ),集成±1kV/42Ω浪涌保护功能,可实现稳健运行。
2025-05-21 10:31:001032

2.3 至 4.2 GHz 120 W 高功率 SPDT 开关 skyworksinc

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2025-05-20 18:30:47

0.3 至 3.8 GHz 160 W 高功率 SPDT 开关 skyworksinc

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2025-05-20 18:30:10

MAX14918, MAX14918A SPI/并联控制四通道开关,具有反向电流检测功能技术手册

MAX14918 和 MAX14918A 是四个 700mA 侧 用于工业应用的开关。每个设备 具有四个 140mΩ(典型值)通电阻 (R~ON)~ 开关 内置 ±1.2kV/42Ω 浪涌保护器。2 或 可以并联更多输出,以提供 更高的负载电流。
2025-05-20 15:45:131556

Sky5® 2.4 至 8.3 GHz SPDT 开关 skyworksinc

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2025-05-19 18:33:02

ADG3248 2.5 V/3.3 V、2:1多路复用器/解复用器总线开关技术手册

ADG3248是一款2.5 V或3.3 V、高性能2:1多路复用器/解复用器,采用低压CMOS工艺制造,具有低功耗、高开关速度和极低通电阻特性。通电阻特性使输入可以与输出相连,而且不会引起额外的传播延迟或产生额外的接地反弹噪声。
2025-05-16 10:03:30888

0.1 至 6.0 GHz SPDT 开关 skyworksinc

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2025-05-13 18:30:23

TPS22934 具有输出放电的 3.6V、1A、63mΩ 负载开关数据手册

TPS22934 是一个小的通电阻 (r ~上~ ) 带受控通的负载开关。这些器件包含一个 P 通道 MOSFET 可在 1.5 V 至 3.6 V 的输入电压范围内工作。 该开关由具有
2025-05-13 15:26:43589

TPS22995 具有可调上升时间的 5.5V 3.5A 20mΩ 通电阻负载开关数据手册

TPS22995是一款单通道负载开关,集成了N-channel MOSFET,具有通电阻(18 mΩ)和可配置的上升时间,用于限制启动时的涌入电流。该开关适用于笔记本电脑、平板电脑、工业PC及离散工业解决方案等应用。
2025-05-07 17:52:38665

TPS22999 具有有限浪涌电流的 4.5V、1.5A、7.5mΩ 通电阻快速通负载开关数据手册

TPS22999 是一款单通道负载开关,旨在实现快速通时间,同时保持浪涌电流该器件包含一个 N 沟道 MOSFET,可在 0.1 V 至 VBIAS –1.0 V 的输入电压范围内工作,并可支持 1.5 A 的最大连续电流。
2025-05-07 10:00:56537

模拟开关切换电流时遇到的问题

在做模拟开关切换电流的实验中, 使用6片ADG701组成三路切换的阵列,测量两片模拟开关之间的负载电阻电压,在上升沿或下降沿都会出现us级别的振铃或者充电的现象
2025-05-06 21:48:07

HMC547ALC3非反射式SPDT开关ADI

HMC547ALC3非反射式SPDT开关ADIHMC547ALC3通用宽带高隔离度非反射型GaAs pHEMT单刀双掷(SPDT开关,采用符合工业标准的3mm×3mm无引脚陶瓷表面贴装封装技术
2025-04-11 10:09:59

HMC347ALP3E单刀双掷SPDT射频开关ADI

HMC347ALP3E单刀双掷SPDT射频开关ADI HMC347ALP3E是Analog Devices(ADI)公司精心打造的一款宽带、高隔离度的非反射型GaAs pHEMT SPDT(单刀双掷
2025-03-14 09:45:46

ROHM推出超低通电阻和超宽SOA范围的Nch功率MOSFET

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向企业级高性能服务器和AI服务器电源,开发出实现了业界超低通电阻*1和超宽SOA范围*2的Nch功率MOSFET*3。
2025-03-13 15:08:041206

HMC270A GaAs MMIC SPDT非反射式开关DC-8 GHz技术手册

HMC270AMS8GE均为宽带非反射式GaAs SPDT开关,采用8引脚MSOP基极接地表贴塑料封装。该开关频率范围为DC至8 GHz,提供出色的70至35 dB隔离。-5 V负控制电压允许工作
2025-03-06 09:30:011040

ADRF5021 9kHz至30GHz、硅SPDT开关技术手册

ADRF5021是一款通用型单刀双掷(SPDT)开关,采用硅工艺制造。它采用3 mm × 3 mm、20引脚基板栅格阵列(LGA)封装,在9 kHz至30 GHz频率范围内提供高隔离度和插入损耗。 该宽带开关采用+3.3 V和−2.5 V双电源电压供电,提供CMOS/LVTTL逻辑兼容控制。
2025-03-05 16:14:50884

ADRF5019 100MHz至13 GHz硅SPDT非反射式开关技术手册

控制电压输入。此开关采用互补金属氧化物半导体 (CMOS) 兼容型和低电压晶体管-晶体管逻辑 (LVTTL) 兼容型控制。
2025-03-05 11:39:05891

应用于负压信号选通的高速SPDT模拟开关2

应用于负压信号选通的高速SPDT模拟开关2
2025-02-28 15:12:01630

HMC784A单刀双掷(SPDT)射频开关ADI

HMC784A是一款由ADI生产的高功率单刀双掷(SPDT)射频开关,适用于需要在高输入信号功率下实现极低失真的发射-接收应用。HMC784A宽频带控制、卓越的互调性能、插入损耗以及灵活的电源选项
2025-02-27 09:52:51

中微爱芯发布全新CB3Q系列模拟开关

中微爱芯新推出的CBTLVD系列、CBTLV系列与CB3Q系列模拟开关均是高速、低功耗信号管理的理想选择,与传统模拟开关相比,在带宽、通电阻、功耗等方面均有较大性能优势,其应用覆盖计算机、移动设备、工控设备、医疗电子等领域,尤其适合需要高速信号、信号多路复用、信号路由管理的场景。
2025-02-24 09:41:061333

惠斯通电桥与数字电阻计的比较

惠斯通电桥与数字电阻计是两种常用的电阻测量工具,它们在测量原理、精度、功能和应用场景等方面存在一定的差异。以下是对两者的比较: 一、测量原理 惠斯通电桥 : 基于电阻测量原理,通过四个电阻组成电桥
2025-02-13 15:39:281090

惠斯通电桥的电阻测量方法

QT-24型霜式电桥中的电阻箱)、直流电源、万用电表、滑线变阻器、开关等仪器齐备且功能正常。 连接电路 :按照惠斯通电桥的电路图正确连接各元件。通常,惠斯通电桥由四个电阻组成,分别为R1、R2、R3(可调电阻)和Rx(待测电阻)。这
2025-02-13 15:11:193536

通电阻骤降21%!Wolfspeed第4代SiC技术平台解析

,Wolfspeed第4代技术专为简化大功率设计中常见的开关行为和设计挑战而设计,并为 Wolfspeed 的各类产品(包括功率模块、分立元件和裸芯片产品)制定了长远的发展规划路线图。   通电阻大幅下降,开关损耗降低,安全冗余更高   Wolfspeed的第4代SiC MOSFET技术主要的提升在于三个部分,首
2025-02-13 00:21:001526

通电阻仅为3Ω!纳祥科技NX899单刀双掷开关助力高效能设备

NX899是一款先进的CMOS模拟开关,它采用硅栅CMOS技术制造,在保持CMOS低功耗的同时,实现了非常的传播延迟和通电阻模拟电压和数字电压可能在整个供电范围内(从VCC到GND)有所不同。 在性能上,NX899能国产替代SN74LVC1G3157、SGM3157。
2025-02-05 17:26:121124

纳祥科技NX440,一款单刀四掷电子开关芯片,高带宽,国产替代SGM7222U

NX440 是一款双通道阻宽带双向模拟开关芯片,包含 2 通道单刀四掷模拟开关,它具备高带宽,通电阻特性,无机械触点、使用寿命长,可以国产替代SGM7222U
2025-02-05 17:25:121155

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