RS2103低导通电阻、低电压、SPDT模拟开关
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MAX14585/MAX14585A高速USB和音频开关,可处理负信号并提供高压VBUS检测技术手册
对高性能开关所需的低导通电容(C ~ON~ )、低导通电阻(R ~ON~ ),内部负电源允许通过低于地电位至-1.8V的音频信号。器件还可处理低速/全速USB信号,工作电压为2.7V至5.5V。
2025-05-26 14:38:13
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MAX14919/MAX14919A工业保护型四通道低边开关技术手册
MAX14919/MAX14919A四通道低边开关是一款工业保护开关,每通道具有140mΩ(典型值)导通电阻(R ~ON~ ),集成±1kV/42Ω浪涌保护功能,可实现稳健运行。
2025-05-21 10:31:00
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2.3 至 4.2 GHz 120 W 高功率 SPDT 开关 skyworksinc
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2025-05-20 18:30:47

0.3 至 3.8 GHz 160 W 高功率 SPDT 开关 skyworksinc
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2025-05-20 18:30:10

MAX14918, MAX14918A SPI/并联控制四通道低侧开关,具有反向电流检测功能技术手册
MAX14918 和 MAX14918A 是四个 700mA 低侧 用于工业应用的开关。每个设备 具有四个 140mΩ(典型值)导通电阻 (R~ON)~ 开关 内置 ±1.2kV/42Ω 浪涌保护器。2 或 可以并联更多输出,以提供 更高的负载电流。
2025-05-20 15:45:13
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1556Sky5® 2.4 至 8.3 GHz SPDT 开关 skyworksinc
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2025-05-19 18:33:02

ADG3248 2.5 V/3.3 V、2:1多路复用器/解复用器总线开关技术手册
ADG3248是一款2.5 V或3.3 V、高性能2:1多路复用器/解复用器,采用低压CMOS工艺制造,具有低功耗、高开关速度和极低导通电阻特性。低导通电阻特性使输入可以与输出相连,而且不会引起额外的传播延迟或产生额外的接地反弹噪声。
2025-05-16 10:03:30
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0.1 至 6.0 GHz SPDT 开关 skyworksinc
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2025-05-13 18:30:23

TPS22934 具有输出放电的 3.6V、1A、63mΩ 负载开关数据手册
TPS22934 是一个小的低导通电阻 (r ~上~ ) 带受控导通的负载开关。这些器件包含一个 P 通道 MOSFET 可在 1.5 V 至 3.6 V 的输入电压范围内工作。
该开关由具有
2025-05-13 15:26:43
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TPS22995 具有可调上升时间的 5.5V 3.5A 20mΩ 导通电阻负载开关数据手册
TPS22995是一款单通道负载开关,集成了N-channel MOSFET,具有低导通电阻(18 mΩ)和可配置的上升时间,用于限制启动时的涌入电流。该开关适用于笔记本电脑、平板电脑、工业PC及离散工业解决方案等应用。
2025-05-07 17:52:38
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TPS22999 具有有限浪涌电流的 4.5V、1.5A、7.5mΩ 导通电阻快速导通负载开关数据手册
TPS22999 是一款单通道负载开关,旨在实现快速导通时间,同时保持低浪涌电流该器件包含一个 N 沟道 MOSFET,可在 0.1 V 至 VBIAS –1.0 V 的输入电压范围内工作,并可支持 1.5 A 的最大连续电流。
2025-05-07 10:00:56
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模拟开关切换电流时遇到的问题
在做模拟开关切换电流的实验中, 使用6片ADG701组成三路切换的阵列,测量两片模拟开关之间的负载电阻的电压,在上升沿或下降沿都会出现us级别的振铃或者充电的现象
2025-05-06 21:48:07
HMC547ALC3非反射式SPDT开关ADI
HMC547ALC3非反射式SPDT开关ADIHMC547ALC3通用宽带高隔离度非反射型GaAs pHEMT单刀双掷(SPDT)开关,采用符合工业标准的3mm×3mm无引脚陶瓷表面贴装封装技术
2025-04-11 10:09:59
HMC347ALP3E单刀双掷SPDT射频开关ADI
HMC347ALP3E单刀双掷SPDT射频开关ADI
HMC347ALP3E是Analog Devices(ADI)公司精心打造的一款宽带、高隔离度的非反射型GaAs pHEMT SPDT(单刀双掷
2025-03-14 09:45:46
ROHM推出超低导通电阻和超宽SOA范围的Nch功率MOSFET
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向企业级高性能服务器和AI服务器电源,开发出实现了业界超低导通电阻*1和超宽SOA范围*2的Nch功率MOSFET*3。
2025-03-13 15:08:04
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HMC270A GaAs MMIC SPDT非反射式开关DC-8 GHz技术手册
HMC270AMS8GE均为宽带非反射式GaAs SPDT开关,采用8引脚MSOP基极接地表贴塑料封装。该开关频率范围为DC至8 GHz,提供出色的70至35 dB隔离。-5 V负控制电压允许工作
2025-03-06 09:30:01
1040
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ADRF5021 9kHz至30GHz、硅SPDT开关技术手册
ADRF5021是一款通用型单刀双掷(SPDT)开关,采用硅工艺制造。它采用3 mm × 3 mm、20引脚基板栅格阵列(LGA)封装,在9 kHz至30 GHz频率范围内提供高隔离度和低插入损耗。
该宽带开关采用+3.3 V和−2.5 V双电源电压供电,提供CMOS/LVTTL逻辑兼容控制。
2025-03-05 16:14:50
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ADRF5019 100MHz至13 GHz硅SPDT非反射式开关技术手册
控制电压输入。此开关采用互补金属氧化物半导体 (CMOS) 兼容型和低电压晶体管-晶体管逻辑 (LVTTL) 兼容型控制。
2025-03-05 11:39:05
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HMC784A单刀双掷(SPDT)射频开关ADI
HMC784A是一款由ADI生产的高功率单刀双掷(SPDT)射频开关,适用于需要在高输入信号功率下实现极低失真的发射-接收应用。HMC784A宽频带控制、卓越的互调性能、低插入损耗以及灵活的电源选项
2025-02-27 09:52:51
中微爱芯发布全新CB3Q系列模拟开关
中微爱芯新推出的CBTLVD系列、CBTLV系列与CB3Q系列模拟开关均是高速、低功耗信号管理的理想选择,与传统模拟开关相比,在带宽、导通电阻、功耗等方面均有较大性能优势,其应用覆盖计算机、移动设备、工控设备、医疗电子等领域,尤其适合需要高速信号、信号多路复用、信号路由管理的场景。
2025-02-24 09:41:06
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惠斯通电桥与数字电阻计的比较
惠斯通电桥与数字电阻计是两种常用的电阻测量工具,它们在测量原理、精度、功能和应用场景等方面存在一定的差异。以下是对两者的比较: 一、测量原理 惠斯通电桥 : 基于电阻测量原理,通过四个电阻组成电桥
2025-02-13 15:39:28
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1090惠斯通电桥的电阻测量方法
QT-24型霜式电桥中的电阻箱)、直流电源、万用电表、滑线变阻器、开关等仪器齐备且功能正常。 连接电路 :按照惠斯通电桥的电路图正确连接各元件。通常,惠斯通电桥由四个电阻组成,分别为R1、R2、R3(可调电阻)和Rx(待测电阻)。这
2025-02-13 15:11:19
3536
3536导通电阻骤降21%!Wolfspeed第4代SiC技术平台解析
,Wolfspeed第4代技术专为简化大功率设计中常见的开关行为和设计挑战而设计,并为 Wolfspeed 的各类产品(包括功率模块、分立元件和裸芯片产品)制定了长远的发展规划路线图。 导通电阻大幅下降,开关损耗降低,安全冗余更高 Wolfspeed的第4代SiC MOSFET技术主要的提升在于三个部分,首
2025-02-13 00:21:00
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1526导通电阻仅为3Ω!纳祥科技NX899单刀双掷开关助力高效能设备
NX899是一款先进的CMOS模拟开关,它采用硅栅CMOS技术制造,在保持CMOS低功耗的同时,实现了非常低的传播延迟和低导通电阻,模拟电压和数字电压可能在整个供电范围内(从VCC到GND)有所不同。
在性能上,NX899能国产替代SN74LVC1G3157、SGM3157。
2025-02-05 17:26:12
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纳祥科技NX440,一款单刀四掷电子开关芯片,高带宽,国产替代SGM7222U
NX440 是一款双通道低阻宽带双向模拟开关芯片,包含 2 通道单刀四掷模拟开关,它具备高带宽,低导通电阻特性,无机械触点、使用寿命长,可以国产替代SGM7222U
2025-02-05 17:25:12
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