ADRF5021 9kHz至30GHz、硅SPDT开关技术手册

概述

ADRF5021是一款通用型单刀双掷(SPDT)开关，采用硅工艺制造。它采用3 mm × 3 mm、20引脚基板栅格阵列(LGA)封装，在9 kHz至30 GHz频率范围内提供高隔离度和低插入损耗。
该宽带开关采用+3.3 V和−2.5 V双电源电压供电，提供CMOS/LVTTL逻辑兼容控制。

数据表：*附件：ADRF5021 9kHz至30GHz、硅SPDT开关技术手册.pdf

应用

• 测试仪器仪表
• 微波无线电和甚小孔径终端(VSAT)
• 军用无线电、雷达、电子对抗(ECM)
• 宽带电信系统
  特性
• 超宽带频率范围：9 kHz至30 GHz
• 非反射式50 Ω设计
• 低插入损耗：2.0 dB至30 GHz
• 高隔离度：60 dB至30 GHz
• 高输入线性度
  • 1 dB功率压缩(P1dB)：28 dBm（典型值）
  • 三阶交调截点(IP3)：52 dBm（典型值）
• 高功率处理
  • 24 dBm（通过路径）
  • 24 dBm（端接路径）
• ESD灵敏度：1级、1 kV人体模型(HBM)
• 20引脚、3 mm × 3 mm基板栅格阵列封装
• 无低频杂散
• 射频(RF)建立时间（高达最终RF输出的0.1 dB）：6.2 μs

框图

引脚配置

接口示意图

图18和图19显示了评估板的俯视图和横截面图，该评估板采用4层结构，铜层厚度为0.5盎司(0.7密耳)，各铜层之间采用电介质材料。

所有RF和dc走线都布设在顶层铜层上，内层和底层是接地层，为RF传输线路提供坚实的接地。顶部介电材料是8密耳罗杰斯罗4003，提供良好的高频性能。中间和底部介电材料是FR-4型材料，以实现62密耳的总板厚。RF传输线路采用共面波导(CPWG)模型设计，宽度为14密耳，接地间距为5密耳，特性阻抗为50ω。为了实现良好的RF和热接地，尽可能多的镀通孔应布置在传输线路周围和封装裸露焊盘下方。
图20显示了实际ADRF5021评估板的元件布局。两个电源端口连接到VDD和VSS测试点，TP5和TP2，接地参考连接到TP1的GND测试点。在每条电源走线上，使用一个100 pF旁路电容，未填充的元件位置可用于施加额外的旁路电容。