MDDG03R01G低导通MOS 跨越新领域，提升同步整流、DC-DC转换效率

在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。

一、技术突破：PowerTrench工艺与屏蔽栅设计

MDDG03R01G在栅源电压 VGS = 10V、漏极电流 ID = 50A 的条件下，其最大导通电阻 RDS (on) 仅为 1.0mΩ。如此低的导通电阻，能够有效降低器件在工作过程中的功率损耗，提高系统的整体效率。

此外，该产品具备极低的反向恢复电荷Qrr，这一特性对于提高开关频率、降低开关损耗至关重要，有助于实现更高效的电源转换和更快速的信号处理。

同时，MDDG03R01G 通过了 100% UIS 测试，确保了产品的一致性和可靠性，并且完全符合RoHS 标准，满足环保要求。

二、核心性能与关键参数

1、导通与动态特性

低压驱动兼容性：在VGS=4.5V, ID=30A时最大导通电阻仍保持1.6mΩ水准，适配低压控制电路。

低栅极电荷（Qg=61nC）：减少开关损耗，支持高频应用（如400kHz LLC拓扑）。

快速开关响应：开启延迟（td(on)）仅10ns。关断延迟（td(off)）71ns

超强电流承载：300A持续电流（Tc=25℃），1200A脉冲电流，满足严苛负载需求。

2、业级可靠性

100% UIS测试：单脉冲雪崩能量EAS达到430.5mJ(VDD=24V, L=0.5mH, IAS=41.5A)时，保障感性负载安全性。

宽温工作范围：-55℃~150℃，适应极端环境。

三、电性曲线图

四、应用场景深度适配

1、专为ATX/服务器/电信电源的同步整流而生

0.75mΩ RDS(on)：其低导通电阻和高开关性能能够显著提升电源的转换效率，降低发热，延长设备的使用寿命

低Qrr特性：优化LLC谐振拓扑效率，满载效率提升1.5%

2、工业电机驱动与UPS

300A持续电流：支持伺服电机、AGV小车瞬间启停，耐受1200A脉冲冲击。

软恢复体二极管：反向恢复时间（trr）82ns，降低EMI干扰。

3、高功率DC-DC转换器

高频开关能力：开启延迟10ns，关断延迟71ns，适配Buck/Boost拓扑。实现高效的电压转换，满足不同负载对电源的需求。

PDFN5×6-8L封装：底部散热焊盘设计，通过大面积铜箔降低热阻。

四、选型推荐

除此之外，MDD新推出的低压大电流系列MOS针对不同的应用场景，推出不同的型号，以满足各行业匹配需求。

审核编辑 黄宇