扬杰科技超低导通电压桥式整流器系列的性能优势

扬杰科技超低导通电压(VF)桥式整流器系列(封装6KBJGBU/JA)采用自制的外延(EPI)+平面工艺(Planar)结构制程技术，其通过增加截止环和终端钝化层，多次的光照制程, 来实现超低导通电压(VF), 较低的高温漏电流，优良的可靠性. 适用于各种应用中的桥式整流器，进而提升整体电源效能和更稳定的可靠度。

在超低导通电压(VF)桥式整流器系列中更推出领先市场的800V产品(电流包含了15A/25A/ 35A), 其800V的反向耐压, 在雷击(Surge) 测试验证上优于同业600V产品, 超群的电性性能和稳定的可靠性, 拥有领先同业超低导通电压(VF= 0.77V@125°C),助力客户提效降耗。另外因采用外延(EPI)+平面工艺(Planar)结构制程技术, 故反向恢复QRR/IRM小，恢复特性软，EMI特性优, VF弱温度系数，较低的高温漏电流(IR= 10uA@125°C), 正反向折中特性好，即便如此严苛的应用环境下, 也能确保客户应用上的可靠性和稳定性。一般用于要求高的高功率领域。包括AI电源、 服务器电源、PC电源(80+白金/钛金PC电源)、通信电源、游戏机电源等高功率应用。

01性能优势

1LOW VF产品芯片差异对比：

采用外延(EPI)+平面工艺(Planar)结构制程技术, 超低导通电压(VF= 0.77V@125°C), 助力客户提效降耗, 反向恢复QRR/IRM小，恢复特性软，EMI特性优, 较低的高温漏电流(IR= 10uA@125°C), 一般用于要求高的高功率领域。

2电性特性差异对比：

平面工艺(Planar)结构制程技术, VF / IR 在常温和高温, 均优于常规LOW VF(GPP), 助力客户提效降耗, 确保客户应用上的可靠性和稳定性, Low Trr,故反向恢复QRR/IRM小，恢复特性软，EMI特性优。

3温升特性差异对比：

平面工艺(Planar)结构制程技术的桥堆在相同应用条件下, 温升优于常规LOW VF(GPP)将近10度, 提升客户应用上的可靠性和稳定性及寿命。

02整机实测表现

测试机种 : 整机验证

型号：600W

输入：100~240VAC/50~60Hz

输出：DC 12V/50A

AC Source：IT7624

DC Load：IT8512

Temperature tester：TP9000

Ta=25℃

平面工艺(Planar)结构制程技术, VF / IR 在常温和高温, 均优于常规VF(GPP), 助力客户提效降耗. GBJU2508 耐压800V产品, 在雷击(Surge) 测试验证上优于600V产品。

平面工艺(Planar)结构制程技术, 在超低导通电压(VF)下, 效率均优于常规VF(GPP). 助力客户提效降耗,协助客户在高功率领域的应用。

Input：AC 100V 60Hz

Output：DC 11.88V 16~50A Ta=25℃

平面工艺(Planar)结构制程技术的桥堆在整机条件下, 温升优于常规 VF(GPP)将近10度, 提升客户应用上的可靠性和稳定性及寿命。

Input：AC 100V 60Hz

Output：DC 11.88V 16~50A Ta=25℃

结语

综上，扬杰科技600V/800V超低导通电压桥式整流器系列，凭借外延+平面工艺的创新制程，在导通电压、反向耐压、漏电性能等方面表现卓越，以超低损耗、高可靠性的优势，为AI电源、服务器电源等高端功率领域的能效提升与稳定运行提供强力支撑，彰显出其在功率器件领域的技术领先性与市场竞争力。