TPS22999 具有有限浪涌电流的 4.5V、1.5A、7.5mΩ 导通电阻快速导通负载开关数据手册

TPS22999 是一款单通道负载开关，旨在实现快速导通时间，同时保持低浪涌电流该器件包含一个 N 沟道 MOSFET，可在 0.1 V 至 VBIAS –1.0 V 的输入电压范围内工作，并可支持 1.5 A 的最大连续电流。
*附件：tps22999.pdf

该开关由使能引脚 （EN） 控制，该引脚能够直接与低压 GPIO 信号 （VIH = 0.8 V） 连接。当开关关闭时，TPS22999 器件具有集成的 5.3 Ω 快速输出放电路径，以实现可靠的系统运行。器件上有一个电源正常 （PG） 信号，指示主 MOSFET 何时完全建立到最低电阻路径，可用于启用下游负载。集成热关断功能可确保在高温环境中提供保护。

TPS22999 采用 0.35 mm 间距、8 引脚 WCSP 封装 （YCH），可在 –40°C 至 +105°C 的自然空气温度范围内工作。

特性

• 输入工作电压范围 （VIN）：0.1 V – 4.5 V
• 偏置电压范围：2.3 V – 5.5 V
• 最大持续电流：1.5 A
• 导通电阻 （RON）：7.5 mΩ（典型值）
• 稳压浪涌电流
• 集成快速输出放电：5.3 Ω
• 开漏电源正常 （PG） 信号
• 导通时间：< 200 μs（VIN = 1.0 V时）
• 热关断
• VBIAS 欠压锁定 （UVLO）
• 低功耗：
  • 导通状态 （IQ）：10 μA（典型值）
  • 关闭状态 （ISD）：2.7 μA（典型值）
• 智能 EN 引脚下拉 （RPD，EN）
  • EN ≥ VIH （ION）：25 nA（典型值）
  • EN ≤ VIL （RPD，ON）：500 kΩ（典型值）

参数

方框图

1. 产品概述

TPS22999 是一款单通道负载开关，设计用于在保持低涌流的同时实现快速导通时间。该设备包含一个 N 沟道 MOSFET，能够在 0.1V 至 V_BIAS - 1.0V 的输入电压范围内工作，并支持最大 1.5A 的连续电流。TPS22999 适用于可穿戴设备、固态驱动器、PC 和笔记本电脑、工业 PC 以及光学模块等应用。

2. 关键特性

• ‌低导通电阻‌：典型值为 7.5mΩ，有助于减少功耗。
• ‌快速导通时间‌：< 200μs（在 V_IN = 1.0V 时）。
• ‌调节涌流‌：内置涌流调节功能，保护电路免受启动时的浪涌电流冲击。
• ‌集成快速输出放电‌：具有 5.3Ω 的快速输出放电电阻，便于系统可靠关断。
• ‌电源良好（PG）信号‌：指示 MOSFET 是否已完全导通并达到最低电阻路径。
• ‌热关断保护‌：防止设备在高温环境下损坏。
• ‌低功耗‌：ON 状态下的典型静态电流为 10μA，OFF 状态下的典型关断电流为 2.7μA。

3. 电气规格

• ‌输入操作电压范围‌：0.1V 至 4.5V
• ‌偏置电压范围‌：2.3V 至 5.5V
• ‌最大连续电流‌：1.5A
• ‌ 导通电阻（R_ON） ‌：典型值为 7.5mΩ（在不同 V_IN 下有所变化）
• ‌涌流调节‌：典型值为 1.0A（在 C_L = 60μF，V_IN ≤ 1V 时）
• ‌热关断温度‌：-116°C 至 146°C（典型值）

4. 功能描述

• ‌ON/OFF 控制‌：通过 EN 引脚控制开关状态，兼容低电压 GPIO 信号。
• ‌涌流调节‌：在导通时调节涌流，防止输入电压供应下降，影响其他电路。
• ‌快速输出放电‌：当开关关闭时，通过内置电阻快速放电输出电容。
• ‌电源良好（PG）信号‌：当 MOSFET 完全导通且导通电阻达到最终值时，PG 信号变为低电平。
• ‌智能 EN 引脚下拉‌：在 EN 引脚未驱动时，通过智能下拉电阻减少功耗。

5. 封装与尺寸

• ‌封装类型‌：8 引脚 WCSP（YCH）封装，尺寸为 1.4mm × 0.7mm，引脚间距为 0.35mm。

6. 应用领域

• 可穿戴设备
• 固态驱动器
• PC 和笔记本电脑
• 工业 PC
• 光学模块

7. 文档与支持

• 提供详细的数据手册，包括规格、应用信息、布局指南等。
• 可通过 TI 的 E2E™ 支持论坛获取设计帮助和快速验证答案。