引言 氢氧化钾(KOH)是一种用于各向异性湿法蚀刻技术的碱金属氢氧化物，是用于硅晶片微加工的最常用的硅蚀刻化学物质之一。各向异性蚀刻优先侵蚀衬底。也就是说，它们在某些方向上的蚀刻速度比在其
2022-07-14 16:06:06
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什么速度发展还无法准确预测。需要注意的是，未来十年里在美国上路的轻型客运车辆中15%都是电动汽车。随着这个数字的增加和车辆上越来越多的应用需要高压开关，SiC晶圆制造商如位于美国达勒姆市的科锐（Cree
2019-05-12 23:04:07
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:59 编辑
3.晶圆的处理—微影成像与蚀刻
2012-08-01 23:27:35
SiC SBD 晶圆级测试 求助：需要测试的参数和测试方法谢谢
2020-08-24 13:03:34
单晶的晶圆制造步骤是什么？
2021-06-08 06:58:26
晶圆切割主要采用金刚石砂轮刀片即轮毂型硬刀，半导体从业者不断寻求能提高加工质量和加工效率的方法，以达到更低的加工成本。本文将分享从切割现场积累的经验供半导体从业者参考。
2021-08-17 17:32:26
），之后再将其送至晶圆切割机加以切割。切割完后，一颗颗的晶粒会井然有序的排列黏贴在胶带上，同时由于框架的支撑可避免晶粒因胶带皱褶而产生碰撞，而有利于搬运过程。此实验有助于了解切割机的构造、用途与正确之
2011-12-02 14:23:11
`晶圆制造总的工艺流程芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序（Wafer Fabrication）、晶圆针测工序（Wafer Probe）、构装工序（Packaging）、测试工序（Initial
2011-12-01 15:43:10
架上，放入充满氮气的密封小盒内以免在运输过程中被氧化或沾污十、发往封测Die（裸片）经过封测，就成了我们电子数码产品上的芯片。晶圆的制造在半导体领域，科技含量相当的高，技术工艺要求非常高。而我国半导体
2019-09-17 09:05:06
圆尺寸是在半导体生产过程中硅晶圆使用的直径值。总的来说，一套特定的硅晶圆生产设备所能生产的硅晶圆尺寸是固定，因为对原设备进行改造来生产新尺寸的硅晶圆而花费资金是相当惊人的，这些费用几乎可以建造一个
2011-12-01 16:16:40
晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品。晶圆的原始材料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅
2011-12-01 14:53:05
图为一种典型的晶圆级封装结构示意图。晶圆上的器件通过晶圆键合一次完成封装，故而可以有效减小封装过程中对器件造成的损坏。 图1 晶圆级封装工艺过程示意图 1 晶圆封装的优点 1）封装加工
2021-02-23 16:35:18
`美国Tekscan公司研发的I-SCAN系统可以解决晶圆制作过程中抛光头与晶圆接触表面压力分布不均匀，导致高不良率出现的问题。在实验过程中只需要将目前世界上最薄的压力传感器（0.1mm)放置于抛光
2013-12-04 15:28:47
晶圆的制造过程是怎样的？
2021-06-18 07:55:24
` 硅是由石英沙所精练出来的，晶圆便是硅元素加以纯化（99.999%），接着是将些纯硅制成硅晶棒，成为制造积体电路的石英半导体的材料，经过照相制版，研磨，抛光，切片等程序，将多晶硅融解拉出单晶硅晶棒
2011-09-07 10:42:07
不良品，则点上一点红墨水，作为识别之用。除此之外，另一个目的是测试产品的良率，依良率的高低来判断晶圆制造的过程是否有误。良品率高时表示晶圆制造过程一切正常， 若良品率过低，表示在晶圆制造的过程中，有
2020-05-11 14:35:33
湿法蚀刻工艺的原理是使用化学溶液将固体材料转化为液体化合物。选择性非常高，因为所用化学药品可以非常精确地适应各个薄膜。对于大多数解决方案，选择性大于100：1。
2021-01-08 10:12:57
我司是做湿法蚀刻药水的，所以在湿法这块有很多年的研究。所以有遇到湿法蚀刻问题欢迎提问，很愿意为大家解答。谢谢！QQ：278116740
2017-05-08 09:58:09
为了在基板上形成功能性的MEMS结构，必须蚀刻先前沉积的薄膜和/或基板本身。通常，蚀刻过程分为两类：浸入化学溶液后材料溶解的湿法蚀刻干蚀刻，其中使用反应性离子或气相蚀刻剂溅射或溶解材料在下文中，我们将简要讨论最流行的湿法和干法蚀刻技术。
2021-01-09 10:17:20
在PCBA加工过程中基板可能产生的问题主要有以下三点：
2019-09-11 11:52:23
请问给位高手，我是刚学Allegro，在走线过程中走线是方头而且在转角处有"断开”的样子，但是走好线之后显示是圆头而且没有断开的样子，怎么设置可以在走线过程中也是圆头而且没有断处，我用的版本是16.3，希望各位高手不吝赐教，谢谢！
2011-12-26 14:04:21
氧化物）中的高质量电介质。此外，在加工过程中，热生长的氧化物可用作注入、扩散和蚀刻掩模。硅作为微电子材料的优势可归因于这种高质量原生氧化物的存在以及由此产生的接近理想的硅/氧化物界面。湿法蚀刻包括
2021-07-06 09:32:40
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：DI-O3水在晶圆表面制备中的应用编号：JFSJ-21-034作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要
2021-07-06 09:36:27
。 湿法腐蚀 SIC：由于其硬度(H=9+)，碳化硅是金属、金属部件和半导体晶片最广泛使用的研磨和抛光磨料之一。然而，这种特性使得在典型的酸或碱溶液中很难蚀刻。在室温下，碳化硅以单晶的形式不会受到单一
2021-10-14 11:48:31
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：光刻前 GaAs 表面处理以改善湿化学蚀刻过程中的光刻胶附着力和改善湿蚀刻轮廓[/td][td]编号：JFSJ-21-0作者：炬丰科技网址：http
2021-07-06 09:39:22
`书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：在硅上生长的 InGaN 基激光二极管的腔镜的晶圆制造编号：JFSJ-21-034作者：炬丰科技 摘要：在硅 (Si) 上生长的直接带隙 III-V
2021-07-09 10:21:36
生产过程中的一个很特殊的方面。从理论上讲，印制电路进入到蚀刻阶段后，在图形电镀法加工印制电路的工艺中，理想状态应该是:电镀后的铜和锡或铜和铅锡的厚度总和不应超过耐电镀感光膜的厚度,使电镀图形完全被膜两侧
2018-04-05 19:27:39
历一系列的步骤。第一步是用锯子截掉头尾。在晶体生长过程中，整个晶体长度中直径是有偏差的。晶圆制造过程有各种各样的晶圆固定器和自动设备，需要严格的直径控制以减少晶圆翘曲和破碎。直径滚磨是在一个无中心的滚磨机上
2018-07-04 16:46:41
纳米到底有多细微？什么晶圆？如何制造单晶的晶圆？
2021-06-08 07:06:42
` 晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品。晶圆的原始材料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅
2011-12-01 11:40:04
的晶粒时，标有记号的不合格晶粒会被洮汰，不再进行下一个制程，以免徒增制造成本。在晶圆制造完成之后，晶圆测试是一步非常重要的测试。这步测试是晶圆生产过程的成绩单。在测试过程中，每一个芯片的电性能力和电路
2011-12-01 13:54:00
半导体晶圆（晶片）的直径为4到10英寸（10.16到25.4厘米）的圆盘，在制造过程中可承载非本征半导体。它们是正（P）型半导体或负（N）型半导体的临时形式。硅晶片是非常常见的半导体晶片，因为硅
2021-07-23 08:11:27
本人做硅片，晶圆加工十三年，想做半导体行业的晶圆加工，不知道有没有合适的工作？
2018-04-03 16:09:21
、划片后清洗设备、硅片清洗腐蚀台、晶圆湿法刻蚀机、湿台、台面腐蚀机、显影机、晶片清洗机、炉前清洗机、硅片腐蚀机、全自动动清洗台、兆声波清洗机、片盒清洗设备、理片机、装片机、工作台、单晶圆通风柜、倒片器
2011-04-13 13:23:10
今日分享晶圆制造过程中的工艺及运用到的半导体设备。晶圆制造过程中有几大重要的步骤：氧化、沉积、光刻、刻蚀、离子注入/扩散等。这几个主要步骤都需要若干种半导体设备，满足不同的需要。设备中应用较为广泛
2018-10-15 15:11:22
摘要：在印制电路制作过程中，蚀刻是决定电路板最终性能的最重要步骤之一。所以，研究印制电路的蚀刻过程具有很强的指导意义，特别是对于精细线路。本文将在一定假设的基础上建立模型，并以流体力学为理论基础
2018-09-10 15:56:56
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-7 16:48 编辑
印制电路板蚀刻过程中的问题蚀刻是印制电路板制作工业中重要的一步。它看上去简单，但实际上，如果在蚀刻阶段出现问题将会影响板
2013-09-11 10:58:51
***求购废硅片、碎硅片、废晶圆、IC蓝膜片、头尾料 大量收购单晶硅~多晶硅各种废硅片，头尾料，边皮料，IC碎硅片，...
2010-10-31 14:01:11
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2010-10-31 14:00:00
as area cleanliness.加工测试晶圆片 - 用于区域清洁过程中的晶圆片。Profilometer - A tool that is used for measuring surface
2011-12-01 14:20:47
TEL:***回收抛光片、光刻片、晶圆片碎片、小方片、牙签料、蓝膜片回收晶圆片硅片回收/废硅片回收/单晶硅片回收/多晶硅片回收/回收太阳能电池片/半导休硅片回收
2011-04-15 18:24:29
，对原材料实行进料检验。 可能的原因： 爆破孔或冷焊点是在锡焊操作后看到的。在许多情况中，镀铜不良，接着在锡焊操作过程中发生膨胀，使得金属化孔壁上产生空穴或爆破孔。如果这是在湿法加工工艺过程中
2023-04-06 15:43:44
是什么推动着高精度模拟芯片设计？如何利用专用晶圆加工工艺实现高性能模拟IC？
2021-04-07 06:38:35
使用等离子清洗技术清洗晶圆去除晶圆表面的有机污染物等杂质，但是同时在等离子产生过程中电极会出现金属离子析出，如果金属离子附着在晶圆表面也会对晶圆造成损伤，如果在使用等离子清洗技术清洗晶圆如何规避电极产生的金属离子？
2021-06-08 16:45:05
在厚铜PCB加工过程中，可能会出现开路或短路的问题，导致电路板无法正常工作，如何解决厚铜PCB加工过程中的开路或短路问题？
2023-04-11 14:33:10
。如果晶圆边缘不好，如有崩边、或边缘没有被倒角，升温和降温的过程中，晶圆的内应力得不到均匀的释放。在高温中晶圆非常容易碎裂或变形，最终使产品报废，造成较大的损失。由于晶圆边缘不好，掉下来的晶渣，如果粘在硅
2019-09-17 16:41:44
PCBA加工过程中的静电防护冷知识在PCBA加工过程中，操作人员都会严格按照加工要求进行插装或贴装元件，但是电子元器件往往在不注意的情况下，总会或多或少地产生静电，这些静电会在放电时放出电磁脉冲
2019-12-25 16:27:30
``揭秘切割晶圆过程——晶圆就是这样切割而成芯片就是由这些晶圆切割而成。但是究竟“晶圆”长什么样子，切割晶圆又是怎么一回事，切割之后的芯片有哪些具体应用，这些可能对于大多数非专业人士来说并不是十分
2011-12-01 15:02:42
最近发到北方的产品无法正常工作，发回来查到可能是由于低温环境下无源晶振失效的原因。但是产品放在低温箱内-30度和-40度恒温测试都没有发现失效现象。冷冻后把产品拿出冷冻箱逐渐升温过程中反复测试，发现
2014-12-17 12:56:05
在机械加工工艺过程中，热处理工序的位置如何安排? 在适当的时机在机械加工过程中插入热处理,可使冷,热工序配合得更好,避免因热处理带来的变形. 热处理的安排，根据热处理的目的,一般可分为: 1
2018-04-02 09:38:25
模胚加工的整个过程中对模具的要求：1．模胚成型零件的日渐大型化和零件的高生产率要求一模多腔，致使模具日趋大型化，大吨位的大型模具可达100吨，一模几百腔、上千腔，要求模胚全加工大工作台、加大y轴z轴
2023-03-28 11:13:53
求晶圆划片或晶圆分捡装盒合作加工厂联系方式：QQ:2691003439
2019-03-13 22:23:17
湿蚀刻是光刻之后的微细加工过程，该过程中使用化学物质去除晶圆层。晶圆，也称为基板，通常是平面表面，其中添加了薄薄的材料层，以用作电子和微流体设备的基础；最常见的晶圆是由硅或玻璃制成的。湿法刻蚀
2021-01-08 10:15:01
激光用于晶圆划片的技术与工艺 激光加工为无接触加工，激光能量通过聚焦后获得高能量密度，直接将硅片
2010-01-13 17:01:57
`高低温湿热试验箱属于一款精密仪器，在出现故障的过程中，用户不知道出现的原因，也不知道要怎么来解决，瑞凯小编挑选了3个用户在使用过程中出现故障最频繁的来进行详细的解说。一、高低温湿热试验箱门封条要
2018-03-19 10:34:41
，12寸晶圆有较高的产能。当然，生产晶圆的过程当中，良品率是很重要的条件。晶圆是指硅半导体积体电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电
2011-12-02 14:30:44
` 集成电路按生产过程分类可归纳为前道测试和后到测试；集成电路测试技术员必须了解并熟悉测试对象—硅晶圆。测试技术员应该了解硅片的几何尺寸形状、加工工艺流程、主要质量指标和基本检测方法；集成电路晶圆测试基础教程ppt[hide][/hide]`
2011-12-02 10:20:54
预防印制电路板在加工过程中产生翘曲的方法1、防止由于库存方式不当造成或加大基板翘曲 （1）由于覆铜板在存放过程中，因为吸湿会加大翘曲，单面覆铜板的吸湿面积很大，如果库存环境湿度较高，单面覆铜板将会
2013-03-11 10:48:04
晶圆测温系统tc wafer晶圆表面温度均匀性测温晶圆表面温度均匀性测试的重要性及方法 在半导体制造过程中，晶圆的表面温度均匀性是一个重要的参数
2023-12-04 11:36:42
综述了半导体材料SiC抛光技术的发展,介绍了SiC单晶片CMP技术的研究现状, 分析了CMP的原理和工艺参数对抛光的影响,指出了SiC单晶片CMP急待解决的技术和理论问题,并对其发展方
2010-10-21 15:51:21
0 在喷淋蚀刻过程中，蚀刻液是通过蚀刻机上的喷头，在一定压力下均匀地喷淋到印制电路板上的。蚀刻液到达印制板之后进入干镆之间的凹槽内并与凹槽内露出的铜发生化学反应。
2020-04-08 14:53:253295 
和晶格完善性。一个正六边形的蚀刻坑密度约为4000厘米在AlN的铝表面上观察文章全部详情：壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁到单晶。 EPD沿纤锌矿结构滑移方向呈线阵分布，表明其规模相当大晶体在生长过程中所产生的热应力。 XRD全宽半最大值(FWHM)晶体为35弧秒，表明晶格
2023-04-23 11:15:00118 湿法蚀刻工艺已经广泛用于生产各种应用的微元件。这些过程简单易操作。选择合适的化学溶液(即蚀刻剂)是湿法蚀刻工艺中最重要的因素。它影响蚀刻速率和表面光洁度。铜及其合金是各种工业，特别是电子工业的重要
2022-01-20 16:02:241860 
本文探讨了紫外辐照对生长在蓝宝石衬底上的非有意掺杂n型氮化镓(GaN)层的湿法化学刻蚀的影响。实验过程中，我们发现氮化镓的蚀刻发生在pH值分别为2-1和11-15的磷酸水溶液和氢氧化钾溶液中。在稀释
2022-01-24 16:30:31948 
蚀刻或离子注入，会导致高达10i2-1013 atom/em2的金属污染。湿法工艺对于去除干法加工过程中引入的这些：金属杂质变得越来越重要。
2022-02-10 15:49:18537 
摘要 在湿法工艺实施中使用单晶片处理器是先进半导体制造的一种趋势，因为它具有无污染、灵活的工艺控制以及在不损坏图案的情况下提高颗粒去除效率的优点。然而，在氮化硅去除过程中，不仅磷酸消耗的成本
2022-02-15 16:38:571654 
第三族氮化物已成为短波长发射器、高温微波晶体管、光电探测器和场发射尖端的通用半导体。这些材料的加工非常重要，因为它们具有异常高的键能。综述了近年来针对这些材料发展起来的湿法刻蚀方法。提出了通过
2022-02-23 16:20:242208 
摘要 低氧含量的湿法加工可能会提供一些优势，但是，完全控制在晶圆加工过程中避免吸氧仍然是单个晶圆工具上的短流程工业化的挑战。在线氧浓度监测用于工艺优化。然后，根据记录的氧浓度和处理室中气氛控制的硬件
2022-03-02 13:59:57313 
摘要 采用湿法腐蚀、x射线衍射(XRD)和红外吸收等方法研究了物理气相色谱法(PVT)生长AlN(0001)单晶的缺陷和晶格完善性。 一个正六边形的蚀刻坑密度(EPD)约为4000厘米在AlN
2022-03-14 14:40:34286 
微加工过程中有很多加工步骤。蚀刻是微制造过程中的一个重要步骤。术语蚀刻指的是在制造时从晶片表面去除层。这是一个非常重要的过程，每个晶片都要经历许多蚀刻过程。用于保护晶片免受蚀刻剂影响的材料被称为掩模
2022-03-16 16:31:581134 
的各向同性湿法蚀刻条件相比，由于非常高的各向异性，反应离子蚀刻工艺能够实现更好的蚀刻尺寸控制。尽管如此，当使用敏感材料(即栅极氧化物[1])或当尺寸放宽时，使用光敏抗蚀剂的湿法图案化仍然是参考工艺。本文研究了整个湿法腐蚀过程中抗蚀剂保护的完整性。给出了确保这种保护的一些提示，以及评估这种保护的相关新方法。
2022-04-06 13:29:19666 
关于在进行这种湿法或干法蚀刻过程中重要的表面反应机制，以Si为例，以基础现象为中心进行解说。蚀刻不仅是在基板上形成的薄膜材料的微细加工、厚膜材料的三维加工和基板贯通加工，而且是通过研磨和研磨等机械
2022-04-06 13:31:254183 
，并添加化学物质来调整粘度和单晶圆旋转加工的表面润湿性。 当硅被蚀刻并并入蚀刻溶液时，蚀刻速率将随时间而降低。 这种变化已经建模。 这些模型可以延长时间，补充化学物质，或者两者兼而有之。
2022-04-07 14:46:33751 
在超大规模集成(ULSI)制造的真实生产线中，器件加工过程中存在各种污染物。由于超大规模集成电路器件工艺需要非常干净的表面，因此必须通过清洁技术去除污染物，例如使用批量浸渍工具进行湿法清洁批量旋转
2022-04-08 14:48:32585 
引言 硅晶圆作为硅半导体制造的基础材料，是极其重要的，将作为铸锭成长的硅单晶加工成晶圆阶段的切断、研磨、研磨中，晶圆表面会产生加工变质层。为了去除该加工变质层，进行化学蚀刻，在硅晶片的制造工序
2022-04-08 17:02:101679 
硅晶圆作为硅半导体制造的基础材料，是极其重要的，将作为铸锭成长的硅单晶加工成晶圆阶段的切断、研磨、研磨中，晶圆表面会产生加工变质层。为了去除该加工变质层，进行化学蚀刻，在硅晶片的制造工序中，使共有
2022-04-12 15:28:16943 
微加工过程中有很多加工步骤。蚀刻是微制造过程中的一个重要步骤。术语蚀刻指的是在制造时从晶片表面去除层。这是一个非常重要的过程，每个晶片都要经历许多蚀刻过程。用于保护晶片免受蚀刻剂影响的材料被称为掩模
2022-04-20 16:11:571972 
的各向同性湿法蚀刻条件相比，由于非常高的各向异性，反应离子蚀刻工艺能够实现更好的蚀刻尺寸控制。尽管如此，当使用敏感材料(即栅极氧化物[1])或当尺寸放宽时，使用光敏抗蚀剂的湿法图案化仍然是参考工艺。本文研究了整个湿法腐蚀过程中抗蚀剂保护的完整性。给出了确保这种保护的一些提示，以及评估这种保护的相关新方法。
2022-04-22 14:04:19591 
本次在补救InGaP/GaAs NPN HBT的喷雾湿法化学腐蚀过程中光刻胶粘附失效的几个实验的结果。确定了可能影响粘附力的几个因素，并使用实验设计(DOE)方法来研究所选因素的影响和相互作用。确定
2022-05-10 15:58:32504 
本文提出了基于溅射Ti/Pt/Cr和Cr/Pt/Cr金属多层膜在热王水中湿法腐蚀Pt薄膜的简单制备方案，铬(Cr)或钛(Ti)用作铂的粘附层，Cr在Pt蚀刻过程中被用作硬掩模层，因为它可以容易
2022-05-30 15:29:152171 
在半导体芯片的物理和故障分析过程中(即验证实际沉积的层，与导致电路故障的原因)，为了评估复杂的半导体结构，拥有适当的处理工具至关重要。为制造的每件产品开发了去加工技术，涉及多步pfo程序，揭示芯片
2022-06-20 16:38:205220 
本文报道了InGaP/GaAsNPNHBTs在喷雾湿化学蚀刻过程中修复光刻胶粘附失败的实验结果。我们确定了几个可能影响粘附性的因素，并采用实验设计(DOE)方法研究了所选因素的影响和相互作用。最显著
2022-06-29 11:34:590 中以及在非酸性乙酰丙酮中容易被蚀刻，但是III族氮化物和SiC非常难以湿法蚀刻，并且通常使用干法蚀刻。已经研究了用于GaN和SiC的各种蚀刻剂，包括含水无机酸和碱溶液，以及熔融盐。湿法蚀刻对宽带隙半导体技术具有多种应用，包括缺陷装饰、通过产生特征凹坑或小丘来识
2022-07-06 16:00:211642 
本文介绍了我们华林科纳在半导体制造过程中进行的湿法蚀刻过程和使用的药液，在晶圆表面，为了形成LSI布线，现在几乎所有的半导体器件都使用干蚀刻方式，这是因为干法蚀刻与湿法蚀刻相比，各向异性较好，对于形成细微的布线是有利的。
2022-07-06 16:50:321538 
在半导体湿法蚀刻中， 热磷酸广泛地用于对氮化硅的去除工艺， 实践中发现温下磷酸对氮化硅蚀刻率很难控制。 从热磷酸在氮化硅湿法蚀刻中的蚀刻原理出发， 我们华林科纳分析了影响蚀刻率的各个因素， 并通过
2022-08-30 16:41:592993 
蚀刻不是像沉积或键合那样的“加”过程，而是“减”过程。另外，根据刮削方式的不同，分为两大类，分别称为“湿法蚀刻”和“干法蚀刻”。简单来说，前者是熔法，后者是挖法。
2023-01-29 09:39:003850 引言 硅片在大口径化的同时，要求规格的严格化迅速发展。特别是由于平坦度要求变得极其严格，因此超精密磨削技术得以开发，实现了无蚀刻化，无抛光化。虽然在单晶SiC晶片上晶片磨削技术的开发也在进行，但在
2023-02-20 16:00:340 干法蚀刻与湿法蚀刻之间的争论是微电子制造商在项目开始时必须解决的首要问题之一。必须考虑许多因素来决定应在晶圆上使用哪种类型的蚀刻剂来制作电子芯片，是液体（湿法蚀刻）还是气体（干法蚀刻）
2023-04-12 14:54:331004 蚀刻是微结构制造中采用的主要工艺之一。它分为两类：湿法蚀刻和干法蚀刻，湿法蚀刻进一步细分为两部分，即各向异性和各向同性蚀刻。硅湿法各向异性蚀刻广泛用于制造微机电系统(MEMS)的硅体微加工和太阳能电池应用的表面纹理化。
2023-05-18 09:13:12700 
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