晶圆湿法刻蚀技术作为半导体制造中的重要工艺手段,具有以下显著优点:高选择性与精准保护通过选用特定的化学试剂和控制反应条件,湿法
发表于 10-27 11:20
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引言 晶圆湿法刻蚀工艺通过化学溶液对材料进行各向同性或选择性腐蚀,广泛应用于硅衬底减薄、氧化层开窗、浅沟槽隔离等工艺,其刻蚀深度均匀性、表面
发表于 09-26 16:48
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晶圆清洗工艺是半导体制造中的关键步骤,用于去除晶圆表面的污染物(如颗粒、有机物、金属离子和氧化物),确保后续工艺(如光刻、沉积、刻蚀)的良率
发表于 07-23 14:32
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湿法刻蚀作为半导体制造领域的元老级技术,其发展历程与集成电路的微型化进程紧密交织。尽管在先进制程中因线宽控制瓶颈逐步被干法工艺取代,但凭借独特的工艺优势,湿法刻蚀仍在特定场景中占据不可
发表于 05-28 16:42
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摘要:本文针对湿法腐蚀工艺后晶圆总厚度偏差(TTV)的管控问题,探讨从工艺参数优化、设备改进及检测反馈机制完善等方面入手,提出一系列优化方法,以有效降低湿法腐蚀后
发表于 05-22 10:05
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晶圆湿法清洗工作台是一个复杂的工艺,那我们下面就来看看具体的工艺流程。不得不说的是,既然是复杂的工艺每个流程都很重要,为此我们需要仔细谨慎,这样才能获得最高品质的产品或者达到最佳效果。 晶
发表于 04-01 11:16
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在芯片制造的精密工艺中,华林科纳湿法刻蚀(Wet Etching)如同一把精妙的雕刻刀,以化学的魔力在晶圆这张洁白的画布上,雕琢出微观世界的奇迹。它是芯片制造中不可或缺的一环,以其高效
发表于 03-12 13:59
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等离子体刻蚀和湿法刻蚀是集成电路制造过程中常用的两种刻蚀方法,虽然它们都可以用来去除晶圆表面的材
发表于 01-02 14:03
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半导体湿法刻蚀残留物的原理涉及化学反应、表面反应、侧壁保护等多个方面。 以下是对半导体湿法刻蚀残留物原理的详细阐述: 化学反应 刻蚀剂与材料
发表于 01-02 13:49
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芯片湿法刻蚀方法主要包括各向同性刻蚀和各向异性刻蚀。为了让大家更好了解这两种方法,我们下面准备了详细的介绍,大家可以一起来看看。 各向同性刻蚀
发表于 12-26 13:09
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大家知道芯片是一个要求极其严格的东西,为此我们生产中想尽办法想要让它减少污染,更加彻底去除污染物。那么,今天来说说,大家知道芯片湿法刻蚀残留物到底用什么方法去除的呢? 芯片湿法刻蚀残留
发表于 12-26 11:55
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提高湿法刻蚀的选择比,是半导体制造过程中优化工艺、提升产品性能的关键步骤。选择比指的是在刻蚀过程中,目标材料与非目标材料的刻蚀速率之比。一个高的选择比意味着可以更精确地控制
发表于 12-25 10:22
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在芯片制造过程中的各工艺站点,有很多不同的工艺名称用于除去晶圆上多余材料,如“清洗”、“刻蚀”、“研磨”等。如果说“清洗”工艺是把晶圆上多余
发表于 12-16 15:03
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说到湿法刻蚀了,这个是专业的技术。我们也得用专业的内容才能给大家讲解。听到这个工艺的话,最专业的一定就是讲述湿法刻蚀步骤。你知道其中都有哪些步骤吗?如果想要了解,今天是一个不错的机会,
发表于 12-13 14:08
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其实在半导体湿法刻蚀整个设备中有一个比较重要部件,或许你是专业的,第一反应就是它。没错,加热器!但是也有不少刚入行,或者了解不深的人好奇,半导体湿法刻蚀设备加热器的作用是什么呢? 没错
发表于 12-13 14:00
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