摘要
研究了在半导体制造过程中使用的酸和碱溶液从硅片表面去除粒子。结果表明,碱性溶液的颗粒去除效率优于酸性溶液。在碱性溶液中,颗粒去除的机理已被证实如下:溶液腐蚀晶圆表面以剥离颗粒,然后颗粒被电排斥到晶圆表面。实验结果表明,需要0.25 nm /min以上的刻蚀速率才能使吸附在晶圆表面的颗粒脱落。
介绍
由于半导体器件正在追求更高水平的集成度和更高分辨率的模式,ET清洁技术对于重新移动硅片表面的污染物仍然至关重要。在1970年提出的RCA清洗工艺作为一种湿式清洗技术在世界各地仍在使用,以去除晶圆表面的污染物。虽然RCA净化过程中,NH4OH-H2O2-H2O溶液对颗粒的去除效果非常好,但其颗粒去除机理尚不完全清楚。
实验
采用五英寸CZ(1,0,0)晶片进行粒子吸附实验。天然氧化物首先在0.5%的HF溶液中从晶圆表面去除。然后将晶片浸泡在含有颗粒的各种溶液中10分钟,然后冲洗和干燥。天然氧化物在晶圆表面形成后,再在0.5%的HF溶液中移动,然后清洗和干燥。
审核编辑:汤梓红
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