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电子发烧友网>今日头条>单片湿法刻蚀—《华林科纳-半导体工艺》

单片湿法刻蚀—《华林科纳-半导体工艺》

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学习电子知识发布于 2023-05-28 19:33:57

石墨烯/硅异质结光电探测器的制备工艺与其伏安特性的关系

通过湿法转移二维材料与半导体衬底形成异质结是一种常见的制备异质结光电探测器的方法。在湿法转移制备异质结的过程中,不同的制备工艺细节对二维材料与半导体形成的异质结的性能有显著影响。
2023-05-26 10:57:21508

半导体工艺与制造装备技术发展趋势

摘 要:针对半导体工艺与制造装备的发展趋势进行了综述和展望。首先从支撑电子信息技术发展的角度,分析半导体工艺与制造装备的总体发展趋势,重点介绍集成电路工艺设备、分立器件工艺设备等细分领域的技术发展态势和主要技术挑战。
2023-05-23 15:23:47974

SiC赋能更为智能的半导体制造/工艺电源

半导体器件的制造流程包含数个截然不同的精密步骤。无论是前道工艺还是后道工艺半导体制造设备的电源都非常重要。
2023-05-19 15:39:04478

半导体工艺之气相外延介绍

半导体科学技术的发展中,气相外延发挥了重要作用,该技术已广泛用于Si半导体器件和集成电路的工业化生产。
2023-05-19 09:06:462464

半导体图案化工艺流程之刻蚀简析

图案化工艺包括曝光(Exposure)、显影(Develope)、刻蚀(Etching)和离子注入等流程。
2023-04-28 11:24:271073

金属布线的工艺半导体注入生命的连接

经过氧化、光刻、刻蚀、沉积等工艺,晶圆表面会形成各种半导体元件。半导体制造商会让晶圆表面布满晶体管和电容(Capacitor);
2023-04-28 10:04:52532

半导体工艺之金属布线工艺介绍

本篇要讲的金属布线工艺,与前面提到的光刻、刻蚀、沉积等独立的工艺不同。在半导体制程中,光刻、刻蚀工艺,其实是为了金属布线才进行的。在金属布线过程中,会采用很多与之前的电子元器件层性质不同的配线材料(金属)。
2023-04-25 10:38:49986

《炬丰科技-半导体工艺》单晶的湿法蚀刻和红外吸收

书籍:《炬丰科技-半导体工艺》 文章:单晶的湿法蚀刻和红外吸收 编号:JFKJ-21-206 作者:炬丰科技 摘要 采用湿法腐蚀、x射线衍射和红外吸收等方法研究了物理气相色谱法生长AlN单晶的缺陷
2023-04-23 11:15:00118

半导体刻蚀工艺简述

等离子体均匀性和等离子体位置的控制在未来更加重要。对于成熟的技术节点,高的产量、低的成本是与现有生产系统竞争的关键因素。如果可以制造低成本的可靠的刻蚀系统,从长远来看,可以为客户节省大量费用,有可能
2023-04-21 09:20:221349

工业泵在半导体湿法腐蚀清洗设备中的应用

【摘要】 在半导体湿法工艺中,后道清洗因使用有机药液而与前道有着明显区别。本文主要将以湿法清洗后道工艺几种常用药液及设备进行对比研究,论述不同药液与机台的清洗原理,清洗特点与清洗局限性。【关键词
2023-04-20 11:45:00823

《炬丰科技-半导体工艺》金属氧化物半导体的制造

书籍:《炬丰科技-半导体工艺》 文章:金属氧化物半导体的制造 编号:JFKJ-21-207 作者:炬丰科技 概述 CMOS制造工艺概述   CMOS制造工艺流程   设计规则   互补金属氧化物
2023-04-20 11:16:00247

《炬丰科技-半导体工艺》III-V的光子学特性

书籍:《炬丰科技-半导体工艺》 文章:III-V的光子学特性 编号:JFKJ-21-215 作者:炬丰科技 摘要      III-V型半导体纳米线已显示出巨大的潜力光学、光电和电子器件的构建
2023-04-19 10:03:0093

半导体行业之刻蚀工艺介绍

压力主要控制刻蚀均匀性和刻蚀轮廓,同时也能影响刻蚀速率和选择性。改变压力会改变电子和离子的平均自由程(MFP),进而影响等离子体和刻蚀速率的均匀性。
2023-04-17 10:36:431922

国内功率半导体需求将持续快速增长

技术及工艺的先进性,还较大程度上依赖进口,未来进口替代空间较大。从中长期看,国内功率半导体需求将持续快速增长。根据前瞻产业研究院预测,到2026年分立器件的市场需求将超过3,700亿元。近年来物联网
2023-04-14 13:46:39

使用虚拟实验设计加速半导体工艺发展

,在半导体设计和制造领域,DOE(或实验)空间通常并未得到充分探索。相反,人们经常使用非常传统的试错方案来挖掘有限的实验空间。这是因为在半导体制造工艺中存在着太多变量,如果要充分探索所有变量的可能情况
2023-04-13 14:19:57415

半导体行业之刻蚀工艺介绍

金属刻蚀具有良好的轮廓控制、残余物控制,防止金属腐蚀很重要。金属刻蚀时铝中如果 有少量铜就会引起残余物问题,因为Cu Cl2的挥发性极低且会停留在晶圆表面。
2023-04-10 09:40:542330

半导体行业之刻蚀工艺技术

DRAM栅工艺中,在多晶硅上使用钙金属硅化物以减少局部连线的电阻。这种金属硅化物和多晶硅的堆叠薄膜刻蚀需要增加一道工艺刻蚀W或WSi2,一般先使用氟元素刻蚀钧金属硅化合物层,然后再使用氯元素刻蚀多晶硅。
2023-04-07 09:48:162198

湿式半导体工艺中的案例研究

半导体行业的许多工艺步骤都会排放有害废气。对于使用非常活泼的气体的化学气相沉积或干法蚀刻,所谓的靠近源头的废气使用点处理是常见的做法。相比之下,对于湿法化学工艺,使用中央湿式洗涤器处理废气是一种公认
2023-04-06 09:26:48408

单晶硅刻蚀工艺流程

FinFET三维器件也可以用体硅衬底制作,这需要更好地控制单晶硅刻蚀工艺,如CD、深度和轮廓。
2023-03-30 09:39:182459

半导体制造工艺中的UV-LED解决方案

针对半导体制造工艺的UV-LED光源需求,虹科提供高功率的紫外光源解决方案,可适配步进器和掩膜版设备,更换传统工具中的传统灯箱,实现高质量的半导体质量控制。
2023-03-29 10:35:41710

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