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电子发烧友网>今日头条>关于氮化镓的深紫外增强湿法化学蚀刻的研究报告

关于氮化镓的深紫外增强湿法化学蚀刻的研究报告

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2025-02-19 14:20:431085

垂直氮化器件的最新进展和可靠性挑战

过去两年中,氮化虽然发展迅速,但似乎已经遇到了瓶颈。与此同时,不少垂直氮化的初创企业倒闭或者卖盘,这引发大家对垂直氮化未来的担忧。为此,在本文中,我们先对氮化未来的发展进行分析,并讨论了垂直氮化器件开发的最新进展以及相关的可靠性挑战。
2025-02-17 14:27:362014

熵基云联入选《零售媒体化专项研究报告

近日,备受行业关注的《零售媒体化专项研究报告(2024年)》由中国连锁经营协会(CCFA)权威发布。在该报告中,熵基科技旗下的智慧零售全新商业品牌——熵基云联,凭借其卓越的创新性智慧零售解决方案
2025-02-17 11:17:27849

安克Zolo 20W氮化充电器拆解报告

前言 近期充电头网拿到了知名品牌ANKER安克一款Zolo充电器,这款产品基于华源智信氮化方案设计,因此整体做到相当小巧,搭配可折叠插脚,便携性很好。充电器支持最高20W PD3.0快充,可满足
2025-02-14 14:46:512073

氮化电源芯片U8733推荐工作频率130KHz/220KHz

氮化电源芯片U8733推荐工作频率130KHz/220KHz氮化电源芯片U8733集成恒功率控制与主动降功率控制功能,在恒功率区间,通过控制输出电流随输出电压变化,实现恒功率功能。外置温度检测
2025-02-13 16:22:261075

GAN039-650NBB氮化(GaN)FET规格书

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2025-02-13 16:10:220

Nexperia共源共栅氮化(GaN)场效应晶体管的高级SPICE模型

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2025-02-13 15:23:257

GAN041-650WSB氮化(GaN)FET规格书

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2025-02-13 14:24:192

GANE3R9-150QBA氮化(GaN)FET规格书

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2025-02-12 08:30:510

闻泰科技深耕氮化推动产业升级

随着人工智能、数据中心、汽车电子等应用领域的快速发展,第三代半导体——氮化(GaN)正迎来前所未有的发展机遇。闻泰科技已布局GaN领域多年,凭借卓越的创新能力不断推动产业链发展,创造新的价值增量。
2025-02-10 17:15:041127

GANB4R8-040CBA双向氮化(GaN)FET规格书

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2025-02-10 16:22:371

深圳银联宝科技氮化芯片2025年持续发力

深圳银联宝科技氮化芯片2025年持续发力氮化芯片YLB银联宝/YINLIANBAO无线通信领域,设备往往需要在有限的空间内实现强大的信号传输功能,氮化芯片就能凭借这一特性,满足其功率需求的同时
2025-02-07 15:40:21919

纳微半导体氮化和碳化硅技术进入戴尔供应链

近日,GaNFast氮化功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行业领导者——纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)今日宣布其氮化和碳化硅技术进入戴尔供应链,为戴尔AI笔记本打造功率从60W至360W的电脑适配器。
2025-02-07 13:35:081234

深入探讨 PCB 制造技术:化学蚀刻

作者:Jake Hertz 在众多可用的 PCB 制造方法中,化学蚀刻仍然是行业标准。蚀刻以其精度和可扩展性而闻名,它提供了一种创建详细电路图案的可靠方法。在本博客中,我们将详细探讨化学蚀刻工艺及其
2025-01-25 15:09:001517

为什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超结MOSFET和高压GaN氮化器件?

650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超结MOSFET和高压GaN氮化器件
2025-01-23 16:27:431780

蚀刻基础知识

制作氧化局限面射型雷射与蚀刻空气柱状结构一样都需要先将磊晶片进行蚀刻,以便暴露出侧向蚀刻表面(etched sidewall)提供增益波导或折射率波导效果,同时靠近活性层的高铝含量砷化铝层也才
2025-01-22 14:23:491621

测量探头的 “温漂” 问题,都是怎么产生的,以及对于氮化衬底厚度测量的影响

在半导体产业这片高精尖的领域中,氮化(GaN)衬底作为新一代芯片制造的核心支撑材料,正驱动着光电器件、功率器件等诸多领域迈向新的高峰。然而,氮化衬底厚度测量的精准度却时刻面临着一个来自暗处的挑战
2025-01-22 09:43:37449

测量探头的 “温漂” 问题,对于氮化衬底厚度测量的实际影响

在半导体制造这一微观且精密的领域里,氮化(GaN)衬底作为高端芯片的关键基石,正支撑着光电器件、功率器件等众多前沿应用蓬勃发展。然而,氮化衬底厚度测量的准确性却常常受到一个隐匿 “敌手” 的威胁
2025-01-20 09:36:50404

不同的氮化衬底的吸附方案,对测量氮化衬底 BOW/WARP 的影响

在当今高速发展的半导体产业浪潮中,氮化(GaN)衬底宛如一颗耀眼的新星,凭借其卓越的电学与光学性能,在众多高端芯片制造领域,尤其是光电器件、功率器件等方向,开拓出广阔的应用天地。然而,要想充分发挥
2025-01-17 09:27:36420

氮化衬底的环吸方案相比其他吸附方案,对于测量氮化衬底 BOW/WARP 的影响

在半导体领域的璀璨星河中,氮化(GaN)衬底正凭借其优异的性能,如高电子迁移率、宽禁带等特性,在光电器件、功率器件等诸多应用场景中崭露头角,成为推动行业发展的关键力量。而对于氮化衬底而言,其
2025-01-16 14:33:34366

氮化充电器和普通充电器有啥区别?

相信最近关心手机行业的朋友们都有注意到“氮化(GaN)”,这个名词在近期出现比较频繁。特别是随着小米发布旗下首款65W氮化快充充电器之后,“氮化”这一名词就开始广泛出现在了大众的视野中。那么
2025-01-15 16:41:14

氮化电源芯片和同步整流芯片介绍

氮化电源芯片和同步整流芯片在电源系统中犹如一对默契的搭档,通过紧密配合,显著提升电源效率。在开关电源的工作过程中,氮化电源芯片凭借其快速的开关速度和高频率的开关能力,能够迅速地切换电路状态,实现
2025-01-15 16:08:501733

PI公司1700V氮化产品直播预告

PI公司诚邀您报名参加电子研习社主办的线上直播。我们的技术专家将为您带来专题演讲,介绍新的氮化耐压基准。
2025-01-15 15:41:09899

《一云多芯算力调度研究报告》联合发布

近日,浪潮云海携手中国软件评测中心、腾讯云等十余家核心机构与厂商,共同发布了《一云多芯算力调度研究报告》。该报告深入探讨了当前一云多芯技术的发展趋势与挑战。 报告指出,一云多芯技术正处于从混合部署
2025-01-10 14:18:04752

日本开发出用于垂直晶体管的8英寸氮化单晶晶圆

工艺的横向晶体管相比,采用氮化单晶构建垂直晶体管可提供更高密度的功率器件,可用于 200mm 和 300mm 晶圆。然而,制造尺寸大于4英寸的GaN单晶晶圆一直都面临困难。 大阪大学和丰田合成的研究人员制造了一种 200mm 的多点籽晶 (MPS) 衬底,并成功地在衬底上生长出对角线长度略低于 2
2025-01-09 18:18:221358

氮化芯片U872XAHS系列的主要特性

带恒功率、底部无PAD的氮化芯片U872XAHS系列型号分别为U8722AHS、U8723AHS、U8724AHS。耐压700V,内阻1.0--1.2R。封装类型ASOP-7-T4。
2025-01-06 15:52:201004

化学性质与应用

化学性质 电子排布 : 的电子排布为[Ar] 3d^10 4s^2 4p^1,这意味着它有三个价电子,使其具有+3的氧化态。 电负性 : 的电负性较低,大约为1.81(Pauling标度
2025-01-06 15:07:384437

英诺赛科登陆港交所,氮化功率半导体领域明星企业闪耀登场

近日,全球氮化(GaN)功率半导体领域的佼佼者英诺赛科(2577.HK)成功登陆港交所主板,为港股市场增添了一枚稀缺且优质的投资标的。 英诺赛科作为全球首家实现量产8英吋硅基氮化晶圆的公司,其在
2025-01-06 11:29:141123

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