双向器件，GaN BDS 的出现可以大大降低元器件的成本：无需工艺调整和 MASK 变动，通过合并漂移区和漏极及双栅控制，即可实现单片集成的氮化镓双向器件（Monolithic Bi-Directional
2025-12-15 18:35:01
超小型氮化镓模块电源，正式上市！这不仅是一次产品升级，更是为高密度、高性能应用量身打造的动力解决方案，重新定义15W级电源的尺寸、效率与可靠性标准。一、新品首秀1
2025-12-15 11:46:02
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30W氮化镓全电压认证方案1.方案介绍及产品特色U8722DE是一款集成E-GaN的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关。芯片集成高压启动电路，可获得快速启动功能和超低的工作电流，实现小于30mW
2025-11-28 17:18:042044 
在追求高效能、高可靠性功率半导体技术的道路上迈出关键一步，打破车规级功率半导体性能边界 近日，镓未来正式宣布推出G2E65R009 系列 650V 9mΩ 车规级氮化镓场效应晶体管（GaN FET
2025-11-27 16:17:131736 电子发烧友网站提供《DK075G高性能 AC-DC 氮化镓电源管理芯片技术手册.pdf》资料免费下载
2025-11-24 16:47:18
1 中的性能差异源于材料物理特性，具体优劣势如下： 1. GaN（氮化镓）功放芯片 优势： 功率密度高：GaN 的击穿电场强度（3.3 MV/cm）是硅的 10 倍以上，相同面积下可承受更高电压（600V+）和电流，功率密度可达硅基的 3-5 倍（如 100W 功率下，GaN 芯片体积仅为硅基的 1/3）。 高
2025-11-14 11:23:573101 现在氮化镓材料技术比较成熟，芯源的MOS管也是用的氮化镓材料技术嘛？
2025-11-14 07:25:48
，其内部搭载了东科DK8710BD合封氮化镓芯片，分别支持100W和30W输出，还支持45W+45W、65W+30W等输出策略，满足包括米系用户在内的消费群体对高性
2025-11-13 10:27:082782 
在工业电源、电机驱动及照明系统等高压应用场景中，功率MOS管的可靠性、能效与成本控制直接决定了终端产品的市场竞争力。合科泰电子推出的高压MOS管 HKTD7N65，凭借650V耐压、7A电流与低至1.08Ω的导通电阻，为工程师提供了一款兼具高性能与高可靠性的国产功率器件新选择。
2025-11-07 17:46:101414 PWM信号的占空比来改变MOS管的导通时间。占空比增加时，MOS管导通时间延长，输出功率增大;反之，则输出功率减小。这种简洁而高效的控制方式，使其在电源管理、电机驱动等领域获得广泛应用。
2025-11-04 15:38:00551 STMicroelectronics EVLONE65W USB Type-C™供电板是用于高密度、大功率65W USB供电 (USB-PD) 电路的参考设计，支持可编程电源 (PPS
2025-10-29 13:56:04384 
STMicroelectronics EVLVIPGAN65DF参考设计（用于VIPERGAN65）是一款24V/65W参考设计，基于VIPERGAN65D高压转换器，采用隔离式QR反激拓扑进行设置
2025-10-16 15:36:38480 
在快充技术飞速发展的今天，65W功率档位已成为市场主流，而氮化镓技术的出现，正在重新定义充电器的尺寸与效能边界。仁懋电子推出的MOT1145GMOSFET，以其卓越性能为65W氮化镓快充方案注入
2025-10-15 17:41:294087 
芯朋微PN8215主控芯片140W氮化镓充电器芯片
2025-09-26 11:36:58
随着手机快充功率从18W跃升至200W甚至更高，充电器内的MOS管已成为决定效率、温升和可靠性的核心元件。合科泰通过一系列高性能MOS管，为快充电源提供关键支持，助力实现更高效、更安全、更小巧的充电体验。那么，合科泰的MOS管是如何助力实现高效快充的呢?
2025-09-22 10:57:082547 
近日，国内顶尖游戏硬件品牌机械革命（MECHREVO）重磅推出了旗下首款140W氮化镓快充充电器——AY140AA-1C-CH。这款新品以其强大的供电能力，迅速成为满足高性能笔记本电脑轻度游戏与重度
2025-09-17 17:35:563640 
当客户问为什么产品效率难以突破，答案往往藏在工艺细节里。新能源汽车续航提升5%、65W快充体积缩小40%，这些突破的核心在于MOS管工艺选型。
2025-09-08 15:54:52836 
33W氮化镓电源芯片U8733L布局合理减少干扰散热优化电源芯片的引脚在布局布线时，应当避免与其他信号线路平行敷设，以降低电磁干扰。根据芯片引脚功能和信号流向合理安排位置，减少交叉和迂回，降低布线
2025-08-28 16:18:507132 氮化镓电源芯片U8722DE是一款集成E-GaN的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关。芯片集成高压启动电路，可获得快速启动功能和超低的工作电流，实现小于30mW的超低待机功耗。
2025-08-26 10:24:432670 
氮化镓电源芯片U8727AHE集成高压E-Mode GaN FET，为了保障GaN FET工作的可靠性和高系统效率，芯片内置了高精度、高可靠性的驱动电路，驱动电压为VDRV (典型值6.4V)。
2025-08-25 17:41:157434 
从GaN快充到多协议功率管理，绿联如何在小体积中实现65W输出？从反激初级到同步整流，从协议主控到功率分配，其电路设计体现了怎样的多口快充兼容性与动态功率分配能力？ 在高功率快充已成标配的今天
2025-08-19 11:56:143364 
近日，应充电头网邀请，在行业目光聚焦之际，京东方华灿多位专家围绕氮化镓材料与技术展开深度分享，为行业发展勾勒清晰且充满希望的蓝图。其中，京东方华灿副总裁、首席技术官王江波博士值此世界氮化镓日之际，发表了他对氮化镓材料发展的寄语。
2025-08-14 15:31:223004 插25W+20W/等不同配置。也可通过FC引脚与慧能泰其他协议芯片如HUSB382D级联，实现三口固定分配功率，例如实现单插任意C口65W、双口同插445W+20W/等各种不同组合的PDO功率。
1.
2025-08-13 13:22:57
充的期待。而合科泰 HKTG50N03 N 沟道 MOSFET，凭着超低阻、微型封装的特性，替65W快充提供平衡方案。
2025-08-08 16:51:451783 设计大电流，高开关频率同步降压电路时，要想设计一个稳定可靠的系统，PCB布局显得尤为重要。同步整流ic U7110W设计同步整流电路时建议参考下图的内容。图为PCB布局设计参考，包含U7110W、变压器副边引脚和输出滤波电容等。
2025-08-06 11:39:343561 
氮化镓电源芯片U8723AH是一款集成E-GaN的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关。芯片集成高压启动电路，可获得快速启动功能和超低的工作电流，实现小于30mW的超低待机功耗。U8723AH
2025-07-28 11:38:063811 
制造氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMTs）具有一定难度，这主要归因于材料本身以及制造工艺中的多项挑战。
2025-07-25 16:30:444488 
英集芯IP6551是一款为车载充电器、适配器、智能排插、行车记录仪提供完整的充电方案支持双路DCP协议的65W输出DC-DC降压芯片，集成同步开关降压转换器，内置双NMOS驱动器，转换效率高。
2025-07-24 11:13:43617 
深圳市永阜康科技有限公司现在大力推广国内首款氮化镓D类音频功放芯片-ACM8816, 集成了7mΩ Rdson GaN氮化镓，48V供电时，驱动到4Ω可以在10%THD+N内输出1×340W的功率，QFN-48贴片封装，不需要外接散热器辅助散热。
2025-07-21 15:05:102857 
氮化镓充电器的高功率密度，能在很小的体积里给出更高的功率，所以氮化镓充电器个头更小，重量也更轻。且能把电能转换得更有效，能量损失也少，充电速度就能变得更快。推荐一款快速启动功能和超低的工作电流氮化镓快充芯片——U8725AHE，可实现小于30mW的超低待机功耗！
2025-07-18 16:08:412964 
需求主要集中在内置的LED灯耳勺、续航及APP连接上，一颗小功率的电源管理芯片即可满足。关注这个品类的小伙伴，可以了解下深圳银联宝的氮化镓电源管理芯片U8722SP！
2025-07-09 18:13:243450 炎热的夏天，总是需要一些冲散酷暑的小电器，给生活制造惊喜。客户最近热卖的制冷杯，被称为夏日“行走的小冰箱”，受到了许多上班族和户外一族的喜爱，充电部分采用的正是我们深圳银联宝科技研发生产的氮化镓电源芯片。今天就带你一起看看氮化镓电源芯片U8722BAS上演的神奇魔法吧！
2025-07-05 15:25:003437 PD40W氮化镓快充电源方案：U8725AHE+U7110W芯片替代方案在选型时，需要选择比原芯片参数更多或一样的芯片。如果封装能做到pintopin，则无需更改PCB设计，否则就要重新设计PCB板
2025-06-26 16:11:111778 A+C口兼容双接口电路，可满足多设备充电需求，还可以兼容传统USB-A设备，接口互补，场景覆盖广，依然是当前充电市场不可忽略的中坚力量。深圳银联宝科技推出的PD快充A+C口：30W高效率氮化镓电源方案U8722DE+U7110W，最大程度简化设计方案，易上手，低成本！
2025-06-17 17:53:331380 同一套电源芯片方案，可直接应用于不同的电压输出上，这不仅有效节省成本，更是大大缩短了开发时间，使项目收益最大化。深圳银联宝科技最新推出的25W氮化镓电源芯片方案U8723AH+U7612B，输出可选5V、9V、12V，注重空间布局和兼容性问题，通过了认证测试，低耗高效，值得推荐！
2025-06-16 15:40:171592 Analog Devices Inc. ADPA1122 20W氮化镓 (GaN) 功率放大器可在8.2GHz至11.8GHz的频率范围内提供43dBm (20W) 的功率和高于43%的功率附加效率
2025-06-15 16:01:001559 
氮化镓（GaN）器件在高频率下能够实现更高效率，主要归功于GaN材料本身的内在特性。
2025-06-13 14:25:181362 
版、Lenovo YOGA Air 15 Aura Al元启版 等多款笔记本电脑，均INBOX标配 65W 49cc氮化镓快充充电器 ，这是迄今为止联想笔记本电脑 最小体积的65W INBOX电源
2025-06-13 14:00:13813 
氮化镓电源芯片U8722CAS打嗝模式实现噪音和纹波最优化打嗝模式本质为电源保护机制（如短路保护），优化需在保障可靠性的前提下进行。高频噪声问题需协同芯片设计、封装工艺及PCB布局综合解决。氮化镓
2025-06-12 15:46:16962 45W单压单C氮化镓电源方案推荐的主控芯片是来自深圳银联宝科技的氮化镓电源芯片U8722EE，同步也是采用银联宝的同步整流芯片U7116W。为大家介绍下芯片的主要性能！
2025-06-04 16:56:201070 前不久，纳微半导体刚刚发布全球首款量产级的650V双向GaNFast氮化镓功率芯片。
2025-06-03 09:57:502385 
充电器都能轻松应对，一充搞定。充电器自然离不开芯片的支持，今天主推的就是来自深圳银联宝科技的氮化镓GaN快充芯片U8732！
2025-05-23 14:21:36883 全电压！PD20W氮化镓电源方案认证款：U8722BAS+U7612B上次给大家介绍了20W氮化镓单电压的应用方案，立马就有小伙伴发出了全电压应用方案的需求。深圳银联宝科技有求必应，PD20W氮化镓
2025-05-22 15:41:26734 深圳银联宝科技最新上市的氮化镓电源方案：U8607/U8609+同步整流芯片U7613，推荐输出功率12V2A、12V3A，非标共板，方案成熟，性能可靠，可满足更高性能要求、更低成本需求！
2025-05-13 16:28:041036 
深圳银联宝科技推出的PD 20W氮化镓单电压应用方案，主控芯片使用的是氮化镓快充芯片U8722AH，同步整流芯片U7715，协议338E。输入规格：180V-264V 50Hz，输出规格：C口，PD20W：5V3A / 9V2.22A / 12V1.67A。
2025-05-09 16:46:491256 
打造的GaNSense™氮化镓功率芯片 系列，面向 功率至 600W的家电及工业电机驱动应用。 该全集成解决方案专为电机驱动应用设计， 将两个氮化镓FET与驱动、控制、检测及智能保护功能集成在半桥里。 相较于传统硅IGBT方案，其 效率提升4%，PCB占用面积减少40%，系统
2025-05-09 13:58:181260 
在65W氮化镓快充设计中，输入欠压保护与过压保护协同工作，保障充电头在电网波动时仍能稳定输出，并避免因输入异常导致次级电路损坏。今天介绍的65W全压氮化镓快充芯片U8766，输入欠压保护(BOP)，采用ESOP-10W封装！
2025-05-08 16:30:141015 30~65W快充应用CCM同步整流芯片U7106同步整流芯片U7106采用PDFN5*6封装，是一款高频率、高性能、CCM同步整流开关，典型应用于30~65W快充，无需辅助绕组供电可稳定工作，可以在
2025-05-08 16:17:141033 深圳银联宝氮化镓快充芯片U8608具有多重故障保护机制，通过集成多维度安全防护，防止设备出现过充电、过放电、过电流等问题，在电子设备中构建起全方位的安全屏障，今天具体分析一下！
2025-04-29 18:17:541107 氮化镓凭借高频高效特性，具备了体积小、功率高、发热低等优势，但小型化虽好，散热才是硬道理，选氮化镓电源ic得看准散热设计。今天就给小伙伴们推荐一款散热性能优越、耐压700V的氮化镓电源ic U8765！
2025-04-29 18:12:02943 EMI性能为高频交直流转换器的设计难点，为此氮化镓电源芯片U8726AHE通过DEM管脚集成了驱动电流分档配置功能。通过配置DEM管脚分压电阻值，可以选择不同档位的驱动电流，进而调节GaN FET的开通速度，系统设计者可以获得最优的EMI性能和系统效率的平衡。
2025-04-28 16:07:21720 
25W带恒功率12V单高压氮化镓快充芯片U8723AHYLB芯片内置Boost电路将功率开关器件（如MOSFET）、驱动电路、反馈网络等集成于单一封装，省去分立元件布局，显著降低PCB面积需求。深圳
2025-04-24 16:20:38593 700V/165mΩ HV高压启动频率可调氮化镓快充芯片U8766，推荐功率为65W，代表机型有5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3.25A等。
2025-04-23 17:00:17776 纳微高功率GaNSafe氮化镓功率芯片已达到电动汽车所需的量产表现，可为车载充电机（OBC）和高压转低压的DC-DC变换器解锁前所未有的功率密度和效率表现 加利福尼亚州托伦斯 2025年4月15
2025-04-17 15:09:264298 
如何实现高性能与低功耗的完美结合？在现代电子设备中，电源适配器的性能和效率至关重要。onsemi推出的NCP1341B1反激式控制器，为设计高性能离线功率转换器提供了创新解决方案。本文将详细解析基于NCP1341B1的65W适配器电源方案，揭示其核心技术优势及应用场景。
2025-04-16 17:24:291454 
氮化镓的应用已经从消费电子的快充向工业级功率领域渗透，这给了国内厂商非常大的市场机会。在2025CITE电子展上，镓创晶合董事长助理赵阳接受媒体采访，分享公司氮化镓产品和市场近况以及行业趋势等话题
2025-04-16 15:12:491443 氮化镓电源芯片U8722X系列喜迎U8722FE料号功率65WYINLIANBAO深圳银联宝科技氮化镓电源芯片U8722X家族，喜提“芯”成员——U8722FE，推荐最大输出功率65W，集成MOS
2025-04-10 16:30:58667 ZS82XGaN系列产品是内置专用的电流模式脉宽调制（PWM）控制器于DMOSGaN.她针对40W以下的高性能。低待机以及经济高效的反激式转换器应用进行了优化。提供全面的保护覆盖。包括OCP.
2025-04-09 11:04:52
ZS72XGaN系列产品是内置专用的电流模式脉宽调制（PWM）控制器于DMOSGaN.她针对40W以下的高性能。低待机以及经济高效的反激式转换器应用进行了优化。提供全面的保护覆盖。包括OCP.
2025-04-09 11:00:38
防止过热。这种功能可以与OTP协同工作，提供双重保护。深圳银联宝氮化镓快充芯片U8732外置OTP自带降功率，单高压30W，一起了解下！
2025-04-02 17:52:32781 
）快速充电器，最大输出功率可达65W，输入电压为通用电网电压。 这款准谐振离线变换器集成一个700V GaN（氮化镓）晶体管和优化的栅极驱动器及典型的安全保护功能，降低了利用宽带隙技术提高功率密度和能效的技术门槛。GaN功率晶体管的最高开关频率为240kHz，开关损耗极小，可以搭配使
2025-04-01 10:01:261084 
深圳市三佛科技有限公司供应CE65H110DNDI 能华330W 氮化镓方案,可过EMC,原装现货
CE65H110DNDl系列650v、110mΩ氮化镓（GaN）FET是常关器件
2025-03-31 14:26:10
深圳市三佛科技有限公司供应330W氮化镓方案CE65H110DNDI，原装现货 DescriptionThe CE65H110DNDl Series 650v, 110mΩgallium
2025-03-31 11:59:47
30W氮化镓电源ic U8608集成E-GaN和驱动电流分档功能，通过调节驱动电流档位，可以减少电磁干扰（EMI），优化系统的整体性能和待机功耗。具体来了解一下！
2025-03-28 13:36:48797 
深圳银联宝科技推出的氮化镓快充芯片集成高频高性能准谐振模式，显著降低磁性元件体积，同时通过同步整流技术将效率翻番。比如今天介绍的65W全压700V底部无PAD氮化镓快充芯片U8766，拥有超低启动和工作电流，可实现小于30mW的超低待机功耗，势如破竹！
2025-03-20 17:41:40835 氮化镓系统 (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案
2025-03-13 16:33:054785 
日前，京东方华灿的氮化镓研发总监马欢应半导体在线邀请，分享了关于氮化镓器件的最新进展，引起了行业的广泛关注。随着全球半导体领域对高性能、高效率器件的需求不断加大，氮化镓（GaN）技术逐渐成为新一代电子器件的热点，其优越的性能使其在电源转换和射频应用中展现出巨大的潜力。
2025-03-13 11:44:261527 氮化镓晶体管的并联设计总结 先上链接，感兴趣的朋友可以直接下载： *附件：氮化镓晶体管的并联设计.pdf 一、引言 应用场景 ：并联开关管广泛应用于大功率场合，如牵引逆变器、可回收能源系统等
2025-02-27 18:26:311103 什么是氮化镓（GaN）充电头？氮化镓充电头是一种采用氮化镓（GalliumNitride,GaN）半导体材料制造的新型电源适配器。相比传统硅基（Si）充电器，GaN材料凭借其物理特性显著提升了功率
2025-02-27 07:20:334534 
什么是氮化镓（GaN）充电头？氮化镓充电头是一种采用氮化镓（GalliumNitride,GaN）半导体材料制造的新型电源适配器。相比传统硅基（Si）充电器，GaN材料凭借其物理特性显著提升了功率
2025-02-26 04:26:491183 U2G5060-140P2 是一款 140W 应用频率在 5.0~6.0GHz 的氮化镓射频功率放大管。这款放大管 具有高效率、高增益的特性。同时覆盖 5-6GHz 应用的 Demo 板，输出功率
2025-02-25 15:56:49
此参考设计是一款低成本、高密度 USB 适配器，在 ZVS 反激式拓扑中使用 UCC28782 有源钳位反激式控制器UCC5304隔离式驱动器。20V 输出时的最大额定功率为 65W，但可针对
2025-02-25 09:30:47811 ，采用氮化镓材料，体积小巧，仅为57.5*33.5*23.8mm，极大程度的节省了设计空间。该系列电源模块共有4款，输出功率40W，输出电压分别为9V、12V、1
2025-02-24 12:02:321021 此参考设计是一个 65W USB PD3.0 适配器 适用于许多充电应用，包括 手机、笔记本电脑和平板电脑。设计 实现高效率和功率密度 使用LMG3624集成 GaN FET 和电流感应仿真。高效率 通过准谐振反激式实现，该 在简单性和低级之间提供平衡 切换损耗
2025-02-24 09:28:18755 
UM2060-30 是一款 30W 应用频率 2～6GHz 的氮化镓射频功率放大管芯片。这款芯片具有高效 率、高增益的特性。主要用于收发组件，无线电通信等，工作在 28V 供电模式。关键
2025-02-19 18:20:06
过去两年中，氮化镓虽然发展迅速，但似乎已经遇到了瓶颈。与此同时，不少垂直氮化镓的初创企业倒闭或者卖盘，这引发大家对垂直氮化镓未来的担忧。为此，在本文中，我们先对氮化镓未来的发展进行分析，并讨论了垂直氮化镓器件开发的最新进展以及相关的可靠性挑战。
2025-02-17 14:27:362014 
前言 近期充电头网拿到了知名品牌ANKER安克一款Zolo充电器，这款产品基于华源智信氮化镓方案设计，因此整体做到相当小巧，搭配可折叠插脚，便携性很好。充电器支持最高20W PD3.0快充，可满足
2025-02-14 14:46:512073 
氮化镓电源芯片U8733推荐工作频率130KHz/220KHz氮化镓电源芯片U8733集成恒功率控制与主动降功率控制功能，在恒功率区间，通过控制输出电流随输出电压变化，实现恒功率功能。外置温度检测
2025-02-13 16:22:261075 U860X氮化镓快充芯片系列在原有的U8607、U8608基础上，升级增加U8609料号，同时具备了输入欠压及软入过压保护功能，有需求的小伙伴赶紧看过来！
2025-02-08 15:51:231015 
氮化镓电源芯片U8621是一款恒压、恒功率、恒温离线型电流模式PWM电源管理芯片，内置1.9Ω/630V的超结硅功率MOS。U8621具有全负载高效率、低空载损耗、低EMI干扰和高EMS抗干扰、极少
2025-02-07 16:01:021106 深圳银联宝科技氮化镓芯片2025年持续发力氮化镓芯片YLB银联宝/YINLIANBAO无线通信领域，设备往往需要在有限的空间内实现强大的信号传输功能，氮化镓芯片就能凭借这一特性，满足其功率需求的同时
2025-02-07 15:40:21919 
近日，GaNFast氮化镓功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）今日宣布其氮化镓和碳化硅技术进入戴尔供应链，为戴尔AI笔记本打造功率从60W至360W的电脑适配器。
2025-02-07 13:35:081234 
在半导体产业这片高精尖的领域中，氮化镓（GaN）衬底作为新一代芯片制造的核心支撑材料，正驱动着光电器件、功率器件等诸多领域迈向新的高峰。然而，氮化镓衬底厚度测量的精准度却时刻面临着一个来自暗处的挑战
2025-01-22 09:43:37449 
在半导体制造这一微观且精密的领域里，氮化镓（GaN）衬底作为高端芯片的关键基石，正支撑着光电器件、功率器件等众多前沿应用蓬勃发展。然而，氮化镓衬底厚度测量的准确性却常常受到一个隐匿 “敌手” 的威胁
2025-01-20 09:36:50404 在当今高速发展的半导体产业浪潮中，氮化镓（GaN）衬底宛如一颗耀眼的新星，凭借其卓越的电学与光学性能，在众多高端芯片制造领域，尤其是光电器件、功率器件等方向，开拓出广阔的应用天地。然而，要想充分发挥
2025-01-17 09:27:36420 在半导体领域的璀璨星河中，氮化镓（GaN）衬底正凭借其优异的性能，如高电子迁移率、宽禁带等特性，在光电器件、功率器件等诸多应用场景中崭露头角，成为推动行业发展的关键力量。而对于氮化镓衬底而言，其
2025-01-16 14:33:34366 相信最近关心手机行业的朋友们都有注意到“氮化镓（GaN）”，这个名词在近期出现比较频繁。特别是随着小米发布旗下首款65W氮化镓快充充电器之后，“氮化镓”这一名词就开始广泛出现在了大众的视野中。那么
2025-01-15 16:41:14
电能的高效转换。同步整流芯片的加入则有效地解决了能量损耗问题。今天介绍的是35W氮化镓电源芯片搭配同步整流方案：U8722DE+U7116！
2025-01-15 16:08:501733 PI公司诚邀您报名参加电子研习社主办的线上直播。我们的技术专家将为您带来专题演讲，介绍新的氮化镓耐压基准。
2025-01-15 15:41:09899 高性能AC-DC氮化镓电源管理芯片-DK065G一、产品概述：DK065G是一款高度集成了650V/260mΩ GaN HEMT的准谐振反激控制AC-DC功率开关芯片。DK065G检测功率管漏极和源
2025-01-10 17:02:44
东科半导体集成双氮化镓功率管的不对称半桥AC-DC-100W电源管理芯片-DK8710AD一、产品概述DK87XXAD是一颗基于不对称半桥架构，集成了两颗氮化镓功率器件的AC-DC功率开关芯片
2025-01-08 15:33:07
集成双氮化镓功率管的不对称半桥120W-AC-DC电源管理芯片-DK8712AD一、产品概述DK87XXAD电源管理芯片是一颗基于不对称半桥架构，集成了两颗氮化镓功率器件的AC-DC功率开关芯片
2025-01-08 15:29:04
V-GaN 系列INN040W048A氮化镓芯片，耐压40V，导通电阻4.8mΩ，支持双向导通。具备无体二极管、低导通阻抗等特性，仅用1颗就能代替两颗硅MOSFET。同时采用WLCSP2.1mmx2.1mm的封装，为终端产品节省系统空间的同时，有效降低了系统能耗。
2025-01-08 15:05:03
集成双氮化镓功率管的不对称半桥AC-DC-180W电源管理芯片-DK8718AD一、产品概述：DK87XXAD是一颗基于不对称半桥架构，集成了两颗氮化镓功率器件的AC-DC功率电源管理芯片
2025-01-08 10:53:32
高性能AC-DC 75W氮化镓电源管理芯片-DK075G一、产品概述：DK075G是一款高度集成了700V/150mΩ GaN HEMT的准谐振反激控制AC-DC功率电源管理芯片。DK075G检测
2025-01-08 10:48:52
东科半导体高性能AC-DC 45W氮化镓电源管理芯片-DK045G 一、产品概述：DK045G是一款高度集成了650V/400mΩ GaN HEMT的准谐振反激控制AC-DC功率开关芯片
2025-01-08 10:46:14
带恒功率、底部无PAD的氮化镓芯片U872XAHS系列型号分别为U8722AHS、U8723AHS、U8724AHS。耐压700V，内阻1.0--1.2R。封装类型ASOP-7-T4。
2025-01-06 15:52:201004
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